国产精品久久久aaaa,日日干夜夜操天天插,亚洲乱熟女香蕉一区二区三区少妇,99精品国产高清一区二区三区,国产成人精品一区二区色戒,久久久国产精品成人免费,亚洲精品毛片久久久久,99久久婷婷国产综合精品电影,国产一区二区三区任你鲁

0
  • 聊天消息
  • 系統消息
  • 評論與回復
登錄后你可以
  • 下載海量資料
  • 學習在線課程
  • 觀看技術視頻
  • 寫文章/發帖/加入社區
會員中心
創作中心

完善資料讓更多小伙伴認識你,還能領取20積分哦,立即完善>

3天內不再提示

蝕刻溶液的組成和溫度對腐蝕速率的影響

華林科納半導體設備制造 ? 來源:華林科納半導體設備制造 ? 作者:華林科納半導體設 ? 2022-05-20 16:20 ? 次閱讀
加入交流群
微信小助手二維碼

掃碼添加小助手

加入工程師交流群

我們華林科納研究探索了一種新的濕法腐蝕方法和減薄厚度在100 μm以下玻璃的解決方案,為了用低氫氟酸制備蝕刻溶液,使用NH4F或nh4hf 2作為主要成分并加入硫酸或硝酸是有效的,研究了混合酸溶液的組成和溫度對腐蝕速率的影響,陰離子表面活性劑的加入提供了防止由蝕刻反應產生的淤渣粘附的功能,一種新的配備有流動發生部件的濕法蝕刻試驗裝置被用于測試商用無堿玻璃和鈉鈣玻璃的蝕刻,通過使用中試裝置,將厚度為640μm的無堿玻璃和厚度為500 μm的鈉鈣玻璃分別蝕刻至45 μm和100 μm,在通過中試裝置進行蝕刻之后,玻璃表面的粗糙度保持在0.01~0.02 μm,本研究為大幅度降低氫氟酸的濃度,制備了加入NH4F、NH4HF2等含氟化合物及硫酸、硝酸等的混酸溶液,與現有氫氟酸基蝕刻溶液相比,不僅探討了蝕刻速度,還探討了蝕刻后的擬玻璃外觀狀態、表面照度等。作為將大型玻璃薄板化到100μm以下的新系統,制作了淤積水流方式的導風裝置,并對其性能進行了探討。

燒杯實驗采用40×50mm尺寸切割LCD用無堿玻璃,以簡單沉積方式探討了蝕刻溶液的組成及溫度的影響,將制備的昵稱溶液200 mL裝入塑料材質的燒杯中,將玻璃沉積于裝有蝕刻溶液的燒杯中,蝕刻10~20分鐘,實驗中,為了去除玻璃表面的污泥,每隔2~3分鐘搖晃玻璃。

為了保持恒溫,把燒杯放在恒溫箱里做了實驗,蝕刻一段時間后,將玻璃從燒杯中取出,用蒸餾水清洗,并擦拭玻璃表面不留污漬,用肉眼檢測了蝕刻后玻璃表面的波浪、劃痕、英尺、污漬等,使用表面照度儀測量表面照度,另一方面,為了防止蝕刻中產生的污泥附著在玻璃表面的現象,探討了陰離子系表面活性劑的添加效果,通過燒杯實驗,確定蝕刻溶液的組成,然后使用可處理玻璃而制作的導聯設備(圖1)。

在圖2中給出了說明,將含氟化合物濃度控制在10~25wt%范圍,探討了濃度的影響,將40×50mm大小切割的無堿玻璃在20℃、200 mL的蝕刻溶液中簡單沉積,HF的蝕刻時間為10分鐘,NH4F和NH4HF2的蝕刻時間為20分鐘。圖 2是平均蝕刻速率的結果,表明單獨使用NH4F和NH4HF2的情況下,即使將濃度提高到25 wt%,蝕刻速率也小于1μm/min,蝕刻效果非常微弱,HF的濃度越高,蝕刻速度越快,但如果蝕刻速度過快,蝕刻后玻璃表面會出現波紋、污漬及厚度偏差等問題。

