国产精品久久久aaaa,日日干夜夜操天天插,亚洲乱熟女香蕉一区二区三区少妇,99精品国产高清一区二区三区,国产成人精品一区二区色戒,久久久国产精品成人免费,亚洲精品毛片久久久久,99久久婷婷国产综合精品电影,国产一区二区三区任你鲁

0
  • 聊天消息
  • 系統消息
  • 評論與回復
登錄后你可以
  • 下載海量資料
  • 學習在線課程
  • 觀看技術視頻
  • 寫文章/發帖/加入社區
會員中心
創作中心

完善資料讓更多小伙伴認識你,還能領取20積分哦,立即完善>

3天內不再提示

瑞能半導體650V碳化硅功率二極管已具備通過車規認證

lPCU_elecfans ? 來源:電子發燒友網 ? 作者:電子發燒友網 ? 2021-12-25 15:33 ? 次閱讀
加入交流群
微信小助手二維碼

掃碼添加小助手

加入工程師交流群

近日,空港股份公布了重組的消息,公司擬購買瑞能半導體科技股份有限公司(以下簡稱“瑞能半導”)的控股權或全部股權。與一般的收購不同,本次收購將構成重組上市,預計會導致空港股份實控人產生變更。這是瑞能半導在今年6月主動終止科創板IPO后,選擇了“曲線救國”,通過借殼的方式完成上市。

由于瑞能半導的股東數量較多,目前本次交易的交易對方范圍尚未最終確定,這次交易的方案尚在論證過程中。其中,已確定的交易對方包括南昌建恩、北京廣盟、天津瑞芯,上述三方合計持有標的公司 6,428.61 萬股,合計持股比例 71.43%。

同時因為交易目前還處于籌劃極端,存在不確定性,因此空港股份股票自12月14日開市起停牌,預計停牌時間不超過10個交易日。

早在2020年8月18日,瑞能半導科創板IPO就獲得了受理,并于同年9月15日接受了第一輪問詢。但完成三輪問詢回復后,在2021年6月18日瑞能半導主動終止了科創板IPO審核。

根據當時的招股書,瑞能半導科創板IPO擬募資6.73億元,用于C-MOS/IGBT-IPM產品平臺建設項目、南昌實驗室擴容項目、研發中心建設項目以及發展與科技儲備資金。

瑞能半導最初是由恩智浦半導體與北京建廣資產管理有限公司共同投資建立的合資企業,于2016年1月16日正式開業。根據招股書中的介紹,瑞能半導從事功率半導體器件的研發、生產和銷售,是一家擁有芯片設計、晶圓制造、封裝設計的一體化經營功率半導體企業,致力于開發并生產領先的功率半體器件組合。公司主要產品主要包括晶閘管和功率二極管等,廣泛應用于以家電為代表的消費電子、以通信電源為代表的工業制造、新能源及汽車等領域。

其中,從2017至2020年1-3月的數據來看,公司主營業務收入構成以晶閘管、功率二極管為主。

作為國內碳化硅功率器件領域的領先企業,2016年,瑞能半導體成功研制出首款全系列封裝形式的650V碳化硅二極管產品;2018年,公司將碳化硅代工生產工藝平臺從4英寸升級到6英寸;2018年,公司推出首款車用碳化硅產品,應用于新能源汽車充電樁;2019年,開發全系列1200V碳化硅二極管,并獲得行業和市場的認可;2020年,瑞能半導體開始加大碳化硅方向的拓展,新增核心技術人員。

在技術儲備方面,瑞能半導目前已經具備通過車規認證的650V碳化硅功率二極管、以及1200V晶閘管產品,同時在1600V平面高壓功率二極管等高壓產品都已經有批量生產能力。

瑞能半導表示,公司自主研發的晶閘管平面制造技術,目前僅被意法半導體等少數功率半導體公司所掌握,產品性能好于國內大部分主流廠商的制造技術,處于行業內優勢地位;公司自主研發的功率快恢復二極管的先進載流子壽命控制技術處于優勢地位,產品具有可靠,高效等技術特點,已經大量應用于消費電子及工業制造領域;公司掌握的碳化硅二極管產品設計技術對標英飛凌和科銳等碳化硅領域國際領先企業,生產工藝由 4 寸提升至 6 寸,可以應用于新能源及汽車等領域,產品已被臺達、光寶、格力、格力等知名企業驗證使用。

瑞能半導部分產品和制造技術可以說是填補了國內行業空白。公司表示,通過持續的研發投入和技術積累,形成了一系列富有市場競爭力的產品,同時積極推進 IGBT 和碳化硅功率器件等第三代半導體材料器件的研發和生產,為未來穩健的成長提供了強有力地保障支撐。

不過目前對于借殼上市的原因,瑞能半導并未有回應,而公司目前的最新業績也并沒有披露。加上在6月份公司主動撤回IPO申請,瑞能半導依然存在不少謎團,這些信息可能要等待重組上市審核的過程中才會被進一步披露。

原文標題:謎團重重!主動終止IPO之后,瑞能半導這次又要“借殼上市”?

