国产精品久久久aaaa,日日干夜夜操天天插,亚洲乱熟女香蕉一区二区三区少妇,99精品国产高清一区二区三区,国产成人精品一区二区色戒,久久久国产精品成人免费,亚洲精品毛片久久久久,99久久婷婷国产综合精品电影,国产一区二区三区任你鲁

0
  • 聊天消息
  • 系統(tǒng)消息
  • 評論與回復(fù)
登錄后你可以
  • 下載海量資料
  • 學(xué)習(xí)在線課程
  • 觀看技術(shù)視頻
  • 寫文章/發(fā)帖/加入社區(qū)
會員中心
創(chuàng)作中心

完善資料讓更多小伙伴認(rèn)識你,還能領(lǐng)取20積分哦,立即完善>

3天內(nèi)不再提示

一種穩(wěn)定的開放(001)晶面的LTSO材料制備方法

鴻之微 ? 來源:材料科學(xué)與工程 ? 2023-04-01 17:27 ? 次閱讀
加入交流群
微信小助手二維碼

掃碼添加小助手

加入工程師交流群

導(dǎo)讀:本文通過結(jié)構(gòu)設(shè)計、暴露特定晶面、TiO2和炭層同時包覆改性,大大提高了Li2TiSiO5(LTSO)材料的電化學(xué)性能。通過原位XRD和第一性原理計算作者還對反應(yīng)的具體過程進(jìn)行了分析表征,為后續(xù)LTSO材料的研發(fā)和商業(yè)應(yīng)用提供了參考和指導(dǎo)。

鈦基材料用作鋰離子電池負(fù)極材料時具有體積膨脹很小、循環(huán)性能穩(wěn)定的優(yōu)點(diǎn),被認(rèn)為有望代替石墨成為下一代鋰電池的負(fù)極材料。但它一直存在放電平臺電壓過高和理論容量較低兩大問題,嚴(yán)重的制約了其進(jìn)一步的發(fā)展。 近日,北京工業(yè)大學(xué)的尉海軍教授及其團(tuán)隊選擇放電平臺較低的LTSO材料為對象,并通過炭材料和TiO2同時選擇性修飾,成功提高了LTSO材料的穩(wěn)定性。

此外,作者還對反應(yīng)中材料的結(jié)構(gòu)可逆性和鋰離子擴(kuò)散模式進(jìn)行了表征分析,為后續(xù)人們理解并繼續(xù)改性LTSO材料提供了寶貴參考。相關(guān)論文以題為“TiO2 Nanocrystal-Framed Li2TiSiO5 Platelets for Low-Voltage Lithium Battery Anode”在Advanced Functional Materials上發(fā)表。

隨著人們對鋰離子電池的要求提升,各種新型負(fù)極材料相繼被報道。但是這些新體系均存在著自身缺點(diǎn),需要進(jìn)一步對材料的結(jié)構(gòu)進(jìn)行改性;對多個性能進(jìn)行平衡。其中,鈦基氧化物材料已經(jīng)被大量報導(dǎo)并應(yīng)用與鋰離子電池負(fù)極。但商用的Li4Ti5O12材料雖然穩(wěn)定且安全性高,但容量太低、放電電壓過高,很明顯無法躋身成為下一代負(fù)極材料候選人。而LTSO材料的可逆容量高達(dá)240 mAh g-1,放電電壓約為0.5 V,這相較于Li4Ti5O12或者石墨負(fù)極各方面平衡性更為理想,如何對LTOS進(jìn)行進(jìn)一步結(jié)構(gòu)優(yōu)化因此也成為了儲能領(lǐng)域的一個重要課題。