由此可見,含有HF的溶液特別是隨溫度升高的蝕刻速率變化非常大,這意味著即使是微小的溫度變化,蝕刻速率也會有很大的變化,控制起來非常困難;另一方面,對于NH4F來說,添加硫酸或硝酸并沒有顯著增加蝕刻速率,溫度的影響也微乎其微,NH4HF2硫酸或硝酸的添加效果較高,溫度的影響也在較易控制的范圍內,被飼料為最有用的替代HF的成分。

對于NH4F和NH4HF2來說,這種情況下表面殘留污泥,形成污漬的傾向很強,而對于HF,濃度的增加不僅會導致蝕刻速度過快,難以控制,而且還會導致玻璃表面出現波紋,平滑度變差;另一方面,(b)溶液和(c)溶液的蝕刻速度相差2倍左右,(d)溶液是通過在(c)溶液中加入少量HF,將蝕刻速率調整為類似于(b)溶液的溶液,在這種情況下,HF和NH4HF2的缺點互補,得到了蝕刻后的玻璃表面狀態良好的結果。圖中顯示的蝕刻后玻璃的外觀代表了一個典型的例子,不同的蝕刻方法(設備)會有所差異。

除了這種可視化確認的問題,玻璃表面照度的變化還會導致透明度等方面的差異,對有代表性的蝕刻成分進行了蝕刻后玻璃表面照度的變化分析,結果實驗過程的圖中已給出,對于HF溶液,可以看出雖然蝕刻速度快,但表面照度與蝕刻前相比變得非常粗糙,與平均照度相比,蝕刻前玻璃為0.01μm,而用HF溶液蝕刻后,照度約為0.03-0.05μm,提高了3-5倍左右,對于NH4HF2溶液,蝕刻速度較慢,但蝕刻引起的表面照度變化幾乎沒有,在NH4HF2中添加HF少于5wt%,使其具有與HF溶液相似的蝕刻速度,即使蝕刻前和后的表面照度也幾乎沒有變化。

根據NH4HF2和H2SO4中添加0.1 wt%陰離子系表面活性劑的混酸溶液中加入少量HF(小于5 wt%)的蝕刻溶液,利用中試設備進行了實驗,以通過燒杯實驗得到的結果為基礎,本實驗使用了以沉積水流方式設計的先導設備,將玻璃浸入蝕刻溶液后,通過設置在下部和兩側的噴嘴產生水流,旨在最大限度地減少玻璃位置上的厚度偏差,格拉斯使用了150× 100毫米大小的無堿玻璃、370 × 470毫米大小的純堿玻璃兩種,反應溫度為20℃,由于HF的加入,調整后的蝕刻速率保持在20℃左右,無堿玻璃約為6.0 μm/min,純堿玻璃約為7.0 μm/min,蝕刻前640μm厚的無堿玻璃,在試驗設備中可以蝕刻約100分鐘,以45米厚薄板,在純堿玻璃中,500μm厚的玻璃可以蝕刻約60 min,以100μm厚薄板,可以看出如果用100米以下的厚度進行薄板化,玻璃的柔韌性會增加。

1)含氟化合物(HF、NH4F、NH4HF2)單組分情況下,HF的GLAS刻蝕速度較快,但刻蝕后GLAS表面狀態存在很多問題,NH4F和NH4HF2的刻蝕速度非常慢。

2)氟化化合物中添加硫酸或硝酸提高了蝕刻速度,特別是NH4HF2中添加硫酸的情況下,蝕刻速度大大提高,蝕刻后的玻璃表面狀態也相對良好。

3)在蝕刻溶液中加入少量陰離子系表面活性劑,可防止蝕刻反應過程中產生的沉淀物附著在玻璃表面產生的污漬等問題,并能保持非常干凈的表面狀態。

4)使用沉積水流方式的先導裝置,640μm(150× 100)μm)厚的無堿玻璃和500米(370× 470 μm)厚的純堿玻璃,分別可以薄判為45μm和100μm以下的厚度。

