來源：《半導體芯科技》雜志

陜西光電子先導院先進光子器件工程創新平臺在西安全面啟用。該平臺具備光子芯片制程中的光刻、刻蝕、蒸鍍等多項核心工藝，將為光子產業項目提供產品研發、中試、檢測等全流程技術服務，為光子產業各類創新主體打通從產品研發到市場化批量供貨的完整鏈條。

據了解，先進光子器件工程創新平臺占地30畝，建有中試車間、中試大樓、綜合樓和動力站等研發和中試配套設施，總建筑面積約30000平方米，潔凈廠房3000平方米，一期專業設備100余臺（套），具備以GaAs（砷化鎵）、GaN（氮化鎵）為主線，圍繞6英寸化合物芯片工藝服務能力的柔性中試平臺，以技術服務與工程代工相結合的形式，為光子產業孵化項目提供產品研發、中試、檢測等全流程技術服務。

此外，該創新平臺將有效解決第三代化合物半導體芯片制造的外延生長與制程等關鍵問題，為光電芯片、功率器件、射頻器件等芯片設計企業、高校、科研院所提供外延生長、光刻、刻蝕、薄膜制備、清洗、減薄、拋光、劃片等芯片制造全流程服務。

光電子先導院稱，該平臺的啟用標志著陜西向打造具有全球影響力的光子產業生態高地的戰略目標又邁出了堅實的一步，將吸引更多光子產業創新要素匯聚陜西，培育一批具有先發優勢和全球競爭力的光子產業企業，推動光子產業向集群化、規模化、高產值化發展。目前，陜西光電子先導院已培育和聚集了近百家光子產業企業，入駐光電子領域企業30余家。

審核編輯：湯梓紅