11.2.2 開(kāi)關(guān)模式直流-直流變換器
11.2 基本的功率變換電路
第11章碳化硅器件在電力系統(tǒng)中的應(yīng)用
《碳化硅技術(shù)基本原理——生長(zhǎng)、表征、器件和應(yīng)用》





聲明:本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫(xiě)或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點(diǎn)僅代表作者本人,不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場(chǎng)。文章及其配圖僅供工程師學(xué)習(xí)之用,如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問(wèn)題,請(qǐng)聯(lián)系本站處理。
舉報(bào)投訴
-
直流
+關(guān)注
關(guān)注
7文章
465瀏覽量
44127 -
變換器
+關(guān)注
關(guān)注
17文章
2166瀏覽量
112492
發(fā)布評(píng)論請(qǐng)先 登錄
相關(guān)推薦
熱點(diǎn)推薦
100kW的SST固態(tài)變壓器高頻 DAB 隔離直流變換器設(shè)計(jì)與驗(yàn)證
傾佳楊茜-死磕固變:100kW的SST固態(tài)變壓器高頻 DAB 隔離直流變換器設(shè)計(jì)與驗(yàn)證 固態(tài)變壓器(SST,Solid State Transformer)的 DC-DC 隔離級(jí)是實(shí)現(xiàn)高低壓直
LLC諧振變換器:物理本質(zhì)、演進(jìn)歷程與SiC碳化硅技術(shù)的深度融合
電力電子LLC諧振變換器:物理本質(zhì)、演進(jìn)歷程與SiC碳化硅技術(shù)的深度融合研究報(bào)告 全球能源互聯(lián)網(wǎng)核心節(jié)點(diǎn)賦能者-BASiC Semiconductor基本半導(dǎo)體之一級(jí)代理商傾佳電子(Changer
新品 | 碳化硅SiC 5.5kW三相交錯(cuò)并聯(lián)LLC諧振變換器評(píng)估板
新品碳化硅SiC5.5kW三相交錯(cuò)并聯(lián)LLC諧振變換器評(píng)估板EVAL_5K5W_3PH_LLC_SiC5.5kW三相交錯(cuò)并聯(lián)LLC諧振變換器,能將400V直流輸入電壓轉(zhuǎn)換為穩(wěn)定的50V
2026年直流變換電源廠家排名大揭秘!哪些直流變換電源廠家值得信賴(lài)?
隨著科技的不斷進(jìn)步,直流變換電源在各行各業(yè)中的應(yīng)用越來(lái)越廣泛。無(wú)論是工業(yè)設(shè)備、通信系統(tǒng),還是電子產(chǎn)品,都離不開(kāi)高效、穩(wěn)定的直流變換電源。那么,在2026年,哪些廠家在這個(gè)領(lǐng)域中脫穎而出呢?讓我們一起來(lái)看看2026年直流變換電源廠
簡(jiǎn)單認(rèn)識(shí)博世碳化硅功率半導(dǎo)體產(chǎn)品
博世為智能出行領(lǐng)域提供全面的碳化硅功率半導(dǎo)體產(chǎn)品組合,包括用于逆變器、車(chē)載充電器和直流/直流轉(zhuǎn)換器的碳化硅功率MOSFET和碳化硅功率模塊。
Wolfspeed碳化硅技術(shù)實(shí)現(xiàn)大規(guī)模商用
的專(zhuān)利申請(qǐng)量就增長(zhǎng)了約 200%。Wolfspeed 強(qiáng)大的知識(shí)產(chǎn)權(quán)組合支撐著材料和器件方面的關(guān)鍵突破,這些突破使得碳化硅 (SiC) 技術(shù)得以實(shí)現(xiàn)大規(guī)模商用。