審核編輯:湯梓紅

聲明:本文內容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網站授權轉載。文章觀點僅代表作者本人,不代表電子發燒友網立場。文章及其配圖僅供工程師學習之用,如有內容侵權或者其他違規問題,請聯系本站處理。 舉報投訴
  • 蝕刻
    +關注

    關注

    10

    文章

    428

    瀏覽量

    16618
  • 溶液
    +關注

    關注

    0

    文章

    25

    瀏覽量

    8278
收藏 人收藏
加入交流群
微信小助手二維碼

掃碼添加小助手

加入工程師交流群

    評論

    相關推薦
    熱點推薦

    腐蝕環境及腐蝕速率綜合采集

    在工業生產、基礎設施運維等多個關鍵領域,腐蝕問題始終是影響設備壽命、威脅運行安全的重要隱患,腐蝕環境監測行業應運而生,為各類場景提供專業的腐蝕防控支撐。2021年,昱櫟技術團隊深耕該領域,完成了一套
    的頭像 發表于 01-29 17:38 ?637次閱讀
    <b class='flag-5'>腐蝕</b>環境及<b class='flag-5'>腐蝕</b><b class='flag-5'>速率</b>綜合采集

    氣動純鎳旋塞閥DN15-600

    有濃度和溫度下的苛性堿溶液(如氫氧化鈉、氫氧化鉀)中表現優異,抗堿裂性能突出。同時,可耐受硫酸、鹽酸、磷酸等強酸及中性鹽溶液,適用于高溫濃堿腐蝕介質工況。 壓力與通徑范圍 公稱通徑:D
    發表于 12-18 11:58

    濕法蝕刻的最佳刻蝕條件是什么

    濕法蝕刻的最佳刻蝕條件需綜合溶液體系、溫度控制、時間管理及材料特性等因素,具體如下: 溶液體系與濃度 氫氟酸緩沖體系(BOE):采用HF:NH?F:H?O=6:1:1的體積比配置,pH
    的頭像 發表于 11-11 10:28 ?519次閱讀

    從晶圓到芯片:全自動腐蝕清洗機的精密制造賦能

    全自動硅片腐蝕清洗機的核心功能與工藝特點圍繞高效、精準和穩定的半導體制造需求展開,具體如下:核心功能均勻可控的化學腐蝕動態浸泡與旋轉同步機制:通過晶圓槽式浸泡結合特制轉籠自動旋轉設計,使硅片在蝕刻
    的頭像 發表于 10-30 10:45 ?548次閱讀
    從晶圓到芯片:全自動<b class='flag-5'>腐蝕</b>清洗機的精密制造賦能

    半導體濕法腐蝕工藝中,如何選擇合適的掩模圖形來控制腐蝕區域?

    ,對于MEMS器件中的懸臂梁或膜片等結構,需要精確控制其厚度和輪廓;而在集成電路制造中,則要確保互連線之間的隔離區域準確無誤。 考慮到濕法腐蝕通常是各向同性的(即在所有方向上的腐蝕速率相同),這意味著掩模邊緣的設計必
    的頭像 發表于 10-27 11:03 ?476次閱讀

    ATA-2021B高壓放大器在液晶腐蝕傾斜光柵靈敏度增強電場傳感器研究中的應用

    折射率溶液(E7液晶)中利用HF蝕刻傾斜光柵的溫度不敏感電場傳感器。實驗過程:光纖電場傳感器使用通過寬帶光源BBS通過TFBG的透射光訪問OSA。TFBG是一個10°
    的頭像 發表于 10-23 18:49 ?5802次閱讀
    ATA-2021B高壓放大器在液晶<b class='flag-5'>腐蝕</b>傾斜光柵靈敏度增強電場傳感器研究中的應用

    SC2溶液可以重復使用嗎

    SC2溶液通常不建議重復使用,主要原因如下:污染物累積導致效率下降SC2溶液(典型配方為HCl:H?O?:H?O)在清洗過程中會逐漸溶解金屬離子、顆粒物及其他雜質。隨著使用次數增加,溶液中的污染物
    的頭像 發表于 10-20 11:21 ?627次閱讀
    SC2<b class='flag-5'>溶液</b>可以重復使用嗎

