電子遷移率（electron mobility）高。這個(gè)特性帶來的功能上的好處是低噪音，高頻。比如GaAs是硅的5倍速度。這種半導(dǎo)體可以進(jìn)行高速運(yùn)算。

帶隙（bandgap）大。這個(gè)特性帶來的功能上的好處是耐高壓（高擊傳），可以讓器件在高電壓的條件下工作。

飽和速度（Saturation velocity）高。這個(gè)特性帶來的功能上的好處是可以實(shí)現(xiàn)器件的大功率，高頻運(yùn)作。

吸收光以及發(fā)光性。這里的發(fā)光是指發(fā)出可視光以及紅外光。這里的吸收光是指相比較于硅半導(dǎo)體，化合物半導(dǎo)體具有更高的光電轉(zhuǎn)換的效率。

對(duì)磁力非常敏感。可以利用這一特性，制造相應(yīng)的器件用于精密地感知馬達(dá)的轉(zhuǎn)速。

非常耐熱耐高溫。相對(duì)于硅半導(dǎo)體，化合物半導(dǎo)體具有非常優(yōu)異的耐輻射性以及耐熱性。比如：Si???～200℃GaAs???～350℃。可以應(yīng)用于太空中人造衛(wèi)星用到的太陽能電池系統(tǒng)。

審核編輯：劉清