鐵路、汽車、基礎設施、家電等電力電子一直在與我們息息相關的生活中支持著我們。為節省能源和降低含碳量（實現脫碳），需要高度高效的電力電子技術。IGBT、SiC、GaN等次時代功率器件的存在是實現這一目標的重要一環，但一旦使用不當則會導致意想不到的不良或降低可靠性，嚴重時可能會因為市場不良導致召回。其中尤為重要的是直接影響可靠性的熱設計。一旦發生問題，則可能會需要重新進行器件選型，修改基板布局，重新進行散熱設計等，從而導致返工工時以及成本的增加。

為此，羅姆準備了一系列的應用筆記，匯總了與熱設計相關的信息，將有助于提高設備可靠性，減少設計返工。應用筆記匯總了用戶開發流程各階段所需的技術信息的文檔，從基礎到實踐性內容全方位支持客戶。在此本白皮書中，將分4大步驟介紹為成功進行熱設計所準備的應用筆記。點擊下方圖片，即可下載白皮書。

步驟 1 學習熱設計的基礎

步驟 2 了解所使用元器件的熱特性

步驟 3 活用熱仿真

步驟 4 正確進行熱測量

以上四個步驟涵蓋了提高應用設備可靠性、削減設計返工工時所需的相關熱設計信息，您可在白皮書中查看詳細內容以及相關內容參考文件。同時，針對從元器件選型到仿真、評價、基板制作等各個流程，羅姆還備有解決用戶課題的最佳解決方案。通過這些內容，可以提高用戶應用開發的速度，并為防止故障、不良的發生做出貢獻。

除此以外，您還可以在關于第4代SiC MOSFET的相關介紹和羅姆官網的應用筆記和設計模型中下載該白皮書。

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審核編輯：湯梓紅