国产精品久久久aaaa,日日干夜夜操天天插,亚洲乱熟女香蕉一区二区三区少妇,99精品国产高清一区二区三区,国产成人精品一区二区色戒,久久久国产精品成人免费,亚洲精品毛片久久久久,99久久婷婷国产综合精品电影,国产一区二区三区任你鲁

0
  • 聊天消息
  • 系統消息
  • 評論與回復
登錄后你可以
  • 下載海量資料
  • 學習在線課程
  • 觀看技術視頻
  • 寫文章/發帖/加入社區
會員中心
創作中心

完善資料讓更多小伙伴認識你,還能領取20積分哦,立即完善>

3天內不再提示

碳化硅進軍消費類市場,引領手機快充新潮流

海明觀察 ? 來源:電子發燒友網 ? 作者:李誠 ? 2022-02-11 09:22 ? 次閱讀
加入交流群
微信小助手二維碼

掃碼添加小助手

加入工程師交流群

電子發燒友網報道(文/李誠)隨著智能手機的快速發展,手機續航和充電體驗成為了手機廠商和消費者首要關注的問題。在手機充電領域中氮化鎵的應用最為廣泛,也是被消費者最為熟知的一種產品。其實碳化硅快充設備也是有的,只不過大多分布在汽車電子和工業領域,再加上設計成本以及多方面的因素所制約,導致碳化硅在消費類的應用中的普及率不及氮化鎵。

碳化硅與氮化鎵一樣,同屬于第三代化合物,是大功率設備的關鍵性材料。碳化硅材料具有禁帶寬度大、導通電阻低、開關頻率高等電氣特性。

在大功率設備中碳化硅禁帶寬度大的特性能夠承受住更高的電壓和溫度,這也就意味著碳化硅能夠比硅基材料承受住更高的功率;在導通電阻方面,碳化硅的導通電阻也比硅基材料更低,可以有效降低設備在運行過程中出現過熱的情況,避免功率損耗過高,提高電能利用率;在開關頻率方面,碳化硅與氮化鎵的開關頻率都相對較高,在充電器設計中,開關頻率的大小與變壓器的體積是相互掛鉤的,較高的開關頻率可使得變壓器的線圈匝數、橫截面積盡可能地做到小型化,這也是為什么氮化鎵被大功率快充廣泛使用的原因之一。

新春首秀,派恩杰碳化硅65W PD快充方案

2月7日,專注于碳化硅與氮化鎵功率器件設計及方案的國產廠商派恩杰推出了新一代基于碳化硅應用的65W PD快充解決方案,也是派恩杰首次將碳化硅技術成功導入消費類快充解決方案中。

圖源:派恩杰

上圖為派恩杰65W PD快充方案的Demo,在該設計方案中主要采用了派恩杰的碳化硅MOSFET P3M06300D8作為功率開關管提升系統的整體效率。

P3M06300D8是一款耐壓值為650V N溝道的增強型SiC MOSFET,該MOSFET具有高頻、低導通電阻、小柵極電荷的電氣特性。導通電阻為300mΩ,柵極電荷為2.75nC,在場效應管中柵極電荷的值對元器件的開關性能具有較大的影響。舉個例子,當電流為100mA時,柵極電荷為100nC的MOSFET充滿或放盡所需的時間為1us,柵極電荷為20nC的MOSFET所需時間為200ns。這也就意味著P3M06300D8能夠在27.5ns內完成一次導通或者關斷的操作,這也是該快充方案小型化的關鍵因數之一。

圖源:Richtek

在該方案中初級側的控制器采用的是立锜科技(Richtek)的RT7790 PWM控制器對電路進行控制,并形成一個可編程USB PD快充方案。RT7790 內部集成了雙向控制邏輯,可通過脈沖變壓器向次極端控制器發送零電壓開關的脈沖信號,也可以接收由次級端反饋回來的脈沖信號,零電壓開關的功能能夠給系統帶來更高轉換效率的同時,并降低MOSFET的發熱量。在該方案中,RT7790 PWM控制器可以直接對P3M06300D8 MOSFET進行驅動,無需在電路中進行額外的驅動設計,實現了簡化電路設計,加快終端產品上市的目的。

圖源:派恩杰

上圖為該65W PD快充方案在110Vac和220Vac兩種工作電壓上的效率變化曲線。通過觀察發現,該方案在工作電壓為110Vac時,系統效率均保持在91%以上。工作電壓為200Vac時,系統效率達到峰值,接近94%。

