2022年能源問題成為了全球關(guān)注的焦點(diǎn),推動(dòng)新舊能源替換和變革被視為是實(shí)現(xiàn)雙碳目標(biāo)的最根本途徑。作為能源產(chǎn)生、使用和回收的關(guān)鍵技術(shù)之一,電源技術(shù)近年來持續(xù)受到各行各業(yè)廣泛關(guān)注。由21ic電子網(wǎng)策劃的Top10 Power電源產(chǎn)品獎(jiǎng)已經(jīng)成功舉辦了19年,評選的范圍是最近一年內(nèi)的電源芯片和相關(guān)解決方案,獲此殊榮意味著其代表了電源產(chǎn)品最高水準(zhǔn)。在本年度的評選中,一共設(shè)立了7類不同的獎(jiǎng)項(xiàng),從技術(shù)創(chuàng)新、能效、應(yīng)用、開發(fā)等多個(gè)工程師關(guān)心的角度進(jìn)行了評選。
經(jīng)過全網(wǎng)數(shù)千次的工程師投票和21ic編輯緊張的審評,2022年度第二十屆Top10 Power電源產(chǎn)品獎(jiǎng)結(jié)果已于11月21日出爐。我們很榮幸,Microchip Technology Inc.(美國微芯科技公司)的3.3 kV碳化硅 MOSFET 和碳化硅SBD能獲此殊榮。
請閱讀原文了解更多詳情。
原文標(biāo)題:Microchip 3.3 kV碳化硅MOSFET和碳化硅SBD榮獲2022年度第二十屆Top10 Power電源產(chǎn)品獎(jiǎng)
文章出處:【微信公眾號:Microchip微芯】歡迎添加關(guān)注!文章轉(zhuǎn)載請注明出處。
-
microchip
+關(guān)注
關(guān)注
53文章
1640瀏覽量
120908
原文標(biāo)題:Microchip 3.3 kV碳化硅MOSFET和碳化硅SBD榮獲2022年度第二十屆Top10 Power電源產(chǎn)品獎(jiǎng)
文章出處:【微信號:MicrochipTechnology,微信公眾號:Microchip微芯】歡迎添加關(guān)注!文章轉(zhuǎn)載請注明出處。
發(fā)布評論請先 登錄
QDPAK封裝SiC碳化硅MOSFET安裝指南
Wolfspeed榮獲2025年度功率器件碳化硅行業(yè)卓越獎(jiǎng)
簡單認(rèn)識博世碳化硅功率半導(dǎo)體產(chǎn)品
探索碳化硅如何改變能源系統(tǒng)
基本半導(dǎo)體1200V工業(yè)級碳化硅MOSFET半橋模塊Pcore 2系列介紹
碳化硅在電機(jī)驅(qū)動(dòng)中的應(yīng)用
碳化硅器件的應(yīng)用優(yōu)勢
碳化硅晶圓特性及切割要點(diǎn)
EAB450M12XM3全碳化硅半橋功率模塊CREE
SiC碳化硅MOSFET時(shí)代的驅(qū)動(dòng)供電解決方案:基本BTP1521P電源芯片
基本半導(dǎo)體碳化硅 MOSFET 的 Eoff 特性及其在電力電子領(lǐng)域的應(yīng)用
國產(chǎn)SiC碳化硅MOSFET在有源濾波器(APF)中的革新應(yīng)用
基本半導(dǎo)體碳化硅(SiC)MOSFET低關(guān)斷損耗(Eoff)特性的應(yīng)用優(yōu)勢
基于國產(chǎn)碳化硅SiC MOSFET的高效熱泵與商用空調(diào)系統(tǒng)解決方案
碳化硅(SiC)MOSFET替代硅基IGBT常見問題Q&A
Microchip 3.3 kV碳化硅MOSFET和碳化硅SBD榮獲2022年度第二十屆Top10 Power電源產(chǎn)品獎(jiǎng)
評論