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為什么要在汽車PTC模塊中用低側驅動器IC替換分立式柵極驅動器

星星科技指導員 ? 來源:TI ? 作者:TI ? 2023-03-20 10:29 ? 次閱讀
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在混合動力汽車/電動汽車(HEV/EV)中,發動機并不會被用來運行加熱和冷卻系統,這與內燃機(ICE)汽車情況不同。我們使用兩個關鍵系統來替代這一功能:使用BLDC電機驅動空調壓縮機,使用正溫度系數 (PTC) 加熱器來加熱冷卻劑。

PTC加熱器依靠高壓電池來運行,需要幾千瓦的功率。圖1顯示了由低側MOSFET/IGBT電源開關驅動的典型PTC加熱器方框圖。

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圖1:汽車內部加熱器模塊的方框圖

過去,使用雙極結型晶體管(BJT)圖騰柱驅動低側配置中的電源開關。但是,由于柵極驅動器IC的諸多優勢及其附加特性,它日益取代了這些分立式解決方案。圖2顯示了典型BJT圖騰柱配置與典型柵極驅動器IC。

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圖 2:BJT圖騰柱(左)與柵極驅動器芯片UCC27517A-Q1(右)

分立式電路的一個顯著缺點是它不提供保護,而柵極驅動器IC集成了對于確保可預測和穩定的柵極驅動非常重要的功能。UCC27517A-Q1 符合汽車級 AEC-Q100 標準,內置欠壓鎖定 (UVLO) 功能。這個集成功能會鉗制UCC27517A-Q1的輸出,從而防止開關及其輸出端的MOSFET上出現漏源極電壓。電源電壓達到UVLO上升閾值之后,驅動器可以向電源開關提供電流

相比之下,BJT圖騰柱允許MOSFET產生壓降,但漏極電流會顯著上升。電流上升會導致功耗過大,并可能損壞MOSFET。

圖3顯示了在3.3V啟動時兩個MOSFET的熱感圖像。左側是由UCC27517A-Q1驅動的MOSFET,右側是由BJT圖騰柱驅動的MOSFET。由于BJT圖騰柱未集成UVLO,所以會因功耗增加而使MOSFET過熱

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圖3:UCC27517A-Q1驅動的MOSFET(左)和BJT圖騰柱驅動的MOSFET(右)在3.3V啟動時的熱感圖像

分立式BJT圖騰柱電路中可增加外部UVLO電路,但這會進一步增加元件數,從而導致電路板尺寸更大和BOM成本更高。與分立式柵極驅動方案相比,柵極驅動器IC(例如,UCC27517A-Q1)需要的元件更少,并且占用更少的PCB空間。圖4突出顯示了UCC27517A-Q1的PCB布局(左)與分立式低側柵極驅動器的PCB布局(右)。

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圖4:UCC27517A-Q1的PCB布局(左)與分立式低側柵極驅動器的PCB布局(右)

UCC27517A-Q1布局由五個元件組成,而BJT圖騰柱布局由10個元件組成。與分立式布局相比,柵極驅動器IC布局可以減少大約65%的面積。具有更少元件的更小總體布局使用的PCB空間更小,從而可降低成本和提高功率密度。

對于多通道解決方案,UCC27524A-Q1 是一個雙通道、低側驅動器,可用于驅動多個電源開關。

審核編輯:郭婷

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