三星高管大換血，只為改善良率，力求盡快完成3nm量產工作
據韓媒報道稱，近日三星已經對高管進行了大換血，芯片半導體研發中心的負責人等高管已經得到了更換。
目前新上任的芯片半導體研發中心負責人之前在NAND閃存開發領域創造出了不錯的成績，本次任職受到各方面一致的期待。而芯片代工制造技術中心負責人則由目前三星一流的存儲半導體工藝專家來擔任，其他重要職位也紛紛交給了經驗豐富的專家來擔當。
在這次高管換血之前，曾有傳言稱三星內部嚴重不和，其嚴重程度甚至影響到了芯片良率，本來就落后于臺積電的三星再受到內部影響，超越臺積電自然就更不可能了，目前又是在3nm制程上趕超臺積電的大好機會，所以三星才會如此大規模的對高管進行換血，以保證接下來項目的良好進行。
據了解，三星的3nm工藝將采用GAA晶體管工藝，這種工藝相較于之前的工藝在功耗與性能方面都有很大的優化，而臺積電并不會在3nm工藝上采用GAA技術，故而三星才要如此急迫的研發推動3nm工藝量產，在3nm時代趕超臺積電。
三星方面表示，最快在6月份便能夠實現3nm工藝的量產。
綜合整理自 未來半導體 快科技 雷科技
審核編輯 黃昊宇
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