IGBT簡介：

IGBT(絕緣柵雙極性晶體管)是常見的功率器件，期間經常使用在強電流高電壓的場景中，如電動汽車、變電站等。器件結構由MOSFET及BGT組合而成，兼具了高輸入阻抗及低導通壓降的優點，IGBT是電力電子設備的“cpu”，被國家列為重點研究對象。

IGBT測試難點：

1、由于IGBT是多端口器件，所以需要多個測量模塊協同測試。

2、IGBT的漏電流越小越好，所以需要高精度的設備進行測試。

3、IGBT動態電流范圍大，測試時需要量程范圍廣，且量程可以自動切換的模塊進行測試。

4、由于IGBT工作在強電流下，自加熱效應明顯，脈沖測試可以減少自加熱效應，所以MOSFET需要進行脈沖IV測試，用于評估期間的自加熱特性。

5、MOSFET的電容曲線是其特性表征的重要內容，且與其在高頻應用有密切關系。所以IGBT的電容測試非常重要。

6、IGBT開關特性非常重要，需要進行雙脈沖動態參數的測試。

高電壓大電流IGBT靜態測試系統簡介

功率器件靜態參數測試系統集多種測量和分析功能一體，可精準測量功率器件(MOSFET、BJT、IGBT等)的靜態參數，電壓可高達3KV,電流可高達4KA。該系統可測量不同封裝類型的功率器件的靜態參數，具有高電壓和大電流特性，uΩ級電阻，pA級電流精準測量等特點。支持高壓模式下測量功率器件結電容，如輸入電容，輸出電容、反向傳輸電容等。

產品特點

高電壓：支持高達3KV高電壓測試;

大電流：支持高達4KA大電流測試;

高精度：支持uΩ級電阻、pA級電流、uV級精準測量;

豐富模板：內置豐富的測試模板，方便用戶快速配置測試參數;

配置導出：支持一鍵導出參數配置及一鍵啟動測試功能;

數據預覽及導出：支持圖形界面以及表格展示測試結果，亦可一鍵導出;

模塊化設計：內部采用模塊化結構設計，可自由配置，方便維護;

可拓展：支持拓展溫控功能，方便監控系統運行溫度;

可定制開發：可根據用戶測試場景定制化開發;

技術指標

高電壓大電流IGBT靜態測試系統應用

功率器件如二極管、三極管、MOS管、IGBT、SIC、GaN;

審核編輯：湯梓紅