導語：

2021年3月，科技部正式復函支持蘇州市建設國家生物藥技術創新中心、國家第三代半導體技術創新中心、國家新一代人工智能創新發展試驗區（以下簡稱“一區兩中心”）。

同年4月，蘇州市“一區兩中心”建設推進大會召開，會上發布了“一區兩中心”若干意見及有關產業政策，作為主要實施地的蘇州工業園區提出了相關建設愿景。“一區兩中心”揭牌啟動。

國家第三代半導體技術創新中心（以下簡稱“國創中心”）獲批建設兩年以來，瞄準國家和產業發展全局的創新需求，以關鍵技術研發為核心使命，進一步推動我國第三代半導體產業發展，形成立足長三角、輻射全國的技術融合點和產業創新的輻射源。

截至目前，園區已集聚相關企業超1100家，相關產業規模超1400億元，在積極服務國家戰略的同時，為提升園區第三代半導體產業創新能力提供了關鍵支撐。

加強基礎研究，攻堅核心技術

國創中心聚焦第三代半導體關鍵核心技術和重大應用方向，重點突破材料、器件、工藝和裝備技術瓶頸，實現在電力電子、微波射頻和光電子領域的應用突破，增強我國第三代半導體產業的創新能力和主導力。

目前，國創中心承擔省級以上重大研發項目7項，組織“揭榜掛帥”項目3個，在大尺寸氮化鎵材料制備等領域取得重大突破，形成了以“設備輔材-襯底外延-器件”為核心、以“下游應用”為支撐的完整產業鏈，并在國際上率先突破了6英寸單晶襯底等一批前沿技術。

重大項目的申報、“揭榜掛帥”的實施，強化突出企業創新主體地位，形成了以企業為主體、市場為導向、產學研用深度融合的技術創新體系，營造了科研攻關能者上的創新生態。目前，國創中心已培育支撐蘇州納維、晶湛半導體、漢驊半導體、度亙激光、芯三代半導體等代表性企業，著力從創新源頭發力，培育產業發展新動能。

完善科研平臺，建強創新載體

面向關鍵技術攻關方向，國創中心打造了一批具有公共屬性的、覆蓋全產業鏈的、開放的科研平臺，暢通創新生態鏈，促進第三代半導體整體科技水平提升。

2022年1月，國創中心研發與產業化基地開工，這是園區打造第三代半導體創新高地、產業集群的重大基礎設施，將有力支撐第三代半導體關鍵技術攻關和科技成果轉化。

2022年6月，面向關鍵技術攻關方向，國創中心新啟動氮化鎵同質外延技術聯合研發中心、氮化鎵功率微波技術聯合研發中心、微顯示巨集成技術聯合研發中心聯合研發中心、硅基氮化鎵材料聯合研發中心等8家聯合研發中心。同時，國創中心首支規模3億元基金-蘇州荷塘創芯基金同期簽約成立，專門用于國創中心項目孵化。

2022年11月，國創中心與中國電科產業基礎研究院合作共建的三微電子總部大樓落成開業，將打造國際一流的第三代半導體研發中心、先進微系統組裝中心、高端芯片研發和產業化高地。

2022年12月，國創中心材料生長創新平臺和器件工藝平臺完工，建成全鏈條研發支撐平臺，突破材料創新關鍵共性技術和工藝關鍵環節，實現裝備、技術、人才的源頭供給。

目前，國創中心與全國知名高校、院所、企業設立17個聯合研發中心，建立了比肩國際一流科研機構的公共服務平臺，以關鍵技術研發為核心使命，產學研協同推動科技成果轉移轉化與產業化，為區域產業發展提供源頭技術供給。

此外，國創中心成立長三角第三代半導體產業技術創新聯盟等開放合作平臺，充分調動各類創新主體的積極性，形成國家第三代半導體知識產權、人才培養以及信息交流的共享創新網絡，形成跨區域、跨行業、跨學科、跨領域的技術創新能力。

打造人才高地，鍛造硬核力量

國創中心以高起點、高標準建設結構合理的高層次創新創業人才團隊，形成一支年齡結構合理、學歷層次高、專業覆蓋面廣、技術力量雄厚、產學研聯系緊密的科研隊伍。

國創中心組建了由中國科學院院士郝躍等10位院士領銜的技術專家委員會，匯聚了國內外技術前沿的一流科學家、學科領軍人才和科研團隊，梳理產業長遠發展必須解決的技術難題，組織上下游團隊協力攻關。

目前，國創中心已吸引30余位國內外高層次領軍人才創新創業，形成規模300人的核心科研團隊。

拉開集群大幕，堅持自立自強

當前，國創中心圍繞國家戰略需求和國際產業競爭焦點，瞄準產業前沿引領技術和關鍵共性技術研發和應用，著力打造一流的第三代半導體產業發展生態。

下一步，國創中心將持續以關鍵共性技術攻關為核心使命，強化政策引領和機制體制創新，夯實產業發展基礎，支持創新主體引培、公共技術服務平臺建設、高端人才引育等，營造更優質產業創新生態，全面推進科技自立自強，加快我國第三代半導體產業創新能力整體躍升。