大家應該都知道，碳化硅是半導體材料發展到第三代的產物，是由于傳統硅基半導體自身物理性能不足，以及受限于摩爾定律，逐漸不適應半導體行業的發展需求產生的化合物半導體。

碳化硅功率器件替代優勢明顯，在高壓高功率領域性能強勁。相較于傳統的硅基半導體，具有高電壓、大電流、高溫、高頻率、低損耗等獨特優勢。由于具有較寬的帶隙，碳化硅器件的工作溫度可高達600℃，而傳統硅器件的最高工作溫度局限在175℃。碳化硅器件的高溫工作能力降低了對系統熱預算的要求。

并且，碳化硅基MOS尺寸可以減少為同電壓硅基MOSFET的十分之一，能量損耗可以減少為同開關頻率硅基IGBT的 30%。此外，碳化硅器件還具有較高的熱導率、高擊穿電場強度、高飽和漂移速率、高熱穩定性和化學惰性，其擊穿電場強度比同類傳統硅器件要高。同時在高頻、高壓、高溫等工作場景中，還具有易散熱、小體積、低能耗、高功率等明顯優勢。

讓碳化硅能穩定發揮這些關鍵性特質的重要因素，封裝步驟不可小覷。封裝是承載器件的載體，也是保證碳化硅芯片充分發揮性能的關鍵。以下是碳化硅功率器件封裝的幾個重要封裝測試項目：

端子強度

端子強度測試的目的是為了確定引出端的設計與連接方法是否能耐受在裝配、修理或搬運過程中所遇到的機械應力。

耐焊接熱

通過耐焊接熱測試可以確定元件能否經受在焊接（烙焊、浸焊、波峰焊、回流焊）端頭過程中所產生的熱效應。

可焊性

可焊性測試可以判斷封裝廠的電鍍工藝是否合格，浸錫表面超過95%則為合格。

推力，拉力，剪切力測試

推力，拉力，剪切力測試是指芯片焊接后再分離出來的難度，可以考察芯片焊接過程是否良好。

無鉛器件要求

適用于引線終端含錫的器件，鉛料目前仍然是豁免的，也就是說器件仍可使用含鉛材料。

碳化硅功率器件的質量對最終組成器件的性能有著舉足輕重的意義，但不論何時，封裝技術的發展需要同時兼顧充分發揮碳化硅芯片性能和實際應用易用性與可靠性要求，以多樣化產品滿足了市場的廣泛需求，同時也不能忽略了標準化需求。

審核編輯：湯梓紅