文章出處:【微信公眾號:電子發燒友網】歡迎添加關注!文章轉載請注明出處。

審核編輯:彭菁
聲明:本文內容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網站授權轉載。文章觀點僅代表作者本人,不代表電子發燒友網立場。文章及其配圖僅供工程師學習之用,如有內容侵權或者其他違規問題,請聯系本站處理。 舉報投訴
  • 二極管
    +關注

    關注

    149

    文章

    10408

    瀏覽量

    178447
  • 功率器件
    +關注

    關注

    43

    文章

    2120

    瀏覽量

    95121
  • 瑞能半導體
    +關注

    關注

    0

    文章

    76

    瀏覽量

    7174

原文標題:謎團重重!主動終止IPO之后,瑞能半導這次又要“借殼上市”?

文章出處:【微信號:elecfans,微信公眾號:電子發燒友網】歡迎添加關注!文章轉載請注明出處。

收藏 人收藏
加入交流群
微信小助手二維碼

掃碼添加小助手

加入工程師交流群

    評論

    相關推薦
    熱點推薦

    特瑞仕推出650V SiC肖特基勢壘二極管XBSC41/XBSC42/XBSC43系列

    特瑞仕半導體株式會社(東京都江東區,代表董事:木村岳史,以下簡稱特瑞仕)開發了具備優異耐浪涌電流與浪涌沖擊能力的 650V SiC 肖特基勢壘二極管“XBSC41 / XBSC42 /
    的頭像 發表于 01-22 12:52 ?659次閱讀
    特瑞仕推出<b class='flag-5'>650V</b> SiC肖特基勢壘<b class='flag-5'>二極管</b>XBSC41/XBSC42/XBSC43系列

    森國科發布SOD123封裝1200V/1A碳化硅二極管

    深圳市森國科科技股份有限公司將原本用于硅基器件的小型封裝SOD123成功應用于1200V/1A碳化硅二極管,這一突破彰顯了其在碳化硅器件設計領域的領先實力。
    的頭像 發表于 01-20 16:55 ?641次閱讀
    森國科發布SOD123封裝1200<b class='flag-5'>V</b>/1A<b class='flag-5'>碳化硅</b><b class='flag-5'>二極管</b>

    探索LSIC2SD065D40CC碳化硅肖特基二極管:性能與應用的深度解析

    LSIC2SD065D40CC是一款耐壓650V,每路20A的碳化硅肖特基勢壘二極管。它采用TO - 263 - 2L封裝,這種封裝形式在實際應用中較為常見,方便
    的頭像 發表于 12-15 16:10 ?1059次閱讀

    onsemi碳化硅肖特基二極管NDSH40120CDN:高性能電源解決方案

    在當今電子設備對電源效率、功率密度和可靠性要求日益提高的背景下,碳化硅(SiC)肖特基二極管憑借其卓越的性能,逐漸成為電源設計領域的熱門選擇。本文將詳細介紹安森美(onsemi)的一款40 A
    的頭像 發表于 12-05 10:52 ?543次閱讀
    onsemi<b class='flag-5'>碳化硅</b>肖特基<b class='flag-5'>二極管</b>NDSH40120CDN:高性能電源解決方案

    安森美10A、1200V碳化硅肖特基二極管NDSH10120C-F155解析

    作為電子工程師,我們在電源設計領域總是不斷追求更高的效率、更快的頻率和更小的體積。碳化硅(SiC)肖特基二極管的出現,為我們帶來了新的解決方案。今天就來詳細分析安森美(onsemi)的一款碳化硅肖特基
    的頭像 發表于 12-01 16:07 ?347次閱讀
    安森美10A、1200<b class='flag-5'>V</b><b class='flag-5'>碳化硅</b>肖特基<b class='flag-5'>二極管</b>NDSH10120C-F155解析

    解析 onsemi NDSH20120CDN:SiC 肖特基二極管的卓越性能

    在電力電子領域,不斷追求更高的效率、更快的開關速度和更小的系統尺寸,碳化硅(SiC)肖特基二極管正逐漸成為新一代功率半導體的首選。今天,我們將深入探討 onsemi 的 NDSH201
    的頭像 發表于 12-01 16:01 ?352次閱讀
    解析 onsemi NDSH20120CDN:SiC 肖特基<b class='flag-5'>二極管</b>的卓越性能

