（來源：意法半導體）

增加功率密度和縮小電源供應并不是什么新鮮事。這一趨勢預計將繼續下去，從而催生新的市場、應用和產品。此博客向設計工程師介紹 STMicroelectronics (ST) 電源解決方案如何結合寬帶隙 (WBG) 技術來幫助推動設備小型化趨勢。

更高功率密度的重要性

更高的功率密度對于滿足各地不斷增長的能源需求以及市場對更小、更高效電源的持續需求至關重要。半導體供應商已經設法從標準硅基設備中獲得大量利用，并且硅基設備將繼續成為電源系統的重要組成部分。然而，寬帶隙半導體材料在實現最緊湊和高效的電源解決方案方面具有顯著優勢。例如，氮化鎵 (GaN) 是應對這些挑戰并提高功率密度和微型化能力的強大解決方案。ST 在其創新的 MasterGaN 系列器件中使用了 GaN 技術。MasterGaN 可應用于諧振 LLC 轉換器，以創建無散熱器的 250W 電源。

氮化鎵

作為寬帶隙半導體，GaN 功率場效應晶體管具有更大的功率密度，可以在更高的電壓下工作，工作在更高的頻率下，并使更小的設備成為可能。將 GaN 與傳統硅 (Si) 半導體器件區分開來的關鍵現象是其更高的帶隙。帶隙是激發電子使其從價帶頂部跳到導帶底部所需的能量，電子可以在導帶底部用于電路。增加帶隙對該器件有重大影響。

GaN 等帶隙較大的材料可以承受更強的電場。這種穩健性允許 GaN 在更高的電壓和更高的電子遷移率和飽和速度下運行。這些關鍵屬性使 GaN 開關在與等效硅元件相同的電阻和擊穿電壓下速度提高了十倍并且尺寸明顯更小。GaN 功率 FET 以其遠超傳統硅 MOSFET 能力的更高速度、效率和功率密度推動了電源工程。市場對更高效率和功率密度的需求正在推動 GaN 在緊湊型、便攜式和高功率應用中的采用。強大的充電器是快速充電智能手機、平板電腦和移動應用程序的關鍵增長領域。GaN 具有許多其他應用，這些應用將極大地受益于其功能，

使用 MasterGaN 解決設計挑戰

分立式 GaN 晶體管傳統上需要占用大量電路板空間的專用高壓半橋柵極驅動器。分立方法還在高度敏感的 GaN 柵極上引入了額外的電感和電容。MasterGaN 通過柵極驅動器與 GaN 晶體管的封裝級集成解決了這些設計挑戰。ST 的 MasterGaN 產品系列將高壓智能功率 BCD 工藝柵極驅動器與高壓 GaN 晶體管結合在一個封裝中。MasterGaN 系列具有三個關鍵屬性：緊湊性、穩健性和易于設計。MasterGaN 由于其高功率密度而實現了緊湊性；它的大小是同類硅解決方案的 ?。MasterGaN 器件堅固耐用，包括針對 GaN 高電子遷移率晶體管 (HEMT) 優化的離線驅動器。四方扁平無引線 (QFN) 封裝可將系統尺寸減小多達 70%，從而使充電器和適配器的重量減輕多達 80%。

通過利用 MasterGaN 的高集成度，可以創建無散熱器的 250W 緊湊型高效開關模式電源（圖 1). 該電源是減少電源設計空間的絕佳示例。該板設計為帶有兩個垂直子卡的主板。左邊的子卡是MASTERGAN1電路，右邊的子卡是副邊的同步整流電路。該設計包括短路、過載、掉電和過壓保護。該設計中的 ST L6599A 諧振 LLC 控制器以 160kHz 的頻率運行，盡管該控制器的運行頻率可以高達 700kHz，并且該設計具有帶 15V 輸出驅動的集成柵極驅動器。MasterGaN 完全兼容 L6599A，因為它具有寬輸入電壓范圍和高頻能力。該設計還包括一個 SRK2001 LLC 諧振控制器。當與標準硅 MOSFET 結合使用時，