據悉,該方案結合了碳化硅在開關電源領域的各項優勢,Demo的功率密度達到了1.98W/cm3,與其他基于氮化鎵快充方案的1.1~1.3W/cm3相比高出了不少。

值得一提的是,派恩杰在這款碳化硅MOSFET上進行了多方面的優化,并將產品的售價控制到了與120mohm~140mohm的硅基MOSFET相近的價格。畢竟碳化硅之所以在消費類產品中未能快速普及的原因之一就是成本的問題,該方案的推出有望加速碳化硅在消費類市場的滲透。


首款引入碳化硅技術的倍思120W快充

談到碳化硅在快充領域的應用,不得不提一下倍思這一終端廠商在該領域的成就,2020年,倍思就已經成功將碳化硅技術導入到快充應用中,并首發了氮化鎵+碳化硅的120W快充充電器。
?
圖源:倍思

倍思此前發布的這款120W快充充電器結合了碳化硅與氮化鎵在電力電子領域的優勢,成功地將充電器的發熱量與體積降至較低的水平,并提高了系統的轉換效率。

該充電器采用了PFC+LLC的電源架構,PFC電路部分采用的是安森美的NCP1616A1 PFC控制器,PFC開關管采用的是納微的NV6127氮化鎵MOSFET,PFC升壓的整流電路采用的是Alpha power的碳化硅二極管ACD06PS065。半橋LLC電路由安森美的NCP13992 PWM控制器和納微的NV6115氮化鎵MOSFET構成。

經測量,該充電器的長度為94.17mm,寬度為55.56毫米,厚度為30.11mm,體積約為150cm3,功率密度為0.76W/cm3,由于這是倍思的早期產品,所以在功率密度方面與現在的產品存在著些許差距,并且價格也相對較高。

結語

成本一直是碳化硅進入消費類市場的關鍵,如今派恩杰推出的這款低成本的碳化硅產品,有望成為碳化硅進軍消費類市場的敲門磚,加速碳化硅在消費類市場的普及,引領手機快充的發展潮流。
聲明:本文內容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網站授權轉載。文章觀點僅代表作者本人,不代表電子發燒友網立場。文章及其配圖僅供工程師學習之用,如有內容侵權或者其他違規問題,請聯系本站處理。 舉報投訴
  • 碳化硅
    +關注

    關注

    26

    文章

    3464

    瀏覽量

    52345
  • 快充技術
    +關注

    關注

    39

    文章

    439

    瀏覽量

    140029
  • 碳化硅MOSFET
    +關注

    關注

    0

    文章

    56

    瀏覽量

    4920
收藏 人收藏
加入交流群
微信小助手二維碼

掃碼添加小助手

加入工程師交流群

    評論

    相關推薦
    熱點推薦

    Wolfspeed成功制造出單晶300mm碳化硅晶圓

    碳化硅技術引領者 Wolfspeed, Inc. (美國紐約證券交易所上市代碼: WOLF) 今日宣布了一項重大行業里程碑:成功制造出單晶 300 mm(12英寸)碳化硅晶圓。憑借著業內最為龐大
    的頭像 發表于 01-16 09:21 ?1937次閱讀

    傾佳電子市場報告:國產SiC碳化硅功率器件在全碳化硅戶用儲能領域的戰略突破

    傾佳電子市場報告:國產SiC碳化硅功率器件在全碳化硅戶用儲能領域的戰略突破 ——以基本半導體B2M065120Z在15kW混合逆變器中的應用為例 傾佳電子(Changer Tech)是一家專注于功率
    的頭像 發表于 11-24 04:57 ?391次閱讀
    傾佳電子<b class='flag-5'>市場</b>報告:國產SiC<b class='flag-5'>碳化硅</b>功率器件在全<b class='flag-5'>碳化硅</b>戶用儲能領域的戰略突破

    探索碳化硅如何改變能源系統

    作者:Michael Williams, Shawn Luke 碳化硅 (SiC) 已成為各行各業提高效率和推動脫碳的基石。碳化硅是高級電力系統的推動劑,可滿足全球對可再生能源、電動汽車 (EV
    的頭像 發表于 10-02 17:25 ?1773次閱讀

    Wolfspeed碳化硅技術實現大規模商用

    碳化硅 (SiC) 技術并非憑空而來,它是建立在數十年的創新基礎之上。近四十年來,Wolfspeed 始終致力于碳化硅 (SiC) 技術和產品的創新并不斷強化基礎專利。僅在過去的五年中,我們
    的頭像 發表于 09-22 09:31 ?835次閱讀

    Wolfspeed 200mm碳化硅材料產品組合開啟大規模商用

    全球碳化硅 (SiC) 技術引領者 Wolfspeed 公司(美國紐約證券交易所上市代碼:WOLF)宣布,Wolfspeed 200mm 碳化硅材料產品開啟大規模商用。這一重要里程碑標志著 Wolfspeed 加速行業從硅向
    的頭像 發表于 09-11 09:12 ?1579次閱讀

