美國鼓吹下，半導體設備大廠阿斯麥（ASML）母國荷蘭今夏有意擴大限制部分芯片制造設備出口范圍，日本也跟進，將對23種先進芯片制造技術實施出口限制措施，業界認為，此舉讓大陸晶圓代工廠發展先進制程無望，預料將全力猛攻成熟制程，聯電、世界、力積電等臺廠面臨更大的競爭壓力。

綜合外媒近期報導，荷蘭準備加大限制部分芯片制造設備出口到中國大陸，亦即艾司摩爾生產的機臺，從原先規范用于先進制程的極紫外光（EUV）設備，延伸到部分成熟制程用的深紫外光（DUV）設備，最快今年夏天揭露細節。

日本也傳出有意跟進擴大對陸銷售半導體設備的措施，包括東京威力科創（Tokyo Electron）在內的約十家日企，若要出口晶圓制造、晶圓清洗、沉積、回火（annealing）、微影、蝕刻和測試等設備時，必須先取得許可。

業界研判，隨著美、日、荷聯手擴大限制中國大陸取得關鍵半導體制造機臺，將使得大陸晶圓代工廠再也無法發展先進制程，只能藉由既有設備持續擴大成熟制程能量，透過良率提升、產能去瓶頸優化等方式爭取訂單，隨著陸企全力沖刺成熟制程發展，聯電、世界、力積電等臺廠競爭壓力更大。

因應陸企相關策略，臺灣晶圓代工廠積極出招因應。以聯電為例，主要鎖定車用領域，并強化特殊制程發展。

聯電先前在法說會上表態，即使主要終端市場需求疲弱，旗下車用和工業產品依持續成長，特別是車用業務首季營收貢獻達17%，在汽車電子化和自動駕駛驅動下，正向看待車用IC含量持續增加，車用產品將是公司未來重要營收來源和成長主動能，聯電會同步強化與關鍵車用客戶的長約合作。

力積電方面，為強化整合邏輯、記憶體代工獨特優勢，投入開發邏輯芯片與記憶體芯片垂直異質疊合（Hybrid Bonding）制程，適用于3D結構的超高頻寬DRAM，并與數家設計公司合作開發超高效能與超低能耗AI應用芯片。

世界先進部分，去年于8吋0.35微米650 V的新基底高電壓氮化鎵制程（GaN-on-QST），已在客戶端完成首批產品系統及可靠性驗證，正式進入量產，同時已和海內外整合元件廠（IDM）及IC設計公司展開合作。

臺灣晶圓代工廠投資不停歇

面對半導體庫存調整狀況不如預期與陸企發展成熟制程來勢洶洶，聯電、力積電等臺灣晶圓代工廠沉著應戰，購置設備的動作持續進行。聯電今年以來已斥資242.51億元添購新設備沖刺技術，新加坡擴廠也不停歇；力積電也持續向科林研發（Lam Research）等設備大廠購買設備強化競爭力。

業界指出，目前多數臺灣晶圓代工廠仍維持今年資本支出計畫不變，希望在市況低迷之際仍持續儲備能量，迎接景氣反轉。

以聯電為例，今年首季資本支出約9.98億美元，雖然季減14.33％，但仍較去年同期大增1.46倍。聯電預估，今年資本支出維持30億美元不變，其中九成用于12吋產能，其余用于8吋產能。隨著南科Fab 12A廠區新產能開出，本季晶圓產能估約263萬片8吋約當晶圓，季增4.12％，年增3.88％。

力積電方面，今年資本支出約18.9億美元，其中77%用于銅鑼新廠，20%用于銅鑼廠以外的12吋廠，3%用于8吋廠。至于銅鑼新廠最新進展，力積電規劃廠房潔凈室及廠務設施預估第3季中完成，并取得使用執照，年底應該可以完成8,500片試產線建置。

審核編輯 ：李倩