【新啟航】碳化硅外延片 TTV 厚度與生長(zhǎng)工藝參數(shù)的關(guān)聯(lián)性研究
一、引言
碳化硅外延片作為功率半導(dǎo)體器件的核心材料,其總厚度偏差(TTV)是衡量產(chǎn)品質(zhì)量的關(guān)鍵指標(biāo),直接影響器件的性能與可靠性 。外延片的 TTV 厚度受多種因素影響,其中生長(zhǎng)工藝參
數(shù)明半導(dǎo)體SiLM27531H柵極驅(qū)動(dòng)器在碳化硅器件中的應(yīng)用
碳化硅 MOSFET 憑借顯著的開(kāi)關(guān)性能優(yōu)勢(shì),在許多大功率應(yīng)用中得到青睞。然而它的特性要求柵極驅(qū)動(dòng)電路有較高要求,以?xún)?yōu)化碳化硅器件的開(kāi)關(guān)性能
碳化硅器件的應(yīng)用優(yōu)勢(shì)
碳化硅是第三代半導(dǎo)體典型材料,相比之前的硅材料,碳化硅有著高擊穿場(chǎng)強(qiáng)和高熱導(dǎo)率的優(yōu)勢(shì),在高壓、高頻、大功率的場(chǎng)景下更適用。碳化硅的晶體結(jié)構(gòu)穩(wěn)定,哪怕是在超過(guò)300℃的高溫環(huán)境下,打破了傳統(tǒng)材料下
碳化硅晶圓特性及切割要點(diǎn)
01襯底碳化硅襯底是第三代半導(dǎo)體材料中氮化鎵、碳化硅應(yīng)用的基石。碳化硅襯底以碳化硅粉末為主要原材料,經(jīng)過(guò)晶體生長(zhǎng)、晶錠加工、切割、研磨、拋光
直流開(kāi)關(guān)電源的軟開(kāi)關(guān)技術(shù)
。電力電子變換器是應(yīng)用電力電子器件將一種電能轉(zhuǎn)變?yōu)榱硪环N或多種形式電能的裝置,按轉(zhuǎn)換電能的種類(lèi),可分為四種類(lèi)型:
①直流-直流變換器,它是將一種直流
發(fā)表于 05-07 15:22
碳化硅功率器件有哪些特點(diǎn)
隨著全球?qū)G色能源和高效能電子設(shè)備的需求不斷增加,寬禁帶半導(dǎo)體材料逐漸進(jìn)入了人們的視野。其中,碳化硅(SiC)因其出色的性能而受到廣泛關(guān)注。碳化硅功率器件在電力電子、可再生能源以及電動(dòng)汽車(chē)等領(lǐng)域的應(yīng)用不斷拓展,成為現(xiàn)代電子
碳化硅功率器件的種類(lèi)和優(yōu)勢(shì)
在現(xiàn)代電子技術(shù)飛速發(fā)展的背景下,功率器件的性能和效率面臨著越來(lái)越高的要求。碳化硅(SiC)作為一種新興的寬禁帶半導(dǎo)體材料,憑借其優(yōu)異的電氣特性和熱性能,逐漸成為功率電子器件領(lǐng)域的熱門(mén)選
國(guó)產(chǎn)碳化硅MOSFET在OBC+DCDC及壁掛小直流樁中的應(yīng)用
國(guó)產(chǎn)碳化硅MOSFET在OBC+DCDC及壁掛小直流樁中的應(yīng)用
發(fā)表于 04-02 11:40
?0次下載
為什么碳化硅Cascode JFET 可以輕松實(shí)現(xiàn)硅到碳化硅的過(guò)渡?
,碳化硅具備多項(xiàng)技術(shù)優(yōu)勢(shì)(圖1),這使其在電動(dòng)汽車(chē)、數(shù)據(jù)中心,以及直流快充、儲(chǔ)能系統(tǒng)和光伏逆變器等能源基礎(chǔ)設(shè)施領(lǐng)域嶄露頭角,成為眾多應(yīng)用中的新興首選技術(shù)。 表1 硅
發(fā)表于 03-12 11:31
?999次閱讀
開(kāi)關(guān)模式直流-直流變換器∈《碳化硅技術(shù)基本原理——生長(zhǎng)、表征、器件和應(yīng)用》
評(píng)論