臺積電在北美技術論壇上宣布推出了先進工藝制程2nm,采用GAAFET全環繞柵極晶體管技術,預計在2025年的時候實現量產計劃。
據臺媒體報道,臺積電為了擴大2nm芯片的產能,將在中清乙工建設半導體產業鏈園區,預計投入1萬億新臺幣,約等于2290億元人民幣。
臺積電在2nm制程上帶來了如高遷移率組件和全新的2D材料、Nanosheet / Nanowire的晶體管架構等新技術,而采用的2d材料更將用到除了石墨烯之外的新材料。臺積電的2nm制程相比較3nm制程來看,在性能方面能夠提升10—15%,功耗則會降低23—30%。
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