本文作者針對上述問題,提出了一種穩(wěn)定的開放(001)晶面的LTSO材料制備方法。并通過兩步水熱法,在LTSO晶體上原位包裹TiO2和炭材料,形成類似“相框”的結(jié)構(gòu)。電化學(xué)測試結(jié)果表明,通過引入TiO2,大大提高了LTSO的容量和循環(huán)穩(wěn)定性。所制備的樣品在比容量可超過300 mA h g-1,并且即使在1000次循環(huán)后比容量保持率約為66%。優(yōu)異的電化學(xué)性能主要得益于TiO2本身就可以儲鋰,并可以加快Li+的擴(kuò)散轉(zhuǎn)移、增加材料的贗電容儲鋰效應(yīng)。通過原位的XRD和非原位透射電鏡發(fā)現(xiàn)電極在循環(huán)過程中基本不發(fā)生晶體結(jié)構(gòu)改變,顯示出極佳的穩(wěn)定性。

此外,DFT計算也證明了樣品晶體結(jié)構(gòu)的設(shè)計和選擇性暴露特定晶面對電化學(xué)性能的重要作用。 總的來說,作者利用簡單的合成方法,制備了選擇性的暴露LTSO材料的特定晶面、具有TiO2和炭層的獨(dú)特負(fù)極材料,協(xié)同提高了材料的整體容量和循環(huán)穩(wěn)定性。并通過原位XRD和第一性原理計算等多重手段對造成良好電化學(xué)性能的原因和機(jī)理進(jìn)行了分析證明。該結(jié)果大大提高了LTSO商業(yè)應(yīng)用的可能性,并為后續(xù)鈦基電極材料的結(jié)構(gòu)設(shè)計提供了理論指導(dǎo)。(文:Today)

bc6de614-cfc1-11ed-bfe3-dac502259ad0.jpg

圖1 (a) 不同負(fù)極材料的容量和放電電位示意圖;(b) 三種電極材料的充放電曲線;(c) LTSO的XRD圖和結(jié)構(gòu)模型。

bc87ba62-cfc1-11ed-bfe3-dac502259ad0.jpg

圖2 (a)-(c) LTSO單晶的透射圖;(d)-(m) T@L5(700) 的透射圖片和各元素隨邊緣到中心得分布變化圖。

bca2f50c-cfc1-11ed-bfe3-dac502259ad0.jpg

圖3不同水熱時間和煅燒溫度下的晶體結(jié)構(gòu)變化和相變化分析。

bcbeb238-cfc1-11ed-bfe3-dac502259ad0.jpg

圖4電化學(xué)性能測試結(jié)果。

bce6ce4e-cfc1-11ed-bfe3-dac502259ad0.jpg

圖5 原位XRD測試和第一性原理計算結(jié)果。






審核編輯:劉清

聲明:本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點(diǎn)僅代表作者本人,不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場。文章及其配圖僅供工程師學(xué)習(xí)之用,如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問題,請聯(lián)系本站處理。 舉報投訴
  • 鋰離子電池
    +關(guān)注

    關(guān)注

    85

    文章

    3543

    瀏覽量

    80813
  • DFT
    DFT
    +關(guān)注

    關(guān)注

    2

    文章

    237

    瀏覽量

    24043
  • XRD
    XRD
    +關(guān)注

    關(guān)注

    0

    文章

    133

    瀏覽量

    10652

原文標(biāo)題:文章轉(zhuǎn)載丨北工大《AFM》特定晶面選擇性修飾,獲得高性能鋰電負(fù)極材料

文章出處:【微信號:hzwtech,微信公眾號:鴻之微】歡迎添加關(guān)注!文章轉(zhuǎn)載請注明出處。

收藏 人收藏
加入交流群
微信小助手二維碼

掃碼添加小助手

加入工程師交流群

    評論

    相關(guān)推薦
    熱點(diǎn)推薦

    漢思新材料:MiniLED金線包封膠及其制備方法專利解析

    隨著MiniLED技術(shù)在高端顯示、智能車載等領(lǐng)域的快速滲透,封裝環(huán)節(jié)的可靠性與性能優(yōu)化成為產(chǎn)業(yè)升級的關(guān)鍵突破口。東莞市漢思新材料科技有限公司(以下簡稱“漢思新材料”)申請的“一種用于MiniLED
    的頭像 發(fā)表于 01-09 11:01 ?299次閱讀
    漢思新<b class='flag-5'>材料</b>:MiniLED金線包封膠及其<b class='flag-5'>制備</b><b class='flag-5'>方法</b>專利解析

