近年來，隨著用戶需求的增加，計算能力也在快速增長。從手中的移動設備到工廠的互聯機器，全球數據量都在成倍數增長。這些數據為構建數據分析、超級計算、機器學習和人工智能等高性能計算提供動力。

提高速度，降低能耗

滿足尖端計算的需求

為了應對上述變化，計算機不僅需要超快的微處理器，還需要能夠快速、高效和可持續地處理這些數據量的內存解決方案。三星的創新正在幫助滿足這一需求，通過應用迄今為止只能在邏輯半導體中找到的 DRAM（動態隨機存取存儲器）的開發技術來優化其性能。

向DDR5的飛躍

與上一代產品DDR4（第四代雙倍數據速率內存)相比，三星新一代內存芯片DDR5（第五代雙倍數據速率內存）的性能提高了兩倍以上，傳輸數據速度最高可達每秒7200Mbps，超高速處理器的運算速度進一步提高。

計算機內存由內存單元組成，每個單元都能存儲電荷。如果單元帶電荷，計算機軟件將此解讀為二進制狀態“1”。如果單元不帶電荷，計算機軟件將此解讀為二進制狀態“0”。通過這種方式，隨機存取存儲器（Random Access Memory ，RAM) 使用電荷來存儲和處理構成計算機代碼的數百萬個 1 和 0。然而近年來，計算機內存芯片的制造商們一直在突破物理學的極限：為了使內存發揮作用，單元之間需要相互隔絕。否則，電荷可能會在單元間泄漏，損壞RAM 中保存的數據，阻止需要這些數據的程序運行。為了克服這些限制，提高DRAM芯片的性能，三星將主要用于邏輯芯片的高電介質金屬柵極(High-K Metal Gate，HKMG) 工藝技術，應用到了密集的內存芯片上。這改善了緊密包裝的單元之間的絕緣性，數據移動速度達到了DDR4的兩倍以上。 HKMG技術的引進，得益于三星的行業和技術優勢，也是三星與客戶密切合作的結果。

具有內置可持續性的功率增強系統

三星DDR5內存的能耗比上一代減少了 13%，這項成果尤為重要，因為全球數據中心市場正以每年 6.4% 的速度增長。數據中心已經消耗了大約1%的全球能源產量，如果將來能源行業沒有發生重大改變，那么這個數字在未來10年內會增長40倍。對于數據中心的運營商和使用高性能計算的其他用戶來說，需求已經非常明確：他們迫切需要擁有能夠賦予他們更多處理能力的技術，同時減少環境足跡。這正是三星新款DDR5模塊及其HKMG工藝技術希望交付的產品。三星的DDR5內存為電力用戶提供了高容量節能內存模塊，以在性能和效率之間達到平衡。

512 GB內存提升

適用于數據密集型的工作負載

三星DDR5內存使用硅通孔（Through Silicon Via，TSV)技術堆疊了8層16 GB DRAM 芯片，從而能夠提供容量高達512GB的DDR5內存。三星研究人員和工程師實現了內存芯片的創新核心技術，因此，三星的合作伙伴能夠在機器學習，人工智能，分析、超大規模計算，以及其他新興數據密集型工作量的前沿計算等領域中將DDR5內存產品集成和使用于自身產品中。

三星電子DRAM內存規劃/啟用團隊副總裁 Sohn Young-Soo 表示：“該行業確實需要一個變革者，而三星同時擁有邏輯芯片和內存功能，能夠將HKMG技術融入內存產品的開發。憑借DDR5內存模塊，三星為業界提供了能夠快速擴展性能并降低功耗的優質工具。新冠肺炎加快了企業和社會的數字化轉型，在這種情況下，DDR5內存的出現不僅對行業來說是好消息，也是向未來數字世界邁出的關鍵一步。”

*本文中的產品圖片以及型號、數據、功能、性能、規格參數等僅供參考，三星有可能對上述內容進行改進，具體信息請參照產品實物、產品說明書或三星官網（www.samsung.com/cn）。除非經特殊說明，本網站中所涉及的數據均為三星內部測試結果，涉及的對比均為與三星產品相比較。

原文標題：三星半導體｜DDR5內存解決方案：性能提高兩倍，節能13%！

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審核編輯:湯梓紅