圖 1：MASTERGAN1 在諧振 LLC 轉換器中的實現（來源：STMicroelectronics）

在使用高性能開關模式電源進行設計時，設計人員必須小心確保所有電源引腳都正確饋電和去耦。設計人員還需要確保正確配置控制信號，以充分發揮 GaN 的優勢。

熱管理也很重要，ST 提供了一些優化電路板布局以保持低溫運行的技巧。MasterGAN 具有三組電源引腳：前端電源 (VCC)、浮動高側電源 (BOOT) 和低側 (PVCC) 電源。請注意，低端和高端驅動器都是浮動的。結合集成電平轉換器，這些浮動電源通過使輸入信號對兩個接地連接時可能產生的電感噪聲耦合不敏感，從而有助于確保正確的柵極驅動。這三個電源都可以獨立供電，盡管在許多應用中，高側驅動器可以由 VCC 通過集成的自舉二極管供電。該自舉結構僅在低側導通時間期間導通。這種結構減少了中頻（典型值高達 400kHz）應用中的元件數量。隨著開關速度的增加，考慮通過外部更高性能的自舉二極管供電。供應源基礎知識顯示在（圖 2）。

圖 2：供應來源基礎知識（來源：STMicroelectronics）

MasterGaN 輸入邏輯明確設計為盡可能簡單地驅動 GaN 晶體管。對于 MasterGaN，無論 VCC 值如何，輸入引腳的電壓上限均為 20V。此功能使 MasterGaN 與“面向 MOS 的”控制器一起使用變得容易，該控制器在 12V 或更高的典型 VCC 下運行，如設計示例中的 L6599A 所示。這些閾值還允許 MasterGaN 連接到具有 3.3V 邏輯的微控制器，以實現您自己的自定義 SMPS 算法。將控制信號連接到 MasterGaN 時，只需確保它們已連接即可！可以在信號路徑中添加一個低通濾波器，以消除系統嘈雜時意外切換的風險。MasterGaN 器件在內部緩沖邏輯輸入（LIN、HIN、和 SD/OD）與具有準確開啟/關閉閾值的施密特觸發器，以提高抗噪性并增加傳播延遲的可重復性。當邏輯輸入為高阻抗時，MasterGaN 器件中的內部下拉電阻器可避免未定義的電壓電平。

電源設計中的熱管理

熱管理是電源設計和電路板布局中最關鍵的方面之一。9mm x 9mm 雙扁平無引線 (DFN) 封裝具有三個必須焊接到電路板上的外露焊盤。頂殼的熱阻遠高于底部裸露焊盤的熱阻。這種設計有助于通過 PCB 和覆銅區域散熱（圖 3）。

圖 3：電路板布局圖和顯示高溫區域的熱圖。（來源：意法半導體）

在 MasterGaN 電路上，載流 GAN 晶體管位于標有 SENSE 和 OUT 的大焊盤下方。這些是封裝的熱關鍵位置。布置電路板時，請密切注意最大限度地排熱。OUT 連接到高側晶體管源極，而 SENSE 連接到低側晶體管源極。除了此處的EVLMG1-250LLC LLC演示板外，ST 還有其他評估平臺可幫助設計人員制作原型、測試和開發高性能電源。EVALMASTERGAN1 和 2 以及 EVLMG1-250WLLC 現已上市。

EVLMG1-250WLLC 評估板提供強大的效率和散熱結果。結果表明，當 MASTERGAN1 集成到 LLC 諧振轉換器中時，它為開發和理解開關特性提供了一個堅實的平臺（圖 4）。

圖 4：(a) EVLMG1-250WLLC 的效率與負載，(b) 熱圖。（來源：意法半導體）

結論

GaN 技術正在創造新一波具有更高功率密度和更高效率的功率轉換方法。ST 使用 GaN 開發尖端產品，通過我們高度集成的 MasterGaN 系列 GaN 半橋和集成柵極驅動器幫助工程師更高效地設計高級電源。遵循一些好的設計指南可以幫助設計人員最大限度地提高功率密度。

如需了解更多信息，請訪問STMicroelectronics MASTERGAN GaN 半橋高壓驅動器。

審核編輯：湯梓紅