聲明:本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點僅代表作者本人,不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場。文章及其配圖僅供工程師學(xué)習(xí)之用,如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問題,請聯(lián)系本站處理。
舉報投訴
-
集成電路
+關(guān)注
關(guān)注
5461文章
12644瀏覽量
375415 -
新材料
+關(guān)注
關(guān)注
8文章
432瀏覽量
22348
發(fā)布評論請先 登錄
相關(guān)推薦
熱點推薦
13.56MHz 射頻電源拓撲與 1200V SiC MOSFET 集成:非線性電容補償
,等離子體刻蝕(Plasma Etching)與等離子體增強化學(xué)氣相沉積(PECVD)是決定集成電路特征尺寸與三維結(jié)構(gòu)形貌的核心工序。隨著微電子制造向 3 納米及埃米(Angstrom)節(jié)點演進,極紫外
北方華創(chuàng)發(fā)布全新一代12英寸高端電感耦合等離子體刻蝕設(shè)備NMC612H
近日,北方華創(chuàng)正式發(fā)布全新一代12英寸高端電感耦合等離子體(ICP)刻蝕設(shè)備——NMC612H。
Pearson皮爾森電流探頭:半導(dǎo)體等離子體測試精準測量優(yōu)選方案
在半導(dǎo)體及半導(dǎo)體設(shè)備行業(yè),等離子體研究的每一步突破,都離不開精準的電流數(shù)據(jù)支撐。作為物質(zhì)的第四態(tài),等離子體的電離特性的決定了其測試過程對設(shè)備的頻率適配性、精度控制有著極高要求,而Pearson皮爾森
集成電路制造工藝中的刻蝕技術(shù)介紹
本文系統(tǒng)梳理了刻蝕技術(shù)從濕法到等離子體干法的發(fā)展脈絡(luò),解析了物理、化學(xué)及協(xié)同刻蝕機制差異,闡明設(shè)備與工藝演進對先進制程的支撐作用,并概述國內(nèi)外產(chǎn)業(yè)格局,體現(xiàn)刻蝕在高端芯片制造中的核心地位與技術(shù)挑戰(zhàn)。
射頻功率放大器在等離子體激勵及發(fā)射光譜診斷系統(tǒng)中的應(yīng)用
實驗名稱:射頻放電等離子體激勵及發(fā)射光譜診斷系統(tǒng) 研究方向:探索射頻放電等離子體激勵對超聲速流動中激波/邊界層干擾(SWBLI)非定常性的主動控制效果及其作用機理。研究聚焦于等離子體激勵在流動控制中
中達瑞和定制內(nèi)推式高光譜相機助力等離子體運動軌跡監(jiān)測
等離子體作為物質(zhì)的第四態(tài),在核聚變、材料加工、半導(dǎo)體制造等前沿科技與工業(yè)領(lǐng)域中扮演著關(guān)鍵角色。如何精準、實時地監(jiān)測其運動軌跡與物理狀態(tài),一直是科研與工程應(yīng)用中的核心挑戰(zhàn)。傳統(tǒng)監(jiān)測方法往往在精度、實時
【「芯片設(shè)計基石——EDA產(chǎn)業(yè)全景與未來展望」閱讀體驗】--全書概覽
國內(nèi)集成電路設(shè)計EDA行業(yè)領(lǐng)頭羊一員,以實事求是、開拓創(chuàng)新,積極進取精神 向讀者展現(xiàn)講解,也是在激勵集成電路EDA產(chǎn)業(yè)不斷發(fā)展壯大,勇立潮頭。
發(fā)表于 01-18 17:50
SPS-5T-2000℃型智能型放電等離子體燒結(jié)爐
法。通斷式直流脈沖電流的主要作用是產(chǎn)生放電等離子體、放電沖擊壓力、焦耳熱和電場擴散作用,它具有加熱均勻,升降溫速度快、燒結(jié)時間短、組織結(jié)構(gòu)可控、產(chǎn)品組織細小均勻、可以得到高致密度的材料、節(jié)能環(huán)保等鮮明特點
使用簡儀科技產(chǎn)品的等離子體診斷高速采集系統(tǒng)解決方案
在核聚變能源成為全球能源轉(zhuǎn)型重要方向的今天,托卡馬克等核聚變研究裝置的穩(wěn)定運行與技術(shù)突破,離不開對等離子體狀態(tài)的精準把控。等離子體診斷作為解析等離子體物理特性的核心手段,通過探針法、微波法、激光法、光譜法等多種技術(shù),獲取電子密度
探索微觀世界的“神奇火焰”:射頻等離子體技術(shù)淺談
你是否想象過,有一種特殊的“火焰”,它并不灼熱,卻能瞬間讓材料表面煥然一新;它不產(chǎn)生煙霧,卻能精密地雕刻納米級的芯片電路?這種神奇的“火焰”,就是今天我們要介紹的主角——射頻等離子體(RF Plasma)。
高端芯片制造裝備的“中國方案”:等離子體相似定律與尺度網(wǎng)絡(luò)突破
圖1.射頻放電診斷系統(tǒng)與相似射頻放電參數(shù)設(shè)計 核心摘要: 清華大學(xué)與密歇根州立大學(xué)聯(lián)合團隊在頂級期刊《物理評論快報》發(fā)表重大成果,首次通過實驗驗證了射頻等離子體的相似性定律,并成功構(gòu)建全球首個
遠程等離子體刻蝕技術(shù)介紹
遠程等離子體刻蝕技術(shù)通過非接觸式能量傳遞實現(xiàn)材料加工,其中熱輔助離子束刻蝕(TAIBE)作為前沿技術(shù),尤其適用于碳氟化合物(FC)材料(如聚四氟乙烯PTFE)的精密處理。
安泰高壓放大器在等離子體發(fā)生裝置研究中的應(yīng)用
等離子體發(fā)生裝置通過外部能量輸入使氣體電離生成等離子體,在工業(yè)制造、材料科學(xué)、生物醫(yī)療等領(lǐng)域應(yīng)用廣泛。高壓放大器作為能量供給的核心器件,直接影響等離子體的生成效率、穩(wěn)定性和可控性。 圖
上海光機所在多等離子體通道中實現(xiàn)可控Betatron輻射
圖1. 等離子體多通道Betatron振蕩產(chǎn)生的示意圖 近期,中國科學(xué)院上海光學(xué)精密機械研究所超強激光科學(xué)與技術(shù)全國重點實驗室研究團隊提出了一種基于雙激光脈沖干涉的新型高亮度X射線源產(chǎn)生方案。該團
中國集成電路大全 接口集成電路
資料介紹本文系《中國集成電路大全》的接口集成電路分冊,是國內(nèi)第一次比較系統(tǒng)地介紹國產(chǎn)接口集成電路的系列、品種、特性和應(yīng)用方而知識的書籍。全書共有總表、正文和附錄三部分內(nèi)容。總表部分列有
發(fā)表于 04-21 16:33
等離子體摻雜∈《集成電路產(chǎn)業(yè)全書》



評論