国产精品久久久aaaa,日日干夜夜操天天插,亚洲乱熟女香蕉一区二区三区少妇,99精品国产高清一区二区三区,国产成人精品一区二区色戒,久久久国产精品成人免费,亚洲精品毛片久久久久,99久久婷婷国产综合精品电影,国产一区二区三区任你鲁

0
  • 聊天消息
  • 系統(tǒng)消息
  • 評論與回復(fù)
登錄后你可以
  • 下載海量資料
  • 學(xué)習(xí)在線課程
  • 觀看技術(shù)視頻
  • 寫文章/發(fā)帖/加入社區(qū)
會員中心
創(chuàng)作中心

完善資料讓更多小伙伴認(rèn)識你,還能領(lǐng)取20積分哦,立即完善>

3天內(nèi)不再提示

使用開爾文連接提高 SiC FET 的開關(guān)效率

Qorvo半導(dǎo)體 ? 來源:未知 ? 2023-05-25 00:25 ? 次閱讀
加入交流群
微信小助手二維碼

掃碼添加小助手

加入工程師交流群

碳化硅 (SiC) 等寬帶隙器件可實現(xiàn)能夠保持高功率密度的晶體管,但需要使用低熱阻封裝,比如 TO-247。然而,此類封裝的連接往往會導(dǎo)致較高的電感。閱讀本博文,了解如何謹(jǐn)慎使用開爾文連接技術(shù)以解決電感問題。

這篇博客文章最初由 United Silicon Carbide (UnitedSiC) 發(fā)布,該公司于 2021 年 11 月加入 Qorvo 大家庭。UnitedSiC 是一家領(lǐng)先的碳化硅 (SiC) 功率半導(dǎo)體制造商,它的加入促使 Qorvo 將業(yè)務(wù)擴展到電動汽車 (EV)、工業(yè)電源、電路保護、可再生能源和數(shù)據(jù)中心電源等快速增長的市場。

物理現(xiàn)象既會帶來優(yōu)勢,也會產(chǎn)生弊端。采用碳化硅 (SiC) 等寬帶隙材料構(gòu)建而成的器件,可為設(shè)計人員提供能夠保持高功率密度的晶體管,因為這些晶體管的傳導(dǎo)損耗和開關(guān)損耗較低,而且工作結(jié)溫高,開關(guān)速度快。高功率密度的晶體管對于實現(xiàn)更小的功率控制和轉(zhuǎn)換電路有非常大的幫助,但僅僅改變半導(dǎo)體材料是無法實現(xiàn)的,還需要使用低熱阻封裝,比如 TO-247,以便輕松散熱。不幸的是,這又是一個物理難題:TO-247 封裝的連接往往電感較高,這會限制開關(guān)速度。

物理現(xiàn)象有利有弊,而在這種情況下,使用開爾文連接技術(shù)可以解決電感問題。但是我們必須謹(jǐn)慎實現(xiàn)此類連接,以避免發(fā)生更糟糕的物理現(xiàn)象。

開爾文連接

蘇格蘭/愛爾蘭實驗主義者開爾文男爵非常關(guān)注物理現(xiàn)象(如電流)的測量精度。他明白,要想通過檢測給定電流下低電阻導(dǎo)致的壓降,并結(jié)合使用歐姆定律來得出其阻值,就必須精確地測量電阻上的電壓,并且要將測量電壓的線路和載流路徑分開。這種方法被稱為開爾文連接。

開爾文連接最初用于測量電路中適當(dāng)位置的靜態(tài)電壓,但也可以用于在適當(dāng)位置注入電壓。例如:當(dāng)以高頻率驅(qū)動 MOSFET 開關(guān)的柵極時,器件的源連接就是柵極驅(qū)動電壓與漏極-源極電流的共用點。如果存在共源電感 L(如圖 1中所示),則電流的變化就會影響柵極電壓,且影響程度與電感 L 和電流變化率成正比。在柵極被驅(qū)動關(guān)斷時,電感 L 兩端產(chǎn)生的電壓就會使柵極更長時間地保持接通狀態(tài),從而降低電流減小的速度。相反,在接通期間,電感 L 上的電壓就會降低電流增加的速度。

控制引腳電感的影響

電感 L 來源于 MOSFET 的內(nèi)部焊線,通常約為 1nH/mm。如果器件帶有引腳(比如 TO-247 封裝),則那些外部連接也會導(dǎo)致 L 增加。

