HTOL（High temperature operation life test）：高溫壽命試驗，需要上電，用帶測試向量（Pattern）的老化爐（比如:H160,Incal Echo, LM2100,DI,MCC等）,需定做老化板BIB和老化socket，至少77顆/lot，通常會多幾顆，比如80顆/lot, 可以1個lot，也可以3個lot，老化時間通常為1000小時（中間會在168小時，500小時兩個readpoint拿出來做功能回測）。

相關(guān)標準：

JESD22-A108B：Temperature, Bias, and Operating Life。

JESD85：METHODS FOR CALCULATING FAILURE RATES IN UNITS OF FITS。

JESD47K：Stress-Test-Driven Qualification of Integrated Circuits。

JESD74：Early Life Failure Rate Calculation Procedure for Semiconductor Components。

失效模式:

典型浴缸曲線(Bathtub Curve)分成早夭期(Infant Mortality)、可使用期(Useful Life)及老化期(Wear out)，對于不同區(qū)段的故障率評估，皆有相對應的試驗手法。

從浴缸曲線(Bathtub Curve) 三個區(qū)段，其故障率的統(tǒng)計數(shù)據(jù)及失效原因，歸納如下：

早夭期(Infant Mortality )：故障率由高而快速下降- 失效原因為設計缺失/制程缺失。

可使用期(Useful Life)：故障率低且穩(wěn)定-失效原因隨機出現(xiàn)(如EOS 故障)

老化期(Wear Out)：故障率會快速增加-失效原因為老化造成。

加速因子：

1.電壓加速：電壓高于使用電壓Vmax 才獲得電壓加速。

計算公式：

2.溫度加速：HTOL溫度高于使用溫度獲得溫度加速。

計算公式：

總加速：

LTOL：Low temperature operation life test）：低溫壽命試驗，需要上電，基本與HTOL一樣，只是爐溫是低溫，一般用來尋找熱載流子引起的失效，或用來試驗存儲器件或亞微米尺寸的器件。

相關(guān)標準：

JESD22-A108B:Temperature, Bias, and Operating Life

JESD47K:Stress-Test-Driven Qualification of Integrated Circuits

大多數(shù)可靠性實驗表明，環(huán)境溫度越高，器件退化越嚴重。熱載流子注入效應的情況相反，溫度越低，熱載流子注入效應越明顯。對應于LTOL來說溫度越低老化加速越厲害。

LTOL的測試條件，JESD47是參考Tj<50℃，但一般會用Ta=-40℃，低溫仍然滿足Tj<50℃，測試結(jié)果適用范圍相對較廣。車規(guī)驗證，operation ambient temperature range也是從Ta=-40℃開始。

使用機臺：DI機臺的一款DL602可以支持低溫老化實驗，LTOL一般使用的PCB板跟正常HTOL可以兼容，使用板材和元器件一般都可以滿足-40℃低溫條件。

原文標題：HTOL與LTOL的一些基本概念

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審核編輯：劉清