    蝕刻機遠程監控物聯網解決方案

    行業背景 隨著工業技術的不斷發展,物聯網作為新興生產力正在深刻改變多個行業的工作方式。自動蝕刻機通過利用金屬對電解作用的反應,能夠精確地將金屬進行腐蝕刻畫,從而制作出高精度的圖紋、花紋及幾何形狀產品
    的頭像 發表于 10-15 10:13 ?400次閱讀
    <b class='flag-5'>蝕刻</b>機遠程監控物聯網解決方案

    晶圓蝕刻用得到硝酸鈉溶液

    晶圓蝕刻過程中確實可能用到硝酸鈉溶液,但其應用場景較為特定且需嚴格控制條件。以下是具體分析:潛在作用機制氧化性輔助清潔:在酸性環境中(如與氫氟酸或硫酸混合),硝酸鈉釋放的NO??離子可作為強氧化劑
    的頭像 發表于 10-14 13:08 ?355次閱讀
    晶圓<b class='flag-5'>蝕刻</b>用得到硝酸鈉<b class='flag-5'>溶液</b>

    如何設定清洗槽的溫度

    的活化能曲線確定最佳反應溫度區間。例如,酸性溶液(如H?SO?/H?O?混合液)通常在70–85℃時反應速率顯著提升,可加速有機物碳化分解;而堿性溶液(如NH?OH
    的頭像 發表于 09-28 14:16 ?482次閱讀
    如何設定清洗槽的<b class='flag-5'>溫度</b>

    半導體金屬腐蝕工藝

    半導體金屬腐蝕工藝是集成電路制造中的關鍵環節,涉及精密的材料去除與表面改性技術。以下是該工藝的核心要點及其實現方式:一、基礎原理與化學反應體系金屬腐蝕本質上是一種受控的氧化還原反應過程。常用酸性溶液
    的頭像 發表于 09-25 13:59 ?1221次閱讀
    半導體金屬<b class='flag-5'>腐蝕</b>工藝

    濕法腐蝕工藝處理硅片的原理介紹

    濕法腐蝕工藝處理硅片的核心原理是基于化學溶液與硅材料之間的可控反應,通過選擇性溶解實現微納結構的精密加工。以下是該過程的技術要點解析:化學反應機制離子交換驅動溶解:以氫氟酸(HF)為例,其電離產生
    的頭像 發表于 09-02 11:45 ?1050次閱讀
    濕法<b class='flag-5'>腐蝕</b>工藝處理硅片的原理介紹

    如何在實際應用中監測和控制溫度變化速率

    LZ-DZ100電能質量在線監測裝置 在實際應用中(如電能質量在線監測裝置的溫度循環試驗、現場安裝后的環境監控等),監測和控制溫度變化速率需要結合 專用設備、精準傳感、閉環控制算法 及 場景適配策略
    的頭像 發表于 08-22 11:40 ?1225次閱讀
    如何在實際應用中監測和控制<b class='flag-5'>溫度</b>變化<b class='flag-5'>速率</b>?

    酸性溶液清洗劑的濃度是多少合適

    酸性溶液清洗劑的濃度選擇需綜合考慮清洗目標、材料特性及安全要求。下文將結合具體案例,分析濃度優化與工藝設計的關鍵要點。酸性溶液清洗劑的合適濃度需根據具體應用場景、清洗對象及污染程度綜合確定,以下
    的頭像 發表于 07-14 13:15 ?2141次閱讀
    酸性<b class='flag-5'>溶液</b>清洗劑的濃度是多少合適

    什么是高選擇性蝕刻

    華林科納半導體高選擇性蝕刻是指在半導體制造等精密加工中,通過化學或物理手段實現目標材料與非目標材料刻蝕速率的顯著差異,從而精準去除指定材料并保護其他結構的工藝技術?。其核心在于通過工藝優化控制
    的頭像 發表于 03-12 17:02 ?1003次閱讀