39bea452-fa4f-11ed-90ce-dac502259ad0.jpg

圖 1:共源電感會產(chǎn)生瞬態(tài)柵極電壓,從而降低開關(guān)電流速度

當(dāng)以微秒為單位計算開關(guān)時間時,數(shù)安培的開關(guān)電流只會產(chǎn)生幾毫伏的瞬態(tài)電壓,從而使柵極驅(qū)動電壓幾乎保持不變。但是,寬帶隙 (WBG) 器件可在數(shù)納秒時間內(nèi)產(chǎn)生數(shù)十安培的開關(guān)電流,這樣每 nH 連接電感就會產(chǎn)生大約 2-5V 瞬態(tài)電壓。如果柵極驅(qū)動中增加了這種瞬態(tài)電壓,就會阻止 MOSFET 關(guān)斷,從而產(chǎn)生振鈴風(fēng)險,甚至?xí)?dǎo)致器件故障。

對于 Si MOSFET,可以在柵極關(guān)閉時施加加負(fù)電壓(或許為 -10V)以克服柵極電壓尖峰造成的偏壓降低。但這會導(dǎo)致更高的柵極驅(qū)動功耗,該功耗會隨總柵極驅(qū)動電壓波動一同變化。這一問題對于采用 SiC 或氮化鎵的 WBG 器件更為嚴(yán)重,因為此類器件只支持大約 -3V 的負(fù)驅(qū)動電壓。解決方案就是使用開爾文連接,以確保柵極驅(qū)動回路盡可能靠近 MOSFET 晶粒的源連接。盡管使用芯片級封裝比較容易實現(xiàn)這一點,但如果制造商想要使用 TO-247 封裝以獲得出色的散熱特性,則必須增加第 4 個引腳,以便進行開爾文連接(圖 2)。

39d3b310-fa4f-11ed-90ce-dac502259ad0.jpg

圖 2:TO-247 封裝的第 4 個引腳可提供至源極的開爾文連接

開關(guān)速度越快,效率越高

使用開爾文連接可控制引腳電感及其對柵極偏置電壓的潛在影響,讓寬帶隙器件以其真實的開關(guān)速度運行,無需使用柵極負(fù)電壓。這可以簡化驅(qū)動電路。效果非常明顯:當(dāng)UnitedSiC 的 SiC JFET 共源共柵使用三引腳封裝時,必須降低器件的速度才能保持其可靠性。而使用四引腳封裝以及開爾文連接時,電流壓擺率可超過5000 A/μs,從而實現(xiàn)更高效率,且不會影響柵極驅(qū)動信號

物理現(xiàn)象并非盡如人意,即使是采用 TO-247 封裝,也有需要處理的器件引腳電感。常用的處理方式是跨漏極-源極放置一個小型緩沖電路,以防止功率路徑中出現(xiàn)電壓過沖。我們還必須小心部署柵極驅(qū)動回路,以盡可能地減少回路中的電感,同時防止出現(xiàn)由主換向回路導(dǎo)致的外部磁場拾取問題。

哪種開爾文連接?

使用開爾文連接時還會遇到其他實際問題。如果柵極驅(qū)動回路的電壓為主系統(tǒng) 0V 電壓,也就是與電源地線連接,則可能難以成為開爾文連接至開關(guān)的共用點。如果電路為全橋,那么至少會有兩個低側(cè)器件,如果都采用開爾文連接,則應(yīng)將哪個連接至系統(tǒng) 0V?如果在器件源極引腳中使用電阻式電流感測,那么這個問題會變得更加復(fù)雜:如果開爾文連接的電壓為系統(tǒng) 0V 電壓,則電阻中的電壓將為負(fù)電壓。

解決這個問題的一個方法就是,通過光耦合器或變壓器來隔離柵極驅(qū)動,這也是任何高側(cè)驅(qū)動都需使用的辦法。如果此類隔離用于低側(cè),則可以靈活實現(xiàn)開爾文連接,與系統(tǒng) 0V 隔離(圖 3)。此外,使用變壓器意味著,設(shè)計人員可以根據(jù)需要生成關(guān)態(tài)柵極驅(qū)動負(fù)電壓,并且可以通過調(diào)整匝比將驅(qū)動正電壓調(diào)整至其最佳值。

39e9c538-fa4f-11ed-90ce-dac502259ad0.jpg

圖 3:隔離的變壓器柵極驅(qū)動

優(yōu)勢大于劣勢

使用開爾文接法連接帶引腳的寬帶隙器件還可使用 TO-247 封裝,從而具有出色的散熱性能。這使我們更接近于理想電氣開關(guān),并且實際上還可在較高功率水平下使用。