    漢思新材料獲得芯片底部填充膠及其制備方法的專利

    漢思新材料獲得芯片底部填充膠及其制備方法的專利漢思新材料已獲得芯片底部填充膠及其制備方法的專利,
    的頭像 發(fā)表于 11-07 15:19 ?563次閱讀
    漢思新<b class='flag-5'>材料</b>獲得芯片底部填充膠及其<b class='flag-5'>制備</b><b class='flag-5'>方法</b>的專利

    漢思新材料取得一種無析出物單組份環(huán)氧膠粘劑及其制備方法的專利

    深圳市漢思新材料科技有限公司近期申請了項關(guān)于“無析出物單組份環(huán)氧膠粘劑及其制備方法與應(yīng)用”的發(fā)明專利(申請?zhí)枺篊N202410151974.3,公開號:CN118064087A)。技
    的頭像 發(fā)表于 10-17 11:31 ?1325次閱讀
    漢思新<b class='flag-5'>材料</b>取得<b class='flag-5'>一種</b>無析出物單組份環(huán)氧膠粘劑及其<b class='flag-5'>制備</b><b class='flag-5'>方法</b>的專利

    革新科研智造,引領(lǐng)材料未來——高通量智能科研制備工作站

    、氣萃結(jié)晶、真空閃蒸及退火等多功能工藝模塊。實(shí)現(xiàn)了從材料制備到處理的全流程自動化運(yùn)行,顯著減少人為誤差,提高實(shí)驗(yàn)的致性和可重復(fù)性。 靈活可擴(kuò)展,助力多領(lǐng)域創(chuàng)新 工作站支持模塊化自由組合,可根據(jù)光伏
    發(fā)表于 09-27 14:17

    漢思新材料取得一種系統(tǒng)級封裝用封裝膠及其制備方法的專利

    漢思新材料(深圳市漢思新材料科技有限公司)于2023年公開了項針對系統(tǒng)級封裝(SiP)的專用封裝膠及其制備方法的專利(申請?zhí)枺?02310
    的頭像 發(fā)表于 08-08 15:10 ?1056次閱讀
    漢思新<b class='flag-5'>材料</b>取得<b class='flag-5'>一種</b>系統(tǒng)級封裝用封裝膠及其<b class='flag-5'>制備</b><b class='flag-5'>方法</b>的專利

    基于碳納米材料的TPU導(dǎo)電長絲制備與性能研究

    HS-TGA-103熱重分析儀(TG、TGA)是在升溫、恒溫或降溫過程中,觀察樣品的質(zhì)量隨溫度或時間的變化,目的是研究材料的熱穩(wěn)定性和組份。廣泛應(yīng)用于塑料、橡膠、涂料、藥品、催化劑、無機(jī)材料
    的頭像 發(fā)表于 07-11 10:21 ?510次閱讀
    基于碳納米<b class='flag-5'>材料</b>的TPU導(dǎo)電長絲<b class='flag-5'>制備</b>與性能研究

    GOA電路及液晶面板激光修復(fù)方法

    GOA(Gate On Array)電路憑借將柵極驅(qū)動電路集成于液晶面板基板的特性,有效簡化了液晶面板結(jié)構(gòu),在降低成本、提升集成度方面發(fā)揮重要作用。然而,在生產(chǎn)和使用過程中,GOA 電路及液晶面板不可避免會出現(xiàn)故障,因此,研究高
    的頭像 發(fā)表于 07-02 17:35 ?873次閱讀

    漢思新材料取得一種PCB板封裝膠及其制備方法的專利

    漢思新材料取得一種PCB板封裝膠及其制備方法的專利漢思新材料(深圳市漢思新材料科技有限公司)于2
    的頭像 發(fā)表于 06-27 14:30 ?744次閱讀
    漢思新<b class='flag-5'>材料</b>取得<b class='flag-5'>一種</b>PCB板封裝膠及其<b class='flag-5'>制備</b><b class='flag-5'>方法</b>的專利

