IGBT靜態參數是評估其正常工作狀態下電學特性的關鍵指標，主要包含以下核心參數及定義：

一、基本靜態參數

?柵極-發射極閾值電壓（VGE(th)）?
使IGBT導通所需的最小柵極電壓，直接影響器件導通控制。

?柵極-發射極漏電流（IGES）?
柵極與發射極在關斷狀態下的漏電流，反映柵極絕緣性能。

?集電極-發射極截止電流（ICES）?
關斷狀態下集電極到發射極的漏電流，表征器件阻斷能力。

?集電極-發射極飽和電壓（VCE(sat)）?
導通狀態下的集電極與發射極間壓降，決定導通損耗，需在指定溫度和電流下測試。

?續流二極管正向壓降（VF）?
內置續流二極管導通時的正向電壓，影響反向續流效率。

二、電容相關參數

?輸入電容（Ciss）?
柵極-發射極電容與柵極-集電極電容之和，影響驅動電路設計。

?輸出電容（Coss）?
集電極-發射極間電容，與開關過程中的能量損耗相關。

?反向傳輸電容（Crss）?
柵極-集電極電容，影響開關速度及信號耦合。

三、耐壓與可靠性參數

?集電極-發射極阻斷電壓（VCES或BVCES）?
關斷時集電極-發射極可承受的最大電壓，表征耐壓能力。

?跨導（gfs）?
柵極電壓對集電極電流的控制能力，影響導通特性的一致性。

四、測試條件

靜態參數測試通常在固定溫度（如25℃及高溫）及穩定導通/關斷狀態下進行，需確保器件處于熱平衡狀態。

五、測試設備

IGBT靜態參數測試儀SC5016可用于多種封裝形式的大功率二極管 、大功率IGBT模塊、大功率雙極型晶體管，大功率MOS管等器件的 V-I 特性測試，也可用于中小功率單管測試，幾乎可以測試1600A（可擴展至2000A），5000V以下的各種功率器件，還可用測試標準低阻值電阻，廣泛應用于軌道交通，電動汽車 ，風力發電，變頻器，焊機行業的IGBT來料選型和失效分析，設備還可以用于變頻器，風電，軌道交通，電焊機等行業的在線檢修，無需從電路板上取下來進行單獨測試，可實現在線IGBT檢測，測試方便，測試過程簡單，既可以在測試主機里設置參數直接測試，又可以通過軟件控制主機編程后進行自動測試，通過電腦操作完成 IGBT 的靜態參數測試，整個測試過程自動完成，電腦軟件攜帶數據庫管理查詢功能，方便操作使用。

產品特點：

1、產品型號及名稱：SC5016 IGBT靜態參數測試儀

2、產品測試電流電壓為1200A,±5000V,向下兼容

3、VGE最高可達±100V；開啟電壓VGETH支持兩種測試方法；

4、采用插槽式設計結構，便于升級和維護；

5、設備支持SI基，SIC材料的MOS管，IGBT單管及模塊，二極管測試，晶閘管測試，

6、自動進行分檔測試，既覆蓋大功率特征下的測試范圍，又可保證小功率器件測試精度

7、支持單點測試，I-V曲線掃描，還具有曲線對比功能；

8、測試數據可存儲為Excel文件，WORD報告

9、安全性，防爆，防觸電，防燙傷，短路保護等多重保護措施，確保操作人員、設備、數據及樣品安全。

產品指標：

1) 測試電壓范圍：0-±5000V

2) 測試電流范圍：0-±1600A

3) 測試柵極電壓范圍：0-±100V

4) 電壓最高分辨率：1mV

5) 電流最高分辨率：1nA

6)恒流脈沖寬度：50~300uS

7)工作頻率：0.1~10Hz

8)電源輸入電壓：220VAC

測試參數：

（1）Diode（支持 Si ,SiC , GaN 材料器件）

靜態參數：BVR/擊穿電壓、IR/漏電流、VF/正向壓降；

（2）MOSFET（支持 Si ,SiC , GaN 材料器件）

靜態參數：BVDSS/漏源極擊穿電壓，VGS(th)/柵極開啟電壓，IDSS/漏源極漏電流，VF/二極管正向壓降；Rdson/導通內阻

（3）IGBT單管及模塊（支持 Si ,SiC , GaN 材料器件）

靜態參數：BVCES/集射極擊穿電壓，VGE(th)/柵極開啟電壓 、ICES/集射極漏電流、VF/二極管正向壓降；VCESAT/飽和壓降，IGESR,IGESF/柵極漏電流

說明：整個測試過程自動完成，電腦軟件攜帶數據庫管理查詢功能，可生成測試曲線，方便操作使用。

審核編輯 黃宇