領(lǐng)先于智能電源和智能感知技術(shù)的安森美(onsemi,美國納斯達克股票代號:ON),慶祝在捷克共和國Roznov擴建的碳化硅 (以下簡稱“SiC”) 工廠的落成。以工業(yè)和貿(mào)易部科長Zbyněk Pokorny、茲林州州長Radim Holi?和市長Ji?í Pavlica以及當(dāng)?shù)仄渌獑T為首的多位嘉賓出席了剪彩儀式,表明這一事件和半導(dǎo)體制造在捷克共和國的重要性。
從2019年開始,安森美在位于Roznov的現(xiàn)有硅拋光和外延晶圓及芯片生產(chǎn)的基礎(chǔ)上,增加了SiC拋光晶圓和SiC外延 (以下簡稱“EPI”) 晶圓生產(chǎn)。由于原來的場地滿足不了需求,去年開始再建新的廠房,以進一步擴大晶圓和SiC EPI的生產(chǎn)。在未來兩年內(nèi),這一擴建將使該基地的SiC產(chǎn)能提高16倍,并在2024年底前創(chuàng)造200個就業(yè)機會。到目前為止,安森美在Roznov基地的投資已超過1.5億美元,并計劃在2023年前追加投資3億美元。安森美最近因在捷克共和國的SiC投資而獲外國投資協(xié)會 (AFI) 投資領(lǐng)域重大貢獻獎。
安森美電源方案部執(zhí)行副總裁兼總經(jīng)理Simon Keeton說:連同我們在美國新罕布什爾州哈德遜的SiC晶錠的擴產(chǎn),這些增加的SiC制造能力使安森美能為客戶提供關(guān)鍵的供應(yīng)保證,以滿足市場對基于SiC的方案快速增長的需求。我們對SiC制造供應(yīng)鏈的全面把控,以及我們產(chǎn)品領(lǐng)先市場的能效,凸顯了安森美在SiC的領(lǐng)先地位更進一步。
SiC對于提高電動汽車(EV)、電動汽車充電和能源基礎(chǔ)設(shè)施的能效至關(guān)重要,也是實現(xiàn)脫碳的一個重要助力。
-
安森美
+關(guān)注
關(guān)注
33文章
1905瀏覽量
95616 -
SiC
+關(guān)注
關(guān)注
32文章
3721瀏覽量
69409 -
碳化硅
+關(guān)注
關(guān)注
26文章
3464瀏覽量
52348
原文標題:安森美在捷克共和國擴建碳化硅工廠
文章出處:【微信號:onsemi-china,微信公眾號:安森美】歡迎添加關(guān)注!文章轉(zhuǎn)載請注明出處。
發(fā)布評論請先 登錄
基于SiC碳化硅功率器件的c研究報告
安森美650V碳化硅MOSFET:NTH4L075N065SC1的技術(shù)剖析
onsemi NTMT045N065SC1碳化硅MOSFET深度解析
安森美1200V碳化硅MOSFET:NTH4L013N120M3S的特性與應(yīng)用分析
安森美NTH4L028N170M1碳化硅MOSFET深度解析
安森美NXH008T120M3F2PTHG碳化硅模塊:高性能電源解決方案
安森美10A、1200V碳化硅肖特基二極管NDSH10120C-F155解析
碳化硅肖特基二極管:NDSH20120C-F155的技術(shù)剖析
國產(chǎn)SiC碳化硅功率半導(dǎo)體企業(yè)引領(lǐng)全球市場格局重構(gòu)
國產(chǎn)SiC碳化硅MOSFET在有源濾波器(APF)中的革新應(yīng)用
碳化硅何以英飛凌?—— SiC MOSFET性能評價的真相
除了安森美CREE等還有哪些在美國境內(nèi)流片的SiC碳化硅器件品牌
麥科信光隔離探頭在碳化硅(SiC)MOSFET動態(tài)測試中的應(yīng)用
安森美SiC JFET共源共柵結(jié)構(gòu)詳解
安森美擴建的碳化硅工廠落成 將使該基地SiC產(chǎn)能提高16倍
評論