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Device Studio（簡稱：DS）作為鴻之微的材料設計與仿真軟件，能夠進行電子器件的結構搭建與仿真；能夠進行晶體結構和納米器件的建模；能夠生成科研計算軟件 Nanodcal、Nanoskim、MOMAP、RESCU、DS-PAW、BDF、STEMS、TOPS、PODS、VASP、LAMMPS、QUANTUM ESPRESSO、Gaussian的輸入文件并進行存儲和管理；可以根據用戶需求，將輸入文件傳遞給遠程或本地的計算機進行計算，并控制計算流程；可以將計算結果進行可視化顯示和分析。

上一期的教程給大家介紹了Device Studio亮點功能7.4-7.6的內容，本期繼續介紹Device Studio亮點功能7.7-7.9的內容。

7.7.VASP差分電荷密度的可視化分析

Device Studio具有VASP差分電荷密度可視化分析功能。以Si16O32晶體結構的差分電荷密度可視化分析為例，在Device Studio的圖形界面中，點擊Simulator→VASP→Analysis Plot，彈出導入Si16O32晶體結構CHGCAR文件的界面如圖7.7-1所示，點擊圖7.7-1中的打開按鈕，則彈出Si16O32電荷密度CHGCAR的3D可視化分析界面如圖7.7-2所示。

圖7.7-1: 導入Si16O32晶體結構CHGCAR文件的界面

圖7.7-2: Si16O32電荷密度CHGCAR的3D可視化分析界面

在如圖7.7-2所示的界面中，點擊Edit data按鈕彈出Editdata界面，點擊界面中Import data按鈕，分別導入O32和Si16的CHGCAR文件，Operation欄可通過下拉按鈕選擇-號如圖7.7-3所示，點擊Editdata界面中的Ok按鈕，則Si16O32差分電荷密度的3D可視化分析界面如圖7.7-4所示。

圖7.7-3: Editdata界面

圖7.7-4: Si16O32差分電荷密度的3D可視化分析界面

在如圖7.7-4所示界面中點擊2D按鈕則切換為Si16O32差分電荷密度的2D可視化分析界面如圖7.7-5所示。點擊圖7.7-5所示界面中的1D按鈕則切換為Si16O32差分電荷密度的1D可視化分析界面如圖7.7-6所示。

圖7.7-5: Si16O32差分電荷密度的2D可視化分析界面

圖7.7-6: Si16O32差分電荷密度的1D可視化分析界面

對于Si16O32差分電荷密度的2D可視化分析界面，用戶可通過調節Value Control模塊的xAixs和yAixs參數對2D視圖進行擴胞，如把xAixs和yAixs參數的Max值均調節為2，則擴胞后的Si16O32差分電荷密度的2D可視化分析界面如圖7.7-7所示。

圖7.7-7:擴胞后的Si16O32差分電荷密度的2D可視化分析界面

7.8.任務監控與管理區域

Device Studio 2020B優化了任務監控與管理區域Job Manager，其中集成了PuTTY、WinSCP模塊如圖7.8-1所示，支持自由配置服務器參數、目錄、腳本、命令，支持任務狀態自動刷新，斷網提醒等。對于任務監控與管理區域Job Manager如何配置連接服務器可參考Nanodcal連接服務器節內容。

圖7.8-1: Device Studio 2020B的任務監控與管理區域

若任務計算完成，點擊Job Manager中Action下的下載按鈕彈出下載計算結果的界面如圖7.8-2所示，點擊界面中的Download則可下載，下載后可在軟件的Project Explorer區域查看到該結果文件。另用戶可通過點擊圖7.8-1中的PuTTY、WinSCP的圖標連接Device Studio已連接的服務器分別如圖7.8-3和7.8-4。

圖7.8-2: Device Studio 2020B的任務監控與管理區域下載計算結果的界面

圖7.8-3:PuTTY連接服務器界面

圖7.8-4:WinSCP連接服務器界面

7.9.與鴻之微云全面對接

Device Studio作為鴻之微云客戶端的入口之一，已實現與鴻之微云的全面對接。用戶通過鴻之微云賬號可隨時、隨地登錄并使用Device Studio，鴻之微云可將用戶在本地Device Studio上創建的項目文件自動實時增量同步備份到云端存儲如圖7.9-1所示，在鴻之微云上，用戶可對項目文件進行復制、移動、刪除和重命名等操作，并可通過群組共享管理功能將科研數據、科研資料及科研成果在組員之間共享，實現科研數據共享，提高科研協同效率。本地電腦上的Device Studio可拉回并打開存儲在鴻之微云上的項目文件如圖7.9-2所示。