電鍍又稱電沉積，是一種功能性金屬薄膜的制備方法。電鍍本質上屬于種電化學還原過程，即借助外電 場提供的電子，在所需的基材上將水溶液中的金屬離子還原成原子態金屬，并通過控制溶液中的金屬離子種類、存在形態、濃度、微量添加劑，以及溫度、電流密度、酸堿度、攪拌程度等，來調控沉積金屬的結晶形態、晶體取向、晶粒大小、表面平整度及金屬成分等，最終獲得所需要的具備特殊功能的金屬薄膜。

由于電鍍是以金屬薄膜制備為主，因此，在電子封裝中主要涉及各種金屬布線、焊盤、凸點，接插件中的電接觸鍍層等的制備。

電鍍具有以下優勢：配合各種光刻、掩模技術，可實現高密度、高精度金屬薄膜或線路制造；與物理/化學等氣相沉積技術相比，電鎮設備投資少、工藝簡單，可實現大規模低成本工業化制造；通過金屬種類的選擇和多層組合，可實現各種特殊功能，滿足產品需求。

在電子封裝中，電鍍工藝是必不可少的。針對不同的封裝，電鍍的加工精度和功能要求有所不同。

在傳統的引線框型（如 DIP、QFP、QFN、SOP、SON 等）封裝中，鍍銅、鑊銀、鍍鎳、鑊鈀和鑊金 主要用于銅或鐵鎳合金引線框架表面的處理，其目的是保證框架表面的可焊性、鍵合性和防護性。為了降低成本，貴金屬電鍍多采用局部電鍍。

球珊陣列型（如 BGA、FC-BGA 等）封裝所用到的有機封裝基板內部銅布線及Flip Chip表面再布線（RDL)，生采用化學鑊銅與電鍍銅相結合的辦法來完成。表面的焊盤多需要鍍鎳打底，表面再鍍銀、鍍金或鎮錫，線寬一般在5~50μm 范圍內。

在圓片級封裝（WIP）中，除了表面再布線（RDL） 用到鍍銅、鍍鎳或鍍金，對于焊點密度較高的產品，焊接凸點（Bump）也是通過電鍍制作的，包括掩模鍍銅柱、鍍錫或鍍錫合金凸點。RDL 線寬一般為 1~25μm，Bump 高度可達 200μm。

隨著電 子封裝技術與產業的發展，電鍍在高密度制造、高精度制造和低成本制造方面將會發揮越來越大的作用。

審核編輯：劉清