    碳化硅在電機驅動中的應用

    今天碳化硅器件已經在多種應用中取得商業的成功。碳化硅MOSFET已被證明是硅IGBT在太陽能、儲能系統、電動汽車充電器和電動汽車等領域的商業可行替代品。
    的頭像 發表于 08-29 14:38 ?7131次閱讀
    <b class='flag-5'>碳化硅</b>在電機驅動中的應用

    碳化硅器件的應用優勢

    碳化硅是第三代半導體典型材料,相比之前的硅材料,碳化硅有著高擊穿場強和高熱導率的優勢,在高壓、高頻、大功率的場景下更適用。碳化硅的晶體結構穩定,哪怕是在超過300℃的高溫環境下,打破了傳統材料下器件的參數瓶頸,直接促進了新能源等
    的頭像 發表于 08-27 16:17 ?1643次閱讀
    <b class='flag-5'>碳化硅</b>器件的應用優勢

    碳化硅晶圓特性及切割要點

    的不同,碳化硅襯底可分為兩:一是具有高電阻率(電阻率≥10^5Ω·cm)的半絕緣型碳化硅襯底,另一是低電阻率(電阻率區間為15~30m
    的頭像 發表于 07-15 15:00 ?1179次閱讀
    <b class='flag-5'>碳化硅</b>晶圓特性及切割要點

    博世碳化硅技術在新能源汽車領域的應用

    驚聞謠傳頭部碳化硅Tier 1玩家博世“被”退出碳化硅賽道,小編表示地鐵、老人、手機.jpg,火速去內部打探消息——結果只想說一句:別慌,博世還在,且蓄勢待發!這樣精彩的舞臺,怎會少了博世這位心動嘉賓。
    的頭像 發表于 07-04 09:46 ?1054次閱讀
    博世<b class='flag-5'>碳化硅</b>技術在新能源汽車領域的應用

    EAB450M12XM3全碳化硅半橋功率模塊CREE

    EAB450M12XM3全碳化硅半橋功率模塊CREEEAB450M12XM3是Wolfspeed(原CREE科銳)生產的1200V、450A全碳化硅半橋功率模塊,致力于高功率、高效化技術應用打造
    發表于 06-25 09:13

    國產SiC碳化硅功率半導體企業引領全球市場格局重構

    SiC碳化硅MOSFET國產化替代浪潮:國產SiC碳化硅功率半導體企業引領全球市場格局重構 1 國產SiC碳化硅功率半導體企業的崛起與技術突
    的頭像 發表于 06-07 06:17 ?1171次閱讀

    LED全息屏與LED晶膜屏:透明顯示新潮流的“雙雄爭霸”

    LED全息屏與LED晶膜屏:透明顯示新潮流的“雙雄爭霸”
    的頭像 發表于 05-17 17:31 ?916次閱讀
    LED全息屏與LED晶膜屏:透明顯示<b class='flag-5'>新潮流</b>的“雙雄爭霸”

    碳化硅功率器件有哪些特點

    隨著全球對綠色能源和高效能電子設備的需求不斷增加,寬禁帶半導體材料逐漸進入了人們的視野。其中,碳化硅(SiC)因其出色的性能而受到廣泛關注。碳化硅功率器件在電力電子、可再生能源以及電動汽車等領域的應用不斷拓展,成為現代電子技術的重要組成部分。本文將詳細探討
    的頭像 發表于 04-21 17:55 ?1259次閱讀

    低劣品質碳化硅MOSFET的濫用將SiC逆變焊機直接推向“早衰”

    低質量碳化硅MOSFET對SiC碳化硅MOSFET逆變焊機新興品類的惡劣影響 低質量碳化硅MOSFET的濫用,可能將這一本應引領焊機產業升級的SiC
    的頭像 發表于 04-14 07:02 ?863次閱讀
    低劣品質<b class='flag-5'>碳化硅</b>MOSFET的濫用將SiC逆變焊機直接推向“早衰”

    為什么碳化硅Cascode JFET 可以輕松實現硅到碳化硅的過渡?

    碳化硅具備多項技術優勢(圖1),這使其在電動汽車、數據中心,以及直流、儲能系統和光伏逆變器等能源基礎設施領域嶄露頭角,成為眾多應用中的新興首選技術。 表1 硅器件(Si)與碳化硅
    發表于 03-12 11:31 ?999次閱讀
    為什么<b class='flag-5'>碳化硅</b>Cascode JFET 可以輕松實現硅到<b class='flag-5'>碳化硅</b>的過渡?