芯片制作的過程大體包括沙子原料的提純、拉晶（硅錠）、切片（晶圓）、光刻，蝕刻、離子注入、金屬沉積、金屬層、互連、晶圓測試與切割、核心封裝、等級測試等諸多步驟，而且每一步里邊又包含更多細致的過程。

在一個芯片中，需要分別制作出n型MOS晶體管與p型MOS晶體管。在各自的晶體管制作區域，以適當的濃度的注入各個晶體管所需的雜質（n型MOS： p井，n溝道； p型MOS： n井，p溝道）。 另外，可通過追加摻入不同的雜質及不同濃度的劑量來分別制作不同電壓/特征的晶體管。由于閘形成的尺寸也會對晶體管的性能產生重要影響，因此有必要對光刻膠形成以及柵極蝕刻進行嚴格的尺寸管理。 并且，利用CVD法來沉積多晶硅可形成柵電極。

晶體管級別，六個晶體管的組合，大約500納米。在不同晶體管之間形成復合互連金屬層，具體布局取決于相應處理器所需要的不同功能性。芯片表面看起來異常平滑，但事實上可能包含20多層復雜的電路，放大之后可以看到極其復雜的電路網絡，形如未來派的多層高速公路系統。

經過一道道工藝之后，晶圓上就形成了一個個格狀的晶粒。通過針測的方式對每個晶粒進行電氣特性檢測。一般每個芯片的擁有的晶粒數量是龐大的，組織一次針測試模式是非常復雜的過程，這要求了在生產的時候盡量是同等芯片規格構造的型號的大批量的生產。

本文整合自：半導體行業觀察、雪球網

審核編輯：符乾江