2019年，臺積電便宣布啟動2nm工藝的研發(fā)，使其成為第一家宣布開始研發(fā)2nm工藝的公司。

2021年，IBM完成了2納米技術的突破。據(jù)預計，IBM 2nm工藝或能在每平方毫米芯片上集成3.33億個晶體管。相比7nm工藝提升了45%的性能或者減少75%的功耗，預計2024年量產(chǎn)。

據(jù)了解，中科院攻克的疊層垂直納米環(huán)柵晶體管技術要比GAA環(huán)繞柵極晶體管技術更加先進，這種新型晶體管技術是2nm制程的一項關鍵技術，也就是說在2nm制程上，我國已經(jīng)成功取得了突破。

2nm芯片潛在優(yōu)勢包括：讓手機續(xù)航時長翻倍；大幅度減少數(shù)據(jù)中心的能源使用量；讓設備能更快運行應用程序、完成語言翻譯和訪問互聯(lián)網(wǎng)；有助于自動駕駛汽車更快完成物體檢測，并減少對實時路況作出反應所需的時間

2nm的實現(xiàn)可能性很大。在2nm技術上的突破三大晶圓廠肯定是勝算較大，但是先進制程是需要經(jīng)驗積累的，所以臺積電劉德音在最近的股東大會上才放話，對于日美合作2納米，三星以及英特爾在2納米技術上的發(fā)展，臺積電并不會特別擔心。按照過往的經(jīng)驗，臺積電在良率上一直相當不錯。至于歐洲在2nm技術上突破應該也還有很長的一段路要走。

炒土豆別放姜，半導體行業(yè)觀察綜合整理

審核編輯 ：李倩