4月26日，長電科技舉辦2023年第二期線上技術論壇，主題聚焦功率器件封裝及應用，與業界交流長電科技在這一領域的技術經驗與創新。

功率半導體器件目前廣泛應用于汽車、光伏和儲能、高性能計算、工業控制、智能家居等領域，但是不同領域應用的功率器件特點迥異，需要根據相應需求和產品特性選擇合適的半導體封裝技術，以提升器件性能和可靠性，降低成本，以滿足日益增長的市場需求。據芯謀研究不久前發布的報告顯示，2022年全球功率分立器件市場規模約317億美元，同比增長了19.2%。受益于新能源汽車等產業的高速發展，全球功率器件市場有望在未來幾年持續增長。

在本次論壇中，長電科技技術專家介紹，隨著新業態、新應用的興起，各類功率器件也越來越多樣化，包括典型的絕緣柵雙極型晶體管(IGBT)、氮化鎵(GaN)、碳化硅(SiC)等。對于不同形態的功率器件，兼具高效率、高可靠性和低成本等特點的半導體封裝技術在其制造過程中不可或缺。長電科技在功率器件封裝領域積累了數十年的技術經驗，具備全面的功率產品封裝外形、工藝門類，覆蓋IGBT, SiC，GaN等熱門產品的封裝和測試，在車用充電樁等領域已經實現第三代半導體器件成品制造的量產出貨。

為了更好地滿足客戶定制化、多樣化的需求，長電科技近年來不斷提升工藝及設計解決方案，推出創新產品。隨著電力電子朝著高效、高功率、高密度的方向發展，長電科技優化了多功能集成封裝技術，滿足器件模塊的多功能集成；通過材料特性的評估和工藝創新，公司掌握了高效劃片，高耐壓結構設計，散熱等關鍵核心技術能力。

例如，長電科技開發的無引線表面貼裝(TOLL)封裝技術，較傳統D2PAK布局縮減30%占板面積和50%高度，熱阻更小且散熱效率更高；同時，提供更大的錫接觸面積，有效減少電遷移，提升產品可靠性。長電科技還開發了多種內部互連工藝，支持電流可達300A。這一技術非常適用于空間有限的應用場景，滿足高安全性、高可靠性的大功率應用需求。

公司開發的DrMos(Driver+MOSFET)封裝工藝，將傳統MOSFET供電中分離的兩組MOS管和驅動IC，以更加先進的制程集成在一起，由此封裝的DrMOS面積僅為分離MOSFET的1/4，功率密度卻達到分離MOSFET的三倍，增加了超電壓和超頻的潛力，并優化系統性能和成本。同時，產品具備更好的散熱性能和可靠性，以及低導通電阻，低寄生電容等優勢。這一技術可應用于高性能計算、AI大模型等對算力提出苛刻要求的新興應用領域。

長電科技技術專家進一步介紹，面向高速增長的汽車電子市場，公司完備、可靠的工藝解決方案，覆蓋功率器件、IC及模組封裝，并能滿足雷達、傳感器、車載信息娛樂系統、輔助駕駛系統、電源控制系統等應用場景。在太陽能光伏及儲能等市場，封裝技術與服務覆蓋微型逆變器(Micro-inverter)、混合式逆變器(Hybrid-inverter)、串式逆變器(String-inverter)、集中式逆變器(Central-inverter)等產品需求。

此外，智能化汽車、光伏儲能等業態發展到今天，產業鏈上下游已經不僅僅是供應商的關系，相互之間需要有更多的協同與配合。長電科技將更加緊密的聚焦客戶需求，推進以智能化解決方案為核心的產品技術開發，為客戶提供更加高效、可靠，更具成本優勢的產品與服務。

審核編輯：湯梓紅