電壓控制的場效應(yīng)晶體管（FET），主要用于放大弱信號，主要是無線信號，放大模擬和數(shù)字信號。 場效應(yīng)晶體管（FET）是一種使用電場效應(yīng)改變器件電性能的晶體管。 它們被用于從RF技術(shù)到開關(guān)，從功率控制到放大的電子電路中。 他們使用電場來控制通道的電導(dǎo)率。 FET分為JFET（結(jié)型場效應(yīng)晶體管）和MOSFET（金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管）。 兩者都主要用于集成電路，并且在工作原理上非常相似，但是它們的組成略有不同。 讓我們詳細(xì)認(rèn)識下兩者。

什么是JFET？

JFET是最簡單的場效應(yīng)晶體管，其中電流可以從源極流到漏極或從漏極流到源極。 與雙極結(jié)型晶體管（BJT）不同，JFET使用施加到柵極端子的電壓來控制流過漏極端子和源極端子之間通道的電流，從而導(dǎo)致輸出電流與輸入電壓成比例。 柵極端子反向偏置。 這是一種用于電子開關(guān)，電阻器和放大器的三端單極半導(dǎo)體器件。 它期望輸入和輸出之間具有高度隔離，這使其比雙極結(jié)型晶體管更穩(wěn)定。 與BJT不同，允許的電流量由JFET中的電壓信號確定。

JFET通常分為兩種基本結(jié)構(gòu)：

N溝道JFET –流過漏極和源極之間的溝道的電流以電子形式為負(fù)。 它具有比P溝道類型更低的電阻。P溝道JFET –流過該通道的電流以空穴形式為正。 它具有比N溝道同類產(chǎn)品更高的電阻值。

什么是MOSFET？

MOSFET是一種四端半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管，由可控硅氧化制成，所施加的電壓決定了器件的電導(dǎo)率。 MOSFET代表金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管。位于源極和漏極通道之間的柵極通過金屬氧化物薄層與該通道電絕緣。這個(gè)是控制源極和漏極通道之間的電壓和電流流動(dòng)。 MOSFET由于其高輸入阻抗而在集成電路中起著至關(guān)重要的作用。它們主要用于功率放大器和開關(guān)，此外，它們作為功能元件在嵌入式系統(tǒng)設(shè)計(jì)中也起著至關(guān)重要的作用。

它們通常分為兩種配置：

耗盡模式MOSFET –柵極至源極電壓為零時(shí)，器件通常為“ ON”狀態(tài)。施加電壓低于漏極至源極電壓增強(qiáng)模式MOSFET –柵極至源極電壓為零時(shí)，器件通常為“ OFF”。

JFET和MOSFET之間的區(qū)別？

FET和MOSFET的基礎(chǔ)

JFET和MOSFET都是壓控晶體管，用于放大模擬和數(shù)字弱信號。兩者都是單極器件，但組成不同。 JFET代表結(jié)型場效應(yīng)晶體管，而MOSFET則代表金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管。前者是三端子半導(dǎo)體器件，而后者是四端子半導(dǎo)體器件。

FET和MOSFET的工作模式

與雙極結(jié)型晶體管（BJT）相比，兩者的跨導(dǎo)值都較小。 JFET只能在耗盡模式下工作，而MOSFET可以在耗盡模式和增強(qiáng)模式下工作。

FET和MOSFET中的輸入阻抗

JFET的高輸入阻抗約為1010歐姆，這使其對輸入電壓信號敏感。 MOSFET提供比JFET更高的輸入阻抗，這得益于金屬氧化物絕緣體，使得它們在柵極端的電阻更高。

柵極漏電流

它是指即使關(guān)閉了電子設(shè)備，由于電子設(shè)備而導(dǎo)致的逐漸損耗的電能。雖然JFET允許柵極泄漏電流為10 ^ -9 A數(shù)量級，但MOSFET的柵極泄漏電流將為10 ^ -12 A數(shù)量級。

FET和MOSFET中的損壞電阻

由于額外的金屬氧化物絕緣體會降低柵極的電容，從而使晶體管容易受到高壓損壞，因此MOSFET更容易受到靜電放電的損害。另一方面，JFET比MOSFET具有更高的輸入電容，因此不易受到ESD損壞。

FET和MOSFET的成本

JFET遵循簡單，不太復(fù)雜的制造工藝，這使其比MOSFET便宜，而MOSFET由于制造工藝更加復(fù)雜而價(jià)格昂貴。附加的金屬氧化物層增加了總成本。

FET和MOSFET的應(yīng)用

JFET是電子開關(guān)，緩沖放大器等低噪聲應(yīng)用。另一方面，MOSFET主要用于高噪聲應(yīng)用，例如開關(guān)和放大模擬或數(shù)字信號，此外，它們還用于電機(jī)控制應(yīng)用和嵌入式系統(tǒng)。