近日,BOE(京東方)基于量子點直接光刻工藝(direct photolithography of quantum dots in QLED, DP-QLED)開發(fā)的4.7英寸650 PPI 主動矩陣量子點發(fā)光二極管(AMQLED)顯示樣機驚艷亮相2023 SID國際顯示周,引發(fā)業(yè)界廣泛關(guān)注。
BOE(京東方)這款光刻法AMQLED樣機對比度超過10,000,000 : 1,色域可達85% BT2020。
BOE(京東方)開發(fā)的量子點直接光刻(DP-QLED)工藝,僅需要涂膜、曝光、顯影三步即實現(xiàn)了一種量子點的圖案化;相對于其它光刻圖案化工藝,步驟減少,無需引入附加結(jié)構(gòu),可有效提升效率、成本可大幅降低。
該工藝無需使用昂貴且制作周期長的精細(xì)金屬掩模版(FMM),通過使用成熟度高的曝光光罩,量子點直接光刻(DP-QLED)即可在全尺寸領(lǐng)域范圍內(nèi)實現(xiàn)高度自由的尺寸與像素密度的規(guī)格組合、高度自由的像素排布設(shè)計、更高的開口率和器件壽命、更簡單的工藝制程及更靈活、高效的產(chǎn)品開發(fā)。
審核編輯 :李倩
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原文標(biāo)題:無需FMM,京東方研發(fā)出光刻AMQLED
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