4月18日,長電科技董事、首席執(zhí)行長鄭力出席第25屆中國集成電路制造年會(huì)暨供應(yīng)鏈創(chuàng)新發(fā)展大會(huì)(CICD)高峰論壇,并發(fā)表題為《高性能封裝承載集成電路成品制造技術(shù)持續(xù)創(chuàng)新》的主題演講。

鄭力表示,以異構(gòu)異質(zhì)為主要特征,由應(yīng)用驅(qū)動(dòng)技術(shù)發(fā)展的高性能封裝技術(shù),將引領(lǐng)摩爾定律走向新的篇章。

高性能封裝重塑集成電路產(chǎn)業(yè)鏈

在戈登·摩爾于1965年提出“摩爾定律”的署名文章中,不僅提出了對(duì)晶體管數(shù)目指數(shù)增長的預(yù)測(cè),也預(yù)測(cè)了可以用小芯片封裝組成大系統(tǒng)的集成電路未來技術(shù)發(fā)展方向。“基于微系統(tǒng)集成的高性能封裝原本就是摩爾定律的重要內(nèi)容,”鄭力在演講中指出,芯片成品制造發(fā)展到高性能封裝這個(gè)階段,意味著后道成品制造成為集成電路制造產(chǎn)業(yè)鏈中承上啟下的核心環(huán)節(jié)。

對(duì)于產(chǎn)業(yè)來說,隨著集成電路性能增長方式從晶體管微縮演進(jìn)至由系統(tǒng)集成驅(qū)動(dòng),未來集成電路高性能的持續(xù)演進(jìn)將更依賴于微系統(tǒng)集成技術(shù)。Chiplet 架構(gòu)下的2.5D/3D 封裝和高密度SiP 封裝是摩爾定律向前發(fā)展的必經(jīng)之路,也將成為下一代先進(jìn)封裝技術(shù)的必備項(xiàng)和必選項(xiàng)。

同時(shí),異質(zhì)集成和小芯片也推動(dòng)了設(shè)計(jì)方法變革,STCO(系統(tǒng)/技術(shù)協(xié)同優(yōu)化)成為重要方向,代表了芯片開發(fā)核心從器件集成走向微系統(tǒng)集成的分水嶺。STCO通過系統(tǒng)層面功能分割及再集成,以先進(jìn)高性能封裝為載體,通過芯片、封裝、系統(tǒng)協(xié)同優(yōu)化實(shí)現(xiàn)半導(dǎo)體集成電路性能的增長。

應(yīng)用驅(qū)動(dòng)高性能封裝技術(shù)創(chuàng)新

芯片制造步入高性能封裝后,典型應(yīng)用對(duì)于技術(shù)發(fā)展的作用愈發(fā)顯著。鄭力在演講中指出,在高性能封裝主導(dǎo)的未來,不同應(yīng)用將對(duì)芯片和器件成品提出差異性要求。以應(yīng)用驅(qū)動(dòng)提供芯片成品制造服務(wù),既可以促進(jìn)封裝技術(shù)發(fā)展和產(chǎn)業(yè)效率提升,還能促進(jìn)成熟技術(shù)反哺更多應(yīng)用領(lǐng)域。

例如近年來,以手機(jī)為代表的移動(dòng)設(shè)備市場(chǎng)推動(dòng)高性能SiP技術(shù)發(fā)展,進(jìn)而促進(jìn)SiP在其它領(lǐng)域的應(yīng)用;大型高性能計(jì)算平臺(tái)促進(jìn)了光電合封(CPO)的應(yīng)用,帶來更多領(lǐng)域中的芯片性能優(yōu)化的可能,都印證了典型應(yīng)用對(duì)于高性能封裝的推動(dòng)效應(yīng)。

在高性能封裝領(lǐng)域,長電科技近年來投入了大量資源,并面向高性能計(jì)算等領(lǐng)域推出了Chiplet高性能封裝技術(shù)平臺(tái)XDFOI。目前XDFOI的2.5D RDL高性能封裝已實(shí)現(xiàn)穩(wěn)定量產(chǎn),同時(shí)長電科技也在硅轉(zhuǎn)接板、橋接及Hybrid-bonding進(jìn)行技術(shù)布局。

鄭力表示,高性能封裝承載了芯片成品制造技術(shù)的持續(xù)創(chuàng)新方向,將重塑集成電路產(chǎn)業(yè)發(fā)展模式。長電科技在推進(jìn)技術(shù)產(chǎn)研發(fā)的同時(shí),也將不斷深化產(chǎn)業(yè)鏈協(xié)同的實(shí)踐探索,使高性能封裝為整個(gè)產(chǎn)業(yè)的發(fā)展創(chuàng)造更大價(jià)值。

審核編輯黃宇