Mini硅基垂直芯片介紹
Mini LED 是指尺寸在 100 微米量級的 LED 芯片，尺寸介于小間距 LED 與 Micro LED 之間，Mini LED 是小間距 LED 尺寸繼續縮小的結果。Mini LED 技術成熟、量產可行，有望在中高端液晶顯示屏背光、LED 顯示得到大規模應用，特別是電視、筆記本、顯示器等領域。
LED日趨微型化，Mini & Micro LED應運而生， Mini LED背光產品對提升顯示質量效果顯著， Mini LED背光商業化進展迅速，有望成為液晶高端顯示器解決方案。
專家預測Mini & MicroLED直顯可能是未來最優的顯示技術；高畫質、低能耗特點使其在消費電子市場優勢盡顯。 而在LED直顯市場，2020年受疫情原因雖然有所下降，但小間距P2.5及以下市場維持不變。晶能的硅襯底全垂直直顯解決方案專為小間距而生，它具有更小、更可靠、更具性價比的優勢，同時也在今年6月實現量產 。
Mini硅基垂直芯片，光品質優良，垂直發光沒有側光，對比度高；同時具有良好的耐電流沖擊和抗靜電能力；產品一致性好、穩定性好、可靠性高，沒有金屬Cr，可完全避免金屬離子遷移問題。
隨著VR、AR及背光市場的不斷擴大，晶能也將在未來市場中發揮現有優勢，推出更多更好的優質產品，為半導體電子產業的發展貢獻綿薄之力。
責任編輯：haq
聲明：本文內容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網站授權轉載。文章觀點僅代表作者本人，不代表電子發燒友網立場。文章及其配圖僅供工程師學習之用，如有內容侵權或者其他違規問題，請聯系本站處理。
舉報投訴
-
led
+關注
關注
243文章
24594瀏覽量
690800 -
芯片
+關注
關注
463文章
54007瀏覽量
465929 -
半導體
+關注
關注
339文章
30725瀏覽量
264036
原文標題：晶能“精品”之——Mini硅基垂直芯片介紹
文章出處：【微信號：lattice_power，微信公眾號：LED廠商消息】歡迎添加關注！文章轉載請注明出處。
發布評論請先 登錄
相關推薦
熱點推薦
【封裝技術】幾種常用硅光芯片光纖耦合方案
耦合，需要進行一些特殊處理。硅片和光纖之間耦合主要有垂直耦合和水平耦合兩種方式。本文介紹了一些典型的光纖陣列耦合方案。
1.V槽陣列耦合
在這種方案中，硅芯片的端面被蝕刻成V槽陣列，用
發表于 03-04 16:42
小巧、輕便、高效，安森美垂直GaN解鎖功率器件應用更多可能
和更大的電流，從而實現更高的功率密度、更高的效率和更緊湊的系統設計。垂直架構：功率技術新高度垂直GaN創新：vGaN支持高電壓和高頻率運行，效率優于硅芯片先進制造工廠
GaN（氮化鎵）與硅基功放芯片的優劣勢解析及常見型號
中的性能差異源于材料物理特性，具體優劣勢如下： 1. GaN（氮化鎵）功放芯片 優勢： 功率密度高：GaN 的擊穿電場強度（3.3 MV/cm）是硅的 10 倍以上，相同面積下可承受更高電壓（600V+）和電流，功率密度可達硅
華為聯合山東大學突破：1200V全垂直硅基氮化鎵MOSFET
近日，山東大學&華為聯合報道了應用氟離子注入終端結構的1200V全垂直Si基GaN溝槽MOSFET（FIT-MOS）。氟離子注入終端（FIT）區域固有的具有負性電荷成為高阻區域，天然地隔離
硅基智能完成數億元 D 輪融資 司馬華鵬：要從“賣工具”到“賣結果”
近日，南京?– AIGC?數字人獨角獸企業南京硅基智能科技集團股份有限公司（簡稱「硅基智能」）近日宣布完成數億元人民幣?的?D?輪融資，投資方為嘉興高新區產業基金。本輪融資將主要用于核
基于懸空納米薄膜硅基微盤諧振腔的CO?傳感器
近日，天津大學精密儀器與光電子工程學院的光子芯片實驗室與深圳大學合作，研發了一種基于懸空納米薄膜硅基（suspended nanomembrane silicon，SNS）微盤諧振腔的CO?傳感器
垂直GaN迎來新突破！
的垂直GaN HEMT功率器件技術。 ? 致能半導體全球首次在硅襯底上實現了垂直的GaN/AlGaN結構生長和垂直的二維電子氣溝道(2DEG)。以此為基礎，致能實現了全球首個具有
發表于 07-22 07:46
?4959次閱讀
硅肖特基二極管芯片 skyworksinc
電子發燒友網為你提供()硅肖特基二極管芯片相關產品參數、數據手冊，更有硅肖特基二極管芯片的引腳圖、接線圖、封裝手冊、中文資料、英文資料，硅肖
發表于 07-14 18:32
聚智姑蘇，共筑硅基光電子產業新篇 — “硅基光電子技術及應用”暑期學校圓滿落幕！
盛夏姑蘇，群賢薈萃。2025年7月7日至10日，由度亙核芯光電技術（蘇州）股份有限公司主辦，西交利物浦大學協辦，愛杰光電科技有限公司承辦的“硅基光電子技術及應用”暑期學校，在蘇州西交利物浦大學北校區
隆基再次刷新晶硅-鈣鈦礦疊層電池轉換效率世界紀錄
近日，經美國國家可再生能源實驗室（NREL）認證，隆基自主研發的晶硅-鈣鈦礦兩端疊層電池轉換效率達到34.85%，再次刷新晶硅-鈣鈦礦疊層電池轉換效率世界紀錄。消息一出，關于隆基“量產
芯片制造中的多晶硅介紹
多晶硅（Polycrystalline Silicon，簡稱Poly）是由無數微小硅晶粒組成的非單晶硅材料。與單晶硅（如硅襯底）不同，多晶
碳化硅VS硅基IGBT：誰才是功率半導體之王？
在半導體技術的不斷演進中，功率半導體器件作為電力電子系統的核心組件，其性能與成本直接影響著整個系統的效率與可靠性。碳化硅（SiC）功率模塊與硅基絕緣柵雙極型晶體管（IGBT）功率模塊作為當前市場上
深入解析硅基光子芯片制造流程，揭秘科技奇跡！
在信息技術日新月異的今天，硅基光子芯片制造技術正逐漸成為科技領域的研究熱點。作為“21世紀的微電子技術”，硅基光子集成技術不僅融合了電子
工商網監
評論