碳化硅（SiC）半導(dǎo)體已經(jīng)存在數(shù)十年，最近才因汽車市場向電動化的迅速轉(zhuǎn)型而需求激增。政府對氣候變化的要求和消費者需求的指數(shù)級增長，使得汽車制造商計劃在未來10至15年內(nèi)將電池電動車型作為主銷產(chǎn)品。

這一電動化轉(zhuǎn)變決定了汽車功率半導(dǎo)體的整體市場需求。最初，汽車電源市場由硅IGBT和MOSFET主導(dǎo)，而SiC和GaN等寬禁帶半導(dǎo)體只有特斯拉等少數(shù)早期采用者使用。

然而，隨著汽車行業(yè)向電池電動汽車的持續(xù)轉(zhuǎn)型以及車隊電動化的推進，碳化硅半導(dǎo)體的需求正在迅速增長。據(jù)市場研究公司TechInsights的數(shù)據(jù)顯示，到2030年，SiC在電動汽車生產(chǎn)中的市場收入預(yù)計將達到96億美元，并且預(yù)測到2027年的復(fù)合年增長率將高達37%。然而，TechInsights汽車業(yè)務(wù)執(zhí)行董事Asif Anwar指出：“我們認(rèn)為其他電力電子半導(dǎo)體的需求并不會消失，硅基IGBT、MOSFET和二極管仍將占據(jù)整體市場需求的50%。”

到2030年，汽車電源市場（包括功率MOSFET、IGBT和SiC半導(dǎo)體）的收入預(yù)計將達到266億美元，幾乎是今年收入的兩倍。未來五年，車用功率芯片市場預(yù)計將以16.0%的復(fù)合年增長率增長。

使用碳化硅半導(dǎo)體的程度將取決于制造的電動汽車類型。對于輕度混合動力車，該細(xì)分市場仍然依賴硅MOSFET技術(shù)；不過，如果GaN技術(shù)的價格能夠降低以與當(dāng)前的MOSFET相匹配，那么它可能也會被采用。TechInsights指出，在全混合動力車和插電式混合動力車中，由于硅IGBT和MOSFET技術(shù)在成本效益方面更具優(yōu)勢，SiC和GaN等寬禁帶技術(shù)并不理想。

全電池電動車將成為SiC芯片在主逆變器中的主要應(yīng)用領(lǐng)域，并且其在DC-DC轉(zhuǎn)換器和車載充電器等電力電子系統(tǒng)中的應(yīng)用也會增加。

編輯：黃飛