引言

半導體制造過程中，在每個過程前后實施的清洗過程約占整個過程的30%，是重要的過程之一。特別是以RCA清潔為基礎的濕式清潔工藝，除了化學液的過度使用、設備的巨大化、廢水造成的環境污染等問題外，重要的是有效地沖洗，防止清潔化學液在道工序后在晶片表面殘留，以及防止水斑點等污染物再次污染。因此，最近在濕清洗過程中，正在努力減少化學液和超純水的量，回收利用，開發新的清洗過程，在干燥過程中，使用超純水和IPA分離層的marangoni干燥方法正在引入。本研究考察了不同于傳統的marangoni方法，利用超純水和IPA的混合溶液表面進行干燥和去除污染顆粒的效果。

實驗方法

自制了超純水和IPA混合溶液安裝在室內，為了制造一定濃度的混合溶液，我們先在單獨的容器中混合，并保持混合溶液在bath內以3 LPM的流量恒定地投入。此外，為了方便晶片的干燥，還采取了其他措施。

實驗結果

根據IPA的濃度變化，觀察晶片表面污染顆粒的增減情況，在IPA添加量為低濃度和高濃度的情況下，可以觀察到良好的結果。而且，將晶片從bath內取出到大氣中時的解除速度對晶片表面的污染粒子數沒有太大影響，但對晶片底部的water droplet形成有很大影響，結論表明與GAN有密切關系。另外，繼續反復使用超純水和IPA混合溶液進行工藝，表明晶片表面存在的粒子數量沒有增加，而是保持在一定水平。干燥過程中吹的hot N2的溫度變化，晶片表面溫度在各部分觀察不一樣，但沒有特別的影響。