ROHM羅姆確立了一項超高速驅動控制IC技術，利用該技術可更大程度地激發(fā)出GaN等高速開關器件的性能。近年來，GaN器件因其具有高速開關的特性優(yōu)勢而被廣泛采用，然而，如何提高控制IC（負責GaN器件的驅動控制）的速度已成為亟需解決的課題。

在這種背景下，ROHM進一步改進了在電源IC領域確立的超高速脈沖控制技術“Nano Pulse Control”，成功地將控制脈沖寬度從以往的9ns提升至2ns，達到業(yè)界超高水平。通過將該技術應用在控制IC中，又成功地確立了可更大程度激發(fā)GaN器件性能的超高速驅動控制IC技術。

目前，ROHM正在推動應用該技術的控制IC產品轉化工作，計劃在2023年下半年開始提供100V輸入單通道DC-DC控制器的樣品。通過將其與ROHM的“EcoGaN系列”等GaN器件相結合，將會為基站、數據中心、FA設備和無人機等眾多應用實現(xiàn)顯著節(jié)能和小型化做出貢獻。

未來，ROHM將繼續(xù)以其擅長的模擬技術為中心，追求應用的易用性，積極開發(fā)解決社會課題的產品。

日本大阪大學 研究生院工學研究科 森 勇介 教授表示：

“多年來，GaN作為能夠實現(xiàn)節(jié)能的功率半導體材料一直備受期待，但這種材料在品質和成本等方面還存在諸多問題。在這種背景下，ROHM建立了高可靠性GaN器件的量產體系，并積極推動能夠更大程度地發(fā)揮出GaN器件性能的控制IC開發(fā)。這對于促進GaN器件的普及而言，可以說是非常重要的一大步。要想真正發(fā)揮出功率半導體的性能，就需要將晶圓、元器件、控制IC、模塊等多種技術有機結合起來。在這方面，日本有包括ROHM在內的很多極具影響力的企業(yè)。從我們正在研究的GaN-on-GaN晶圓技術到ROHM正在研究的元器件、控制IC和模塊，需要整個國家通力合作，為實現(xiàn)無碳社會貢獻力量。”

超高速驅動控制IC技術

＜背景＞

在追求電源電路小型化時，需要通過高頻開關來減小外圍元器件的尺寸，而這就需要能夠充分激發(fā)出GaN等高速開關器件驅動性能的控制IC。這次，為了實現(xiàn)包含外圍元器件的解決方案，ROHM確立了非常適合GaN器件的超高速驅動控制IC技術，該技術中還融入了ROHM引以為豪的模擬電源技術之一“Nano Pulse Control”技術 。

＜控制IC技術詳情＞

該技術采用了在ROHM的垂直統(tǒng)合型生產體制下融合了電路設計、工藝和布局三大模擬技術而實現(xiàn)的“Nano Pulse Control”技術。通過采用自有的電路結構，將控制IC的最小控制脈寬由以往的9ns大幅提升至2ns，這使得以48V和24V應用為主的應用，僅需1枚電源IC即可完成從高電壓到低電壓的降壓轉換工作（從最高60V到0.6V）。該技術非常適合與GaN器件相結合，實現(xiàn)高頻開關，從而助力外圍元器件小型化，對采用了該技術的DC-DC控制器IC（開發(fā)中）和采用了EcoGaN技術的電源電路進行比較時，后者的安裝面積比采用普通產品時可減少86%。

審核編輯：湯梓紅