    碳化硅肖特基二極管:NDSH20120C-F155的技術剖析

    在電力電子領域,碳化硅(SiC)肖特基二極管正憑借其卓越性能逐漸成為主流。今天我要和大家分享安森美(onsemi)的一款碳化硅肖特基二極管——NDSH20120C - F155,深入探
    的頭像 發表于 12-01 15:55 ?315次閱讀
    <b class='flag-5'>碳化硅</b>肖特基<b class='flag-5'>二極管</b>:NDSH20120C-F155的技術剖析

    探索 onsemi NDSH30120C-F155:碳化硅肖特基二極管的卓越性能

    在電子工程領域,功率半導體器件的性能對于整個系統的效率、可靠性和成本起著至關重要的作用。今天,我們將深入探討 onsemi 的 NDSH30120C-F155 碳化硅(SiC)肖特基二極管
    的頭像 發表于 12-01 15:40 ?531次閱讀
    探索 onsemi NDSH30120C-F155:<b class='flag-5'>碳化硅</b>肖特基<b class='flag-5'>二極管</b>的卓越性能

    SiC碳化硅功率半導體:電力電子行業自主可控與產業升級的必然趨勢

    茜咬住SiC碳化硅MOSFET功率器件三個必然,勇立功率半導體器件變革潮頭: 傾佳電子楊茜咬住SiC碳化硅MOSFET模塊全面取代IGBT模
    的頭像 發表于 09-21 20:41 ?608次閱讀
    SiC<b class='flag-5'>碳化硅</b><b class='flag-5'>功率</b><b class='flag-5'>半導體</b>:電力電子行業自主可控與產業升級的必然趨勢

    森國科650V/10A SiC二極管的七大封裝形態

    第三代半導體碳化硅功率器件領軍企業森國科推出的碳化硅二極管 KS10065(650V/10A),
    的頭像 發表于 08-16 15:55 ?2577次閱讀
    森國科<b class='flag-5'>650V</b>/10A SiC<b class='flag-5'>二極管</b>的七大封裝形態

    新品 | 英飛凌CoolSiC? 第五代1200 V碳化硅肖特基二極管

    新品第五代碳化硅CoolSiC肖特基二極管1200VCoolSiC1200V肖特基二極管采用TO-247-2封裝,可實現高效緊湊設計,具有增強的魯棒性和可靠性。該產品
    的頭像 發表于 08-07 17:06 ?946次閱讀
    新品 | 英飛凌CoolSiC? 第五代1200 <b class='flag-5'>V</b><b class='flag-5'>碳化硅</b>肖特基<b class='flag-5'>二極管</b>

    SiC二極管相比普通二極管有哪些優勢呢?

    功率電子領域,碳化硅(SiC)技術正逐步取代傳統硅基器件。作為寬禁帶半導體的代表,SiC二極管憑借其物理特性在多方面實現了性能突破。寬禁帶半導體
    的頭像 發表于 07-21 09:57 ?1449次閱讀
    SiC<b class='flag-5'>二極管</b>相比普通<b class='flag-5'>二極管</b>有哪些優勢呢?

    恩智浦推出全新1200 V、20 A碳化硅肖特基二極管,助力工業電源應用高效能量轉換

    近日,知名半導體公司恩智浦(NXP)宣布推出兩款新的1200V、20A碳化硅(SiC)肖特基二極管。這些新產品的推出旨在滿足日益增長的工業電源應用需求,特別是在超低
    的頭像 發表于 07-15 09:58 ?1053次閱讀
    恩智浦推出全新1200 <b class='flag-5'>V</b>、20 A<b class='flag-5'>碳化硅</b>肖特基<b class='flag-5'>二極管</b>,助力工業電源應用高效能量轉換

    Diodes公司推出五款高性能650V碳化硅肖特基二極管

    Diodes 公司 (Diodes) (Nasdaq:DIOD) 宣布擴大碳化硅 (SiC) 產品組合,推出五款高性能、低品質因數 (FoM) 的 650V 碳化硅肖特基二極管
    的頭像 發表于 05-12 16:06 ?1051次閱讀

    PI超快速Qspeed H系列二極管可替代碳化硅元件

    PI的超快速Qspeed H系列二極管現可達到650V以及高達30A的電壓電流額定值。這些高功率器件具有業界最低的硅二極管反向恢復電荷(Qrr)。它們是
    的頭像 發表于 03-27 13:46 ?993次閱讀
    PI超快速Qspeed H系列<b class='flag-5'>二極管</b>可替代<b class='flag-5'>碳化硅</b>元件