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半導(dǎo)體電磁兼容測(cè)試的必備裝備---TEM小室

深圳市華瑞高電子技術(shù)有限公司 ? 2025-04-10 09:48 ? 次閱讀
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GB/T 42968.2-2024《集成電路電磁抗擾度測(cè)量 第2部分:輻射抗擾度測(cè)量 TEM小室和寬帶TEM小室法》國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)于2024年10月26日發(fā)布,并自同日起實(shí)施。該標(biāo)準(zhǔn)旨在為集成電路的電磁兼容性測(cè)試提供指導(dǎo),特別是針對(duì)輻射抗擾度的評(píng)估。通過(guò)使用TEM(橫電磁波)小室進(jìn)行測(cè)量,可以有效的評(píng)價(jià)半導(dǎo)體器件在特定電磁環(huán)境下的穩(wěn)定性和可靠性。

華瑞高出品的HTM-3A TEM小室將工作頻率范圍擴(kuò)展到現(xiàn)有設(shè)備之外,同時(shí)允許對(duì)集成電路進(jìn)行高達(dá) 3GHz頻率的輻射發(fā)射和抗擾度測(cè)試。將半導(dǎo)體芯片安裝在固定到位的測(cè)試夾具板上,安裝好后,可以根據(jù)GB/T 42968.2、IEC61967-2和IEC61967-8、SAE1752-3和IEC62132-8進(jìn)行3GHz的測(cè)量。它配置為可容納IEC61967-2中規(guī)定的標(biāo)準(zhǔn)100mm x 100mm的測(cè)試夾具板,華瑞高的HTM-3A TEM小室可以完美的替代美國(guó)FCC的FCC-TEM-JM7D。

華瑞高的HTM-3A TEM小室可用于輻射發(fā)射和抗擾度測(cè)試,需要不到1毫瓦的輸入功率即可實(shí)現(xiàn)每米10V的電場(chǎng),需要大約8瓦的輸入功率即可實(shí)現(xiàn)每米1000V的電場(chǎng)。

深圳市華瑞高電子技術(shù)有限公司作為一家電磁兼容設(shè)備校準(zhǔn)裝置的生產(chǎn)廠家,我們有著相關(guān)豐富的電磁兼容測(cè)試校準(zhǔn)經(jīng)驗(yàn),對(duì)于電磁兼容的測(cè)試設(shè)備和測(cè)試規(guī)范的理解也比較深刻,歡迎一同溝通交流!

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