言歸正傳，書接前文，傳輸線的基礎(chǔ)知識(shí)有提到傳輸線的零階或一階模型，這都是基于理想情況下的模型。實(shí)際的信號(hào)在傳輸過(guò)程中是有損耗的，稱之為有損傳輸線。仿真分析時(shí)，要在鏈路搭建的模型中加入損耗，以準(zhǔn)確地預(yù)估接收的波形?？傊?，一句話，實(shí)際工作過(guò)程中，需要考慮損耗。

簡(jiǎn)單點(diǎn)，損耗的分類：

篇幅問題，本文重點(diǎn)講導(dǎo)體損耗和介質(zhì)損耗。

1.導(dǎo)體損耗

導(dǎo)線損耗是指信號(hào)路徑和返回路徑上的能量損耗，本質(zhì)上它是由導(dǎo)線的串聯(lián)電阻引起的。分為兩種情況：直流和交流。

直流時(shí)，電流在信號(hào)導(dǎo)線中均勻分布，電阻為：

公式可以看出：信號(hào)感受到的電阻取決于導(dǎo)線傳輸電流時(shí)的有效橫截面。

頻率越高，由于趨膚效應(yīng)的影響，電流流經(jīng)的導(dǎo)線橫截面就越小，電阻隨著頻率的升高而增加（一般來(lái)說(shuō)，當(dāng)頻率變化時(shí)，銅和大多數(shù)金屬的電阻率是相當(dāng)恒定的）

導(dǎo)線的電阻近似為：

R表示線電阻（單位為?）

ρ表示導(dǎo)線的體電阻率（單位為??in）

Len表示線長(zhǎng)（單位為in）

ω表示線寬（單位為in）

δ表示導(dǎo)線的集膚深度（單位為μm）

有兩個(gè)概念需要延伸一下：

①公式中體電阻率也好，還是體電導(dǎo)率說(shuō)的是材料的導(dǎo)電性。

由于物質(zhì)內(nèi)部存在傳遞電流的自由電荷，這些自由電荷通常稱為載流子，他們可以是電子、空穴、也可以是正負(fù)離子。在弱電場(chǎng)作用下，材料的載流子發(fā)生遷移引起導(dǎo)電。材料的導(dǎo)電性能通常用與尺寸無(wú)關(guān)的電阻率或電導(dǎo)率表示。說(shuō)到底，體電阻率或體電導(dǎo)率是材料導(dǎo)電性的一種表示方式。

②趨膚效應(yīng)

對(duì)于直流而言，電流分布在導(dǎo)體的整個(gè)橫截面上。但是到高頻以后，電流分布變得不均勻。大部分電流會(huì)集中在導(dǎo)體表面附近，這種現(xiàn)象稱之為趨膚效應(yīng)。

趨膚效應(yīng)跟實(shí)際工作的對(duì)接是：在PCB加工過(guò)程中，靠近介質(zhì)那面的銅箔需要有一定的粗糙度，以產(chǎn)生附著力，連接介質(zhì)層。

如果趨膚深度比銅的粗糙度小，則大部分電流將在銅的粗糙部分中傳播（如下圖所示），會(huì)導(dǎo)致串聯(lián)電阻和導(dǎo)體損耗的增加。

趨膚深度其他知識(shí)這里就不展開了。后面有機(jī)會(huì)再講。趨膚效應(yīng)的理論之前認(rèn)為理解了，最近有學(xué)習(xí)微波方面的理論，才有點(diǎn)貫通的感覺。

知識(shí)真是越學(xué)越不懂啊。

2.介質(zhì)損耗

絕緣材料在電場(chǎng)作用下，由于介質(zhì)電導(dǎo)和介質(zhì)極化的滯后效應(yīng)，在其內(nèi)部引起的能量損耗叫介質(zhì)損耗。

現(xiàn)實(shí)中的介質(zhì)材料都有相應(yīng)的電阻率。當(dāng)電容器兩電極平面之間填充實(shí)際材料并施加直流電壓時(shí)，將有直流電流通過(guò)，稱為漏電流。

微帶線上下導(dǎo)體近似成兩個(gè)平面，兩導(dǎo)體之間材料形成的漏電阻：

流過(guò)這個(gè)電阻的漏電流為

I_leakage表示通過(guò)介質(zhì)的漏電流

V表示施加的直流電壓

R_leakage表示與介質(zhì)有關(guān)的漏電阻

ρ表示介質(zhì)的體漏電阻率

h表示信號(hào)路徑與返回路徑之間的介質(zhì)厚度

漏電流是流過(guò)電阻器的，材料將消耗能量并造成損耗。流過(guò)介質(zhì)的漏電流有兩種方式：

第一種方式是離子運(yùn)動(dòng)，直流電流的機(jī)制。

第二種方式是材料中永久性偶極子重取向。電容器兩端施加電壓，電場(chǎng)的產(chǎn)生，使偶極子隨機(jī)取向變得有規(guī)律性，看起來(lái)像短暫的電流流過(guò)介質(zhì)。

外部場(chǎng)變化時(shí)，介質(zhì)中永久性偶極子的重取向形成流過(guò)介質(zhì)的交流電流

介質(zhì)耗散因子

雖然集膚深度也用希臘字母δ表示，但耗散因子定義中的角度與集膚深度是相互獨(dú)立，完全無(wú)關(guān)的。

tan(δ)所指的東西都不重要。它僅是一個(gè)材料特性，這一特性與材料中自由位移的偶極子數(shù)目和偶極子隨著頻率升高后位移的大小有關(guān)。

總結(jié)一下：

3.有損傳輸線的模型

既然實(shí)際工作中必須考慮損耗，不同于無(wú)損傳輸線的LC模型:

有損傳輸線模型引入了參數(shù)G加以表示，用漏電導(dǎo)代替漏電阻，使得表示有損傳輸線的4項(xiàng)都與線長(zhǎng)成比例。

有損傳輸線為RLGC模型：

有損傳輸線的阻抗：

視頻中，對(duì)比了無(wú)損傳輸線和有損傳輸線的眼圖。傳輸線損耗是引起的上升邊退化，而上升邊退化是引起符號(hào)間干擾（ISI）和眼圖塌陷的根源。

有損傳輸線的眼圖，由于上升邊的退化，少了高頻分量，那么高頻分量到哪里去了？傳輸線中的容性和感性突變只是反射，并不吸收能量。羊毛出在羊身上，高頻分量最終被反射到源端，由各個(gè)端接電阻器或源端驅(qū)動(dòng)器內(nèi)阻吸收和消耗了。



審核編輯：劉清