臺(tái)積電以絕對(duì)的技術(shù)優(yōu)勢(shì)，成為了芯片領(lǐng)域發(fā)展的風(fēng)向標(biāo)，芯片制程工藝作為芯片制造過(guò)程中最重要的環(huán)節(jié)，直接影響著芯片能夠達(dá)到什么樣的高度，受到摩爾定律的影響，芯片領(lǐng)域先進(jìn)技術(shù)的研發(fā)整體放緩，而臺(tái)積電作為全球第一的芯片廠(chǎng)商，也很好的承擔(dān)起了足夠的責(zé)任，不斷朝著摩爾定律極限發(fā)起挑戰(zhàn)。

就在去年下半年，有相關(guān)臺(tái)媒報(bào)道，臺(tái)積電在2nm工藝上取得了一項(xiàng)重大的內(nèi)部突破。這一消息的透露，瞬間引起了廣大網(wǎng)友的關(guān)注。畢竟目前全球手機(jī)行業(yè)中的移動(dòng)處理器，最先進(jìn)的工藝制程為5nm EUV。而2nm工藝制程芯片研發(fā)的突破，無(wú)疑意味著在未來(lái)旗艦級(jí)移動(dòng)處理器的性能將獲得大幅提升，功耗也將會(huì)大幅降低，從而可以給廣大用戶(hù)帶來(lái)更加出色的使用體驗(yàn)，以及更長(zhǎng)時(shí)間的持久續(xù)航。

臺(tái)積電官宣了其針對(duì)2nm的芯片，推出了全新的晶體管架構(gòu)Nanosheet/Nanowire，同時(shí)還將采用新的材料來(lái)打造，這項(xiàng)技術(shù)也是全球首創(chuàng)的，臺(tái)積電針對(duì)此項(xiàng)技術(shù)已經(jīng)有15年的研發(fā)功底，大致和三星所采用的環(huán)繞柵極晶體管（GAA）類(lèi)似。

目前臺(tái)積電針對(duì)2nm的工藝，不僅推出了全新的晶體管架構(gòu)，甚至還研發(fā)出了新材料，這就是一個(gè)很好的突破，我們必須要承認(rèn)摩爾定律是有極限的，但并不意味著不能夠很好的把這極限繼續(xù)延續(xù)，無(wú)論是十年、還是二十年，只要科研人員沒(méi)有放棄，總會(huì)有突破的那一天。

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審核編輯 ：李倩