電子發燒友網報道（文/李彎彎）近日消息，億鑄科技（杭州）有限責任公司（簡稱“億鑄科技”）宣布完成過億元天使輪融資，本輪融資由中科創星、聯想之星和匯芯投資（國家5G創新中心）聯合領投。

億鑄科技成立于2021年9月，是目前國內唯一能自主設計并量產基于憶阻器（ReRAM）的“存算一體”算力芯片的供應商。該公司擁有世界頂級的科研、工程及顧問團隊，為數據中心和自動駕駛等領域打造能效比十倍于現有技術的解決方案。

中科創星合伙人林佳亮表示：“億鑄科技是中科創星在先進算力芯片方向上的一個重量級的投資項目。我們非常看好億鑄基于ReRAM的路線來實現大算力的存算一體芯片，以解決現有技術方案中遇到的功耗墻和內存墻的問題，這將使挑戰現有AI芯片行業格局成為可能。”

憶阻器（Memristor），是繼電阻、電容、電感之后的第四種電路基本元件，這種組件的電阻會隨著通過的電流量而改變，最早是由美籍華人蔡少棠教授于1971年基于電路理論推理發現并證明的。憶阻器是表示磁通與電荷關系的電路器件。

圖源自《AI芯片前沿技術與創新未來》

2008年，惠普公司的斯坦利·威廉（Stanley Williams）等人第一次在實驗室里將用二氧化鈦（TiO2）制成的納米元件夾在兩個鉑電極之間（Pt-TiO2-x-Pt），做出了世界上第一個基于TiO2薄膜的基本元件，即憶阻器。

自惠普憶阻器原型問世以來，已有百余所研究機構參與，不僅英、德、韓等國相繼加入，Intel、IBM等科技巨頭也在美國軍方支持下砸下重金。2009年，科技部啟動國際合作項目“憶阻器材料及其原型器件”，繆向水是項目負責人，他坦承，“國內憶阻器研究還處于初始階段”。

憶阻器本身就像一個矩陣排列，最適合進行點積乘法和累加運算，而這類運算占深度學習算法中的絕大部分。乘積累加操作可以通過將憶阻器這樣的可編程阻變元件直接集成到非易失性高密度存儲芯片中來實現，處理單元被嵌入存儲器中，可減少數據移動。可以看到憶阻器本身就已具備存內計算的特質，非常適合用于存算一體芯片技術方向。

基于憶阻器的存算一體芯片近年來有些進展，2020年2月26日，清華大學微電子所、未來芯片技術高精尖創新中心錢鶴、吳華強教授團隊，與合作者共同研發出一款基于多個憶阻器陣列的存算一體系統，在處理卷積神經網絡時的能效，比圖形處理器芯片高兩個數量級，大幅提升計算設備的算力，且比傳統芯片的功耗降低100倍。

不過憶阻器目前多數還處于小批量試產階段，因此基于憶阻器存算一體芯片，會面臨憶阻器開發時間長等問題，這可能就憶阻器存算一體芯片的一大難點。而億鑄科技作為目前國內唯一能夠自主設計量產基于憶阻器存算搜一體算力芯片的供應商，自然會備受資本青睞。