近年來，「第三代半導體」這個名詞頻頻進入我們的視野。尤其近年來「第三代半導體」在電動車、充電樁、高功率適配器等應用中的爆發式增長，使得其越來越貼近我們的生活。

業界一般把禁帶寬度（Eg）大于或等于2.3eV的半導體材料稱之為寬帶隙半導體（Wide Band Gap Semiconductors）材料，也稱「第三代半導體」材料。相比較以Si（硅）、Ge（鍺）為代表的第一代半導體，「第三代半導體」可以承受更高功率、更高頻率，并且擁有更優異的散熱性。

近年來，特別是在全球變暖的大環境下，低碳減排已然是大勢所趨，與此同時，5G通訊技術趨于成熟，而電動車、數據中心與能源應用也在大量落地和全面鋪開，這使得以GaN（氮化鎵）、SiC（碳化硅）為代表的「第三代半導體」已經開始在很多行業逐漸嶄露頭角。

其中，GaN（氮化鎵）主要應用于光電器件和微波射頻器件，諸如4G / LTE基站的RF包絡跟蹤、自動駕駛汽車、機器人、無人機和安全系統的光檢測和測距（激光雷達）系統等應用，這些都是能夠充分發揮高速GaN（氮化鎵）器件性能優勢的應用場景。與此同時，SiC（碳化硅）在高功率、高電壓電力電子應用上性能優異，能提供更高效率的電源轉換能力，帶來更好的節能效果，有望部分取代原本以硅為基礎的功率元件，其主要用途包括變頻、整流、變壓、功率放大、通訊、消費電子、新能源交通等領域，特別是在延長電動車電池的續航力，被給予厚望。

既然第三代半導體的性能優勢這么突出，那么你想不想認識一些第三代半導體中的明星元器件產品？在本期視頻中，我們就跟著達爾聞妮姐來結識幾款——

看完了視頻，我們現在將視頻中介紹的幾款元器件及其相關技術資源總結如下，供大家參考：

LMG3410R050RWHT

具有集成驅動器和保護功能的600V 50mΩ氮化鎵MOSFET

LMG341xR050 氮化鎵功率級具有集成驅動器和保護功能，可讓設計人員在電力電子系統中實現更高水平的功率密度和效率。LMG341x 的固有優勢超越了硅MOSFET，包括超低輸入和輸出電容值、可將開關損耗降低80%的零反向恢復特性，以及可降低 EMI 的低開關節點振鈴。這些優勢特性使得該器件可支持諸如圖騰柱 PFC 之類的高功率密度、高效率拓撲。

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Digi-Key零件編號: 296-LMG3410R050RWHTTR-ND -卷帶（TR） 296-LMG3410R050RWHTCT-ND -剪切帶（CT） 296-LMG3410R050RWHTDKR-ND -Digi-Reel得捷定制卷帶

MASTERGAN1

高功率密度600V雙增強模式氮化鎵HEMT半橋驅動器

MASTERGAN1 是一款先進的系統級功率封裝，在半橋配置中集成了柵極驅動器和兩個增強模式 GaN 晶體管。集成功率 GaN 具有150mΩ的 RDS（ON）和650V漏源擊穿電壓，而嵌入式柵極驅動器的高側可由集成式自舉二極管輕松提供。

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Digi-Key零件編號: 497-MASTERGAN1-ND

GAN041-650WSB

650V，35mΩ氮化鎵MOSFET，TO-247封裝

GAN041-650WSB 是一款650V，35mΩ TO-247封裝氮化鎵（GaN）場效應晶體管。結合Nexperia最新的高壓 GaN HEMT H2 技術和低壓硅MOSFET技術，可提供卓越的可靠性和性能。

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Digi-Key零件編號: 1727-GAN041-650WSBQ-ND

NTH4L040N120SC1

碳化硅MOSFET，N溝道，1200V，40mΩ，TO247?4L封裝

NTH4L040N120SC1碳化硅（SiC）MOSFET采用了一種全新技術，與硅器件相比，它提供了優越的開關性能和更高的可靠性。此外，低ON阻值和緊湊的芯片尺寸確保低電容和柵電荷。因此，該器件的應用可以為系統設計帶來諸多好處，包括更高的效率、更快的工作頻率、更大功率密度、減少 EMI ，以及減小產品尺寸。

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Digi-Key零件編號: 488-NTH4L040N120SC1-ND

E3M0280090D

碳化硅功率MOSFET，E系列汽車級N溝道增強型產品

Wolfspeed 公司發布了全新的E系列產品，這是一個強大的 SiC 半導體器件家族，用于電動汽車（EV）和可再生能源市場，為車載汽車電源轉換系統、車載充電、太陽能逆變器和其他戶外應用提供最高的可用功率密度和耐用性。

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Digi-Key零件編號: E3M0280090D-ND

審核編輯：湯梓紅