半導體集成電路（IC）中的熱特性參數ΨJT由JEDEC Standard定義，需要測量封裝外面的頂部中央的溫度TT。但是，在分立半導體中不存在這樣的定義，在功率器件中，有時芯片沒有搭載在封裝中央，熱電偶的溫度測量位置與IC不同。本應用說明提供了有關功率器件的熱電偶測量位置的指南。

背景

半導體集成電路（IC）中的熱特性參數ΨJT為JEDEC StandardJESD51-2A定義為“結溫度TJ與組件封裝外頂部中心溫度TT之差除以組件上的功率”。但是，在分立半導體中不存在這樣的定義，在使用熱電偶測量封裝表溫度的情況下，由于在功率器件中存在芯片未搭載在封裝中央的情況、或搭載有多個芯片的情況，適當的測量位置因器件而異。

為了使用從結到溫度測量點的熱特性參數Ψ來準確地估計結溫TJ，給出了功率器件的熱電偶測量位置的指導方針。

推薦測定位置

首先，給出了功率器件中熱電偶的溫度測量位置。建議的熱電偶測量位置為封裝上芯片正上方或封裝頂部的中間。你需要根據每個器件的特點來選擇位置。推薦此測量位置的原因有兩個：

1. 芯片與測量點之間的熱特性參數Ψ是穩定的。

2. 確保絕緣。

溫度測量時的注意事項

以下是使用熱電偶測量溫度時的注意事項。使用熱電偶時，如果處理不當，可能會導致與原來不同的結果，因此需要注意。請參考以下要點。

1. 熱電偶有很多種類，如果不使用適合用途的熱電偶，測量溫度就會變低。對于半導體器件用途，推薦K型1級。

2. 如果線徑粗，則由于從熱電偶本身散熱，所以測定溫度變低。建議使用AWG36-40。

3. 焊接是前端處理的最佳選擇。在絞線處理中，測量溫度變低。

4. 推薦的固定方法是使用最少量的環氧膠粘劑。聚酰亞胺帶有可能從器件浮起，其結果是測定溫度變低。

5. 導線必須沿著封裝主體布線到PCB。由此，能夠減輕由來自引線的散熱引起的熱電偶接合部的溫度降低。

6. 測量環境必須與最終產品的環境一致。