兩家公司預展第十代3D閃存技術，為性能、能效和位密度設立新標準

舊金山, 國際固態電路會議（ISSCC）——鎧俠株式會社與閃迪公司聯合發布一項尖端3D閃存技術，憑借4.8Gb/s NAND接口速度、卓越的能效以及更高的位密度，樹立了行業新標準。

兩家公司在2025年國際固態電路會議上展示了這項3D閃存創新技術，它與公司突破性的CBA（CMOS directly Bonded to Array，外圍電路直接鍵合到存儲陣列）技術1相結合，采用最新的NAND閃存接口標準Toggle DDR6.0以及SCA（獨立命令地址）協議2（一種全新的接口命令地址輸入方式），同時還整合了PI-LTT（電源隔離低抽頭終端）技術3（在進一步降低功耗方面發揮了關鍵作用）。

基于此獨有的高速技術優勢，兩家公司的新一代3D閃存較目前量產的第八代產品（BiCSFLASH? generation8）實現了33%的NAND接口速度提升，達到4.8Gb/s。此外，該技術也顯著提升了數據輸入/輸出的能效，輸入功耗降低10%，輸出功耗降低34%，成功實現了高性能與低功耗的最優平衡。兩家公司預展第十代3D閃存（BiCSFLASH? generation10）技術時介紹，通過將存儲層數增至332層并優化晶圓平面布局以提高平面密度，使位密度提升了59%。

鎧俠首席技術官宮島英史表示：“隨著人工智能技術的普及，預計產生的數據量將顯著增加，同時現代數據中心對能效提升的需求也在增長。鎧俠深信，這項新技術將實現更大容量、更高速度和更低功耗的產品，包括用于未來存儲解決方案的SSD產品，并為人工智能的發展奠定基礎。”

閃迪公司全球戰略與技術高級副總裁Alper Ilkbahar表示：“隨著人工智能的進步，客戶對存儲器的需求日益多樣化。我們通過CBA技術創新，致力于推出在容量、速度、性能和資本效率方面達到最佳組合的產品，以滿足各細分市場客戶的需求。”

鎧俠和閃迪還分享了即將推出的第九代3D閃存（BiCSFLASH? generation9）計劃。通過其獨特的CBA技術，兩家公司能夠將新的CMOS技術與現有的存儲單元技術相結合，從而提供資本效率高、性能優異且功耗低的產品。兩家公司將繼續致力于開發前沿閃存技術，提供定制化解決方案以滿足客戶需求，并為數字社會的發展做出貢獻。

關于鎧俠

鎧俠是全球存儲器解決方案領導者，致力于開發、生產和銷售閃存及固態硬盤（SSD）。東芝公司于1987年發明了NAND閃存， 在2017年4月鎧俠前身東芝存儲器集團從東芝公司剝離。鎧俠致力于通過提供產品、服務和系統，為客戶創造選擇并為社會創造基于記憶的價值，以“記憶”提升世界。鎧俠的創新 3D 閃存技術 BiCS FLASH?，正在塑造諸多高密度應用的未來存儲方式，其中包括高級智能手機、PC、SSD、汽車、數據中心和生成式AI系統。

關于閃迪

閃迪致力于提供創新的閃存解決方案和先進的存儲技術，滿足個人和企業用戶的關鍵需求，助力他們突破創新邊界，成就更多可能。閃迪公司是西部數據（納斯達克股票代碼：WDC）的全資子公司。關注閃迪官方社交媒體：Instagram、Facebook、X、LinkedIn、Youtube。在Instagram上加入TeamSandisk。

注：

(1)CMOS晶圓和單元儲存陣列晶圓都在更優的條件下單獨制造然后鍵合在一起的技術。

(2)將命令/地址輸入總線與數據傳輸總線完全分離并實現并行運行的技術，可減少數據輸入/輸出所需時間。

(3)在NAND接口電源中同時使用現有1.2V電源和額外低壓電源的技術，可降低數據輸入/輸出過程中的功耗。

* 1Gbps按1,000,000,000 bits/s計算。該數值是在鎧俠株式會社的特定測試環境中獲得，可能會因用戶環境的不同而改變。

* 所有公司名稱、產品名稱和服務名稱可能是其各自公司的商標。