據EDN電子技術設計了解， TechInsights日前報道稱表示，在包括EUV在內的下一代光刻技術方面，臺積電擁有的專利數量遠超三星電子，臺積電擁有 448 項專利，其競爭對手三星電子275項，臺積電多約 170 項。

涉及EUV的主要公司包括全球唯一的EUV光刻設備制造商ASML、ASML主要合作伙伴的光學公司卡爾蔡司，以及通過EUV工藝制造半導體的臺積電和三星電子。

目前，這四家公司的EUV光刻專利的總數為1114件。其中，卡爾蔡司（353例）和ASML（345例）占據了相當大的比例。臺積電在晶圓代工界排名第一，也擁有279項專利。三星電子記錄了 137 起相關專利，是其主要競爭對手臺積電的一半。

盡管 EUV 正朝著全面商業化的方向發展，并受到半導體行業的廣泛關注，但半導體生產商對 NIL（納米壓印）和 DSA（引導自組裝）等替代技術的研究和開發也很積極。這是因為EUV設備價格非常昂貴，且供應鏈也很有限。

在 NIL 中，將光刻膠 （PR） 涂在晶圓上，然后壓上印有特定圖案的印模以形成電路。因為它不使用鏡頭，所以可以以比現有曝光工藝更低的成本實現精細工藝。DSA是一種使用化學材料形成圖案的方法，與現有的曝光工藝相比，這也有利于降低成本。但是NIL和DSA由于不滿足缺陷控制等可靠性要求，目前還處于研發階段。

佳能擁有的NIL光刻技術專利數量為913件，無人能及。臺積電和三星電子分別擁有145項和70項專利。但在DSA光刻專利方面，三星電子擁有68項專利，領先于臺積電的24項專利。

TechInsights表示，“臺積電是領先的先進光刻技術研發代工廠，在EUV上投入最多，但在NIL和DSA上也非常重視。雖然與臺積電相比有差距，但積極爭取專利。”

與此同時，北美的主要半導體公司，如英特爾、IBM、Global Foundry，專利持有量均在前10名之外。

值得一提的是，我國中科院積極投入EUV相關技術開發，因此數據顯示中科院EUV/NIL/DSA專利數量直到最近一直在持續增加。

審核編輯 ：李倩