IGBT靜態(tài)參數(shù)是評估其正常工作狀態(tài)下電學(xué)特性的關(guān)鍵指標(biāo)，主要包含以下核心參數(shù)及定義：

一、基本靜態(tài)參數(shù)

?柵極-發(fā)射極閾值電壓（VGE(th)）?
使IGBT導(dǎo)通所需的最小柵極電壓，直接影響器件導(dǎo)通控制。

?柵極-發(fā)射極漏電流（IGES）?
柵極與發(fā)射極在關(guān)斷狀態(tài)下的漏電流，反映柵極絕緣性能。

?集電極-發(fā)射極截止電流（ICES）?
關(guān)斷狀態(tài)下集電極到發(fā)射極的漏電流，表征器件阻斷能力。

?集電極-發(fā)射極飽和電壓（VCE(sat)）?
導(dǎo)通狀態(tài)下的集電極與發(fā)射極間壓降，決定導(dǎo)通損耗，需在指定溫度和電流下測試。

?續(xù)流二極管正向壓降（VF）?
內(nèi)置續(xù)流二極管導(dǎo)通時(shí)的正向電壓，影響反向續(xù)流效率。

二、電容相關(guān)參數(shù)

?輸入電容（Ciss）?
柵極-發(fā)射極電容與柵極-集電極電容之和，影響驅(qū)動(dòng)電路設(shè)計(jì)。

?輸出電容（Coss）?
集電極-發(fā)射極間電容，與開關(guān)過程中的能量損耗相關(guān)。

?反向傳輸電容（Crss）?
柵極-集電極電容，影響開關(guān)速度及信號耦合。

三、耐壓與可靠性參數(shù)

?集電極-發(fā)射極阻斷電壓（VCES或BVCES）?
關(guān)斷時(shí)集電極-發(fā)射極可承受的最大電壓，表征耐壓能力。

?跨導(dǎo)（gfs）?
柵極電壓對集電極電流的控制能力，影響導(dǎo)通特性的一致性。

四、測試條件

靜態(tài)參數(shù)測試通常在固定溫度（如25℃及高溫）及穩(wěn)定導(dǎo)通/關(guān)斷狀態(tài)下進(jìn)行，需確保器件處于熱平衡狀態(tài)。

五、測試設(shè)備

IGBT靜態(tài)參數(shù)測試儀SC5016可用于多種封裝形式的大功率二極管 、大功率IGBT模塊、大功率雙極型晶體管，大功率MOS管等器件的 V-I 特性測試，也可用于中小功率單管測試，幾乎可以測試1600A（可擴(kuò)展至2000A），5000V以下的各種功率器件，還可用測試標(biāo)準(zhǔn)低阻值電阻，廣泛應(yīng)用于軌道交通，電動(dòng)汽車 ，風(fēng)力發(fā)電，變頻器，焊機(jī)行業(yè)的IGBT來料選型和失效分析，設(shè)備還可以用于變頻器，風(fēng)電，軌道交通，電焊機(jī)等行業(yè)的在線檢修，無需從電路板上取下來進(jìn)行單獨(dú)測試，可實(shí)現(xiàn)在線IGBT檢測，測試方便，測試過程簡單，既可以在測試主機(jī)里設(shè)置參數(shù)直接測試，又可以通過軟件控制主機(jī)編程后進(jìn)行自動(dòng)測試，通過電腦操作完成 IGBT 的靜態(tài)參數(shù)測試，整個(gè)測試過程自動(dòng)完成，電腦軟件攜帶數(shù)據(jù)庫管理查詢功能，方便操作使用。

產(chǎn)品特點(diǎn)：

1、產(chǎn)品型號及名稱：SC5016 IGBT靜態(tài)參數(shù)測試儀

2、產(chǎn)品測試電流電壓為1200A,±5000V,向下兼容

3、VGE最高可達(dá)±100V；開啟電壓VGETH支持兩種測試方法；

4、采用插槽式設(shè)計(jì)結(jié)構(gòu)，便于升級和維護(hù)；

5、設(shè)備支持SI基，SIC材料的MOS管，IGBT單管及模塊，二極管測試，晶閘管測試，

6、自動(dòng)進(jìn)行分檔測試，既覆蓋大功率特征下的測試范圍，又可保證小功率器件測試精度

7、支持單點(diǎn)測試，I-V曲線掃描，還具有曲線對比功能；

8、測試數(shù)據(jù)可存儲(chǔ)為Excel文件，WORD報(bào)告

9、安全性，防爆，防觸電，防燙傷，短路保護(hù)等多重保護(hù)措施，確保操作人員、設(shè)備、數(shù)據(jù)及樣品安全。

產(chǎn)品指標(biāo)：

1) 測試電壓范圍：0-±5000V

2) 測試電流范圍：0-±1600A

3) 測試柵極電壓范圍：0-±100V

4) 電壓最高分辨率：1mV

5) 電流最高分辨率：1nA

6)恒流脈沖寬度：50~300uS

7)工作頻率：0.1~10Hz

8)電源輸入電壓：220VAC

測試參數(shù)：

（1）Diode（支持 Si ,SiC , GaN 材料器件）

靜態(tài)參數(shù)：BVR/擊穿電壓、IR/漏電流、VF/正向壓降；

（2）MOSFET（支持 Si ,SiC , GaN 材料器件）

靜態(tài)參數(shù)：BVDSS/漏源極擊穿電壓，VGS(th)/柵極開啟電壓，IDSS/漏源極漏電流，VF/二極管正向壓降；Rdson/導(dǎo)通內(nèi)阻

（3）IGBT單管及模塊（支持 Si ,SiC , GaN 材料器件）

靜態(tài)參數(shù)：BVCES/集射極擊穿電壓，VGE(th)/柵極開啟電壓 、ICES/集射極漏電流、VF/二極管正向壓降；VCESAT/飽和壓降，IGESR,IGESF/柵極漏電流

說明：整個(gè)測試過程自動(dòng)完成，電腦軟件攜帶數(shù)據(jù)庫管理查詢功能，可生成測試曲線，方便操作使用。

審核編輯 黃宇