    淺談半導(dǎo)體薄膜制備方法

    本文簡單介紹下半導(dǎo)體鍍膜的相關(guān)知識,基礎(chǔ)的薄膜制備方法包含熱蒸發(fā)和濺射法兩類。
    的頭像 發(fā)表于 06-26 14:03 ?1579次閱讀
    淺談半導(dǎo)體薄膜<b class='flag-5'>制備</b><b class='flag-5'>方法</b>

    分子束外延技術(shù)的原理及制備過程

    高質(zhì)量的材料制備切器件研究的核心與基礎(chǔ),本篇文章主要講述MBE的原理及制備過程?
    的頭像 發(fā)表于 06-17 15:05 ?1509次閱讀
    分子束外延技術(shù)的原理及<b class='flag-5'>制備</b>過程

    合金電阻穩(wěn)定性優(yōu)于其他材料的深度解析

    合金電阻作為一種采用特殊合金材料制成的電阻器件,以其卓越的穩(wěn)定性在眾多應(yīng)用中脫穎而出。本文將從材料特性、制造工藝以及應(yīng)用場景三個方面,深入解析合金電阻
    的頭像 發(fā)表于 06-05 15:02 ?857次閱讀

    氮氧化鎵材料的基本性質(zhì)和制備方法

    氮氧化鎵(Gallium Oxynitride,GaOxNy)是一種介于晶態(tài)與非晶態(tài)之間的化合物。其物化性質(zhì)可通過調(diào)控制備條件在氮化鎵(GaN)與氧化鎵(Ga2O3)之間連續(xù)調(diào)整,兼具寬禁帶半導(dǎo)體特性與靈活的功能可設(shè)計性,因此在功率電子、紫外光電器件及光電催化等領(lǐng)域展現(xiàn)出
    的頭像 發(fā)表于 05-23 16:33 ?1674次閱讀
    氮氧化鎵<b class='flag-5'>材料</b>的基本性質(zhì)和<b class='flag-5'>制備</b><b class='flag-5'>方法</b>

    漢思新材料取得一種封裝芯片高可靠底部填充膠及其制備方法的專利

    漢思新材料取得一種封裝芯片高可靠底部填充膠及其制備方法的專利2025年4月30日消息,國家知識產(chǎn)權(quán)局信息顯示,深圳市漢思新材料科技有限公司取
    的頭像 發(fā)表于 04-30 15:54 ?1089次閱讀
    漢思新<b class='flag-5'>材料</b>取得<b class='flag-5'>一種</b>封裝芯片高可靠底部填充膠及其<b class='flag-5'>制備</b><b class='flag-5'>方法</b>的專利

    LPCVD方法在多晶硅制備中的優(yōu)勢與挑戰(zhàn)

    本文圍繞單晶硅、多晶硅與非晶硅三形態(tài)的結(jié)構(gòu)特征、沉積技術(shù)及其工藝參數(shù)展開介紹,重點(diǎn)解析LPCVD方法在多晶硅制備中的優(yōu)勢與挑戰(zhàn),并結(jié)合不同工藝條件對材料性能的影響,幫助讀者深入理解硅
    的頭像 發(fā)表于 04-09 16:19 ?2377次閱讀
    LPCVD<b class='flag-5'>方法</b>在多晶硅<b class='flag-5'>制備</b>中的優(yōu)勢與挑戰(zhàn)

    奕葉探針臺助力制備2D材料堆疊異質(zhì)結(jié)

    hBN-Graphene-hBN是一種由六方氮化硼和石墨烯交替堆疊形成的范德華異質(zhì)結(jié)結(jié)構(gòu)。這種結(jié)構(gòu)制備方法分為機(jī)械剝離法和化學(xué)氣相沉淀法。其中化學(xué)氣相沉淀法就需要高溫和特定的環(huán)境。奕葉探針臺高溫系統(tǒng)
    的頭像 發(fā)表于 03-12 14:41 ?1119次閱讀
    奕葉探針臺助力<b class='flag-5'>制備</b>2D<b class='flag-5'>材料</b>堆疊異質(zhì)結(jié)