研究非均相電催化劑的局部電催化活性，對于理解電催化反應并進一步提高其性能至關重要。

然而，由于缺乏原位成像技術和以原子精度調整結構的方法，將電催化活性與二維（2D）電催化劑的微觀結構相關聯仍然面臨巨大的挑戰。

基于此，中國科學技術大學劉賢偉教授（通訊作者）等報道了利用等離子體成像技術原位探測2D材料的層依賴性電催化活性的一般方法。

該方法用于可視化單個2D MoS2納米片的表面電荷密度和電催化活性，從而使層依賴性電催化活性與單個MoS2納米片材的表面電荷濃度相關。



理論研究表明，MoS2層之間的弱范德華鍵可以為電荷的層間隧穿產生能量勢壘。較厚的MoS2納米片中的電荷必須在層間隧穿期間克服較高的能量勢壘，導致較低的表面電荷密度和較低的催化活性。

研究結果表明，較薄的MoS2納米片可積聚更高濃度的電荷，從而實現比較厚的納米片更高的導電性。因此，電荷層間隧穿能力和表面電荷密度調制的電導率都有助于較薄的MoS2更好的催化效率。



更重要的是，可以直觀地看到表面電荷的非均質分布，與MoS2的電催化性能有關。作者還演示了該技術在研究單個MoS2納米片上的電催化HER時的使用。

電化學電流由等離子體信號變化轉換而來，揭示了MoS2在-0.4 V附近的顯著析氫。

結果表明，層間電荷轉移在2D材料的電催化中起著重要的作用，也可用來解釋納米結構半導體催化劑和TMDs的高電催化活性。













審核編輯：劉清