原文標(biāo)題:使用開爾文連接提高 SiC FET 的開關(guān)效率

文章出處:【微信公眾號:Qorvo半導(dǎo)體】歡迎添加關(guān)注!文章轉(zhuǎn)載請注明出處。


聲明:本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點僅代表作者本人,不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場。文章及其配圖僅供工程師學(xué)習(xí)之用,如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問題,請聯(lián)系本站處理。 舉報投訴
  • Qorvo
    +關(guān)注

    關(guān)注

    17

    文章

    730

    瀏覽量

    80569

原文標(biāo)題:使用開爾文連接提高 SiC FET 的開關(guān)效率

文章出處:【微信號:Qorvo_Inc,微信公眾號:Qorvo半導(dǎo)體】歡迎添加關(guān)注!文章轉(zhuǎn)載請注明出處。

收藏 人收藏
加入交流群
微信小助手二維碼

掃碼添加小助手

加入工程師交流群

    評論

    相關(guān)推薦
    熱點推薦

    探索SN74CBTH16211:24位FET總線開關(guān)的卓越性能

    探索SN74CBTH16211:24位FET總線開關(guān)的卓越性能 在電子設(shè)計的廣闊領(lǐng)域中,總線開關(guān)是實現(xiàn)高效信號傳輸和電路連接的關(guān)鍵組件。今天,我們將深入探討德州儀器(Texas
    的頭像 發(fā)表于 01-19 09:35 ?286次閱讀

    SN74CBTLV16210低電壓20位FET總線開關(guān):特性與應(yīng)用解析

    SN74CBTLV16210低電壓20位FET總線開關(guān):特性與應(yīng)用解析 在電子設(shè)計領(lǐng)域,總線開關(guān)是實現(xiàn)信號切換和傳輸?shù)年P(guān)鍵元件。今天我們要深入探討的是德州儀器(Texas Instruments
    的頭像 發(fā)表于 01-19 09:35 ?316次閱讀

    深入解析SN74CBTD16210 20位FET總線開關(guān):特性、應(yīng)用與設(shè)計考量

    深入解析SN74CBTD16210 20位FET總線開關(guān):特性、應(yīng)用與設(shè)計考量 在電子工程領(lǐng)域,總線開關(guān)是實現(xiàn)信號切換和電平轉(zhuǎn)換的關(guān)鍵組件。今天我們要詳細(xì)探討的是德州儀器(Texas
    的頭像 發(fā)表于 01-19 09:35 ?308次閱讀

    探索SN74CBTD3306雙FET總線開關(guān):特性、參數(shù)與應(yīng)用考量

    FET總線開關(guān),它有兩個獨立的線路開關(guān)。當(dāng)相關(guān)的輸出使能(OE)輸入為高電平時,開關(guān)會被禁用。芯片上集成了一個連接
    的頭像 發(fā)表于 01-19 09:35 ?279次閱讀

    三菱電機SiC MOSFET在工業(yè)電源中的應(yīng)用

    SiC器件具有低開關(guān)損耗,可以使用更小的散熱器,同時可以在更高開關(guān)頻率下運行,減小磁性元件體積。采用SiC器件的工業(yè)電源,可以實現(xiàn)高效率和高
    的頭像 發(fā)表于 12-02 11:28 ?3542次閱讀
    三菱電機<b class='flag-5'>SiC</b> MOSFET在工業(yè)電源中的應(yīng)用

    1200V-23mΩ SiC FET(UF4SC120023B7S):高性能功率開關(guān)的新選擇

    在電子工程師的日常工作中,選擇合適的功率開關(guān)器件至關(guān)重要。今天,我們要深入探討一款名為UF4SC120023B7S的1200V、23mΩ G4 SiC FET,看看它能為我們的設(shè)計帶來哪些驚喜。
    的頭像 發(fā)表于 12-02 11:19 ?808次閱讀
    1200V-23mΩ <b class='flag-5'>SiC</b> <b class='flag-5'>FET</b>(UF4SC120023B7S):高性能功率<b class='flag-5'>開關(guān)</b>的新選擇

    半導(dǎo)體“碳化硅(SiC) MOSFET柵極驅(qū)動”詳解

    開關(guān)損耗均有明顯減小。SiC MOSFET器件的使用,給實際系統(tǒng)效率的進一步提高,以及系統(tǒng)體積的進一步減小帶來了希望。尤其在光伏逆變與電池充電等對
    的頭像 發(fā)表于 11-05 08:22 ?8941次閱讀
    半導(dǎo)體“碳化硅(<b class='flag-5'>SiC</b>) MOSFET柵極驅(qū)動”詳解

