KIA 超高壓MOSFET 1000-1500V，填補國內空白

放眼半導體市場，現階段1000-1500V超高壓MOSFET幾乎被進口品牌壟斷，且存在價格高，交付周期長等弊端。對此可易亞半導體（KIA）針對1000V超高壓MOS產品進行了大量的技術革新，通過多年的產品技術積累，開發出耐壓更高，導通內阻更低的超高壓MOS管，填補了國內空白，打破了進口品牌壟斷的局面，也降低了客戶對國外產品的依存度。

超高耐壓的器件主要應用場景為工業三相智能電表、LED照明驅動電源、充電樁，光伏逆變器等輔助電源。

國內專注研發優質MOS管廠家KIA半導體生產的超高壓MOSFET--KNX41100A可代換型號：東芝2SK1119， 艾賽斯IXFP4N100。

KIA超高壓MOSFET-KNX41100A產品資料

超高壓MOSFET-KNX41100A漏源擊穿電壓高達1000V，漏極電流最大值為2A，適用于適配器、充電器、SMPS備用電源等。

KNX41100A的開啟延遲典型值為8nS，關斷延遲時間典型值為36nS，上升時間6nS，下降時間15nS，反向傳輸電容4pF，反向恢復時間320nS，正向電壓的典型值1.5V。

KNX41100A的導通阻抗典型值為9.6Ω。最大功耗為60W，最大結溫為150℃。此產品的儲存溫度在-55到150℃，適用于大部分環境。

產品特點：

符合RoHS標準

RDS(ON),typ.=9.6Ω@VGS=10V

低柵極電荷使開關損耗最小化

快速恢復體二極管

圖：KNX41100A引腳配置

圖：KNX41100A規格書

KIA半導體是一家致力于功率半導體電子元器件研發與銷售的高新技術型企業，竭誠服務全球開關電源、綠色照明、電機驅動、汽車電子、新能源充電樁、太陽能設備、數碼家電、安防工程等行業長期合作伙伴；主動了解客戶需求，不斷研發創新，為客戶提供綠色、節能、高效的功率半導體產品。

審核編輯：湯梓紅