    LMG3612 650V GaN功率FET技術(shù)解析與應(yīng)用指南

    FET導(dǎo)通電阻。內(nèi)部柵極驅(qū)動器可降低總柵極電感和GaN FET共源電感,從而提高開關(guān)性能,包括共模瞬態(tài)抗擾度 (CMTI)。LMG3612 GaN
    的頭像 發(fā)表于 08-13 15:13 ?1019次閱讀
    LMG3612 650V GaN功率<b class='flag-5'>FET</b>技術(shù)解析與應(yīng)用指南

    深愛半導(dǎo)體 代理 SIC213XBER / SIC214XBER 高性能單相IPM模塊

    SIC213XBER / SIC214XBER 全新高性能單相IPM模塊系列!我們以全新ESOP-9封裝與新一代技術(shù),賦能客戶在三大核心維度實現(xiàn)飛躍性提升:效率躍升、空間減負(fù)、成本優(yōu)化與可靠性保障
    發(fā)表于 07-23 14:36

    高精度PCB設(shè)計必修課:探秘四線制開爾文連接的原理與布局要點

    四線制電源接口結(jié)合開爾文連接,用于高精度供電和測量,消除導(dǎo)線電阻和接觸電阻的影響,適用于精密傳感器、ADC/DAC等場景。
    的頭像 發(fā)表于 07-22 14:19 ?2326次閱讀
    高精度PCB設(shè)計必修課:探秘四線制<b class='flag-5'>開爾文</b><b class='flag-5'>連接</b>的原理與布局要點

    浮思特 | SiC MOSFET 封裝散熱優(yōu)化與開爾文源極結(jié)構(gòu)

    本文探討了近期在碳化硅(SiC)MOSFET器件封裝與設(shè)計方面的進展,重點關(guān)注頂部冷卻封裝方案及其在提升熱性能、降低開關(guān)損耗方面的作用,以及開爾文源極連接結(jié)構(gòu)對高頻應(yīng)用
    的頭像 發(fā)表于 07-08 10:28 ?724次閱讀
    浮思特 | <b class='flag-5'>SiC</b> MOSFET 封裝散熱優(yōu)化與<b class='flag-5'>開爾文</b>源極結(jié)構(gòu)

    CYPD3177直接連接 VBUS_IN 而不使用 VBUS_FET_EN 負(fù)載開關(guān),會對我們的系統(tǒng)產(chǎn)生任何影響嗎?

    PD IC 是否可以通過 I2C 與處理器傳達(dá)電纜方向信息? 如果我們直接連接 VBUS_IN 而不使用 VBUS_FET_EN 負(fù)載開關(guān),會對我們的系統(tǒng)產(chǎn)生任何影響嗎?
    發(fā)表于 05-20 07:39

    SiC MOSFET 開關(guān)模塊RC緩沖吸收電路的參數(shù)優(yōu)化設(shè)計

    模塊壽命,提高系統(tǒng)的經(jīng)濟性。文獻 [12] 針對 IGBT 開關(guān)模塊的緩沖吸收電路進行了參數(shù)設(shè)計和研究,該電路比較復(fù)雜,文中沒有給出參數(shù)選取的優(yōu)化區(qū)間。由于 SiC-MOSFET開關(guān)
    發(fā)表于 04-23 11:25

    MDD快恢復(fù)二極管在開關(guān)電源中的應(yīng)用:如何提高轉(zhuǎn)換效率

    二極管(FRD)因其短反向恢復(fù)時間(trr)和低開關(guān)損耗,成為提升開關(guān)電源效率的關(guān)鍵元件。本文MDD將探討快恢復(fù)二極管在開關(guān)電源中的作用及如何優(yōu)化其應(yīng)用來
    的頭像 發(fā)表于 03-25 09:39 ?1027次閱讀
    MDD快恢復(fù)二極管在<b class='flag-5'>開關(guān)</b>電源中的應(yīng)用:如何<b class='flag-5'>提高</b>轉(zhuǎn)換<b class='flag-5'>效率</b>?

    CAB450M12XM3工業(yè)級SiC半橋功率模塊CREE

    175°C,確保在嚴(yán)苛的工業(yè)高溫條件下仍能穩(wěn)定高效運行。 先進MOSFET技術(shù):集成第三代SiC MOSFET,具備超低導(dǎo)通電阻(RDS(on))與出色的高頻開關(guān)特性,提升了整體效率。 集成溫度監(jiān)控
    發(fā)表于 03-17 09:59