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SiT8008:單端低抖動有源晶振,1-110MHz任意頻率

晶圓電子硅晶振 ? 2021-11-19 10:45 ? 次閱讀
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關于作者--SiTime樣品中心

為了加速SiTime MEMS硅晶振產品的應用普及,讓中國電子工程師能快速體驗MEMS硅晶振的高穩定性、高可靠性、超小封裝、超低功耗、超低抖動等更多優勢,SiTime公司聯合本土半導體分銷商北京晶圓電子有限公司共同建立SiTime樣品中心,為用戶提供免費樣品申請,小批量試產、現貨應急、特價申請、技術支持等便捷服務,更多信息請訪問www.sitimechina.com,客戶服務熱線400-888-2483。

SiT8008是美國SiTime公司推出的一款1-110MHz任意頻率低功耗單端MEMS硅晶振,輸出電平兼容LVCMOS/LVTTL,低功耗可達到3.6mA,是SiTime早期推出的SiT8102/SiT8103/SiT8002/SiT8003/SiT8004/SiT8003XT等產品的升級型號。

SiT8008低功耗有源晶振在視頻監控、FPGA控制、高端交換機工業控制器、乃至消費電子等領域得到廣泛的應用。

SiT8008低功耗有源晶振工作電流低于傳統石英產品,其優異的抗震性,抗沖擊能力是傳統石英無法比擬的,尤其是其全溫范圍的水平溫漂曲線特性,優化了傳統石英晶振精度隨時間變化劇烈的固有弊端。SiT8008已經成為當下智能硬件設計團隊首選的精準、低耗的主流時鐘源。

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SiT8008選型參數

頻率:1 - 110MHz任意頻率,精確到小數點后6位

精度:±20ppm、±25ppm、±50ppm

相位抖動:1.3ps

輸出類型:LVCMOS

工作溫度:-10℃ ~ +70℃,-40℃ ~ +85℃

工作電壓:1.62V-3.63V寬壓和固定電壓(1.8V,2.5V,2.8V,3.0V,3.3V)可選

封裝尺寸:2.0mm x 1.6mm、2.5mm x 2.0mm、3.2mm x 2.5mm、5.0mm x 3.2mm、7.0mm x 5.0mm

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SiT8008特征

適用于所有頻率、電壓和穩定性的小型 2016 和 2520 封裝

在不影響性能和可用性的情況下節省更多電路板空間

低功耗

1.2 μA 典型待機電流 (1.8 V)

3.6 mA 典型有功電流 (1.8 V)

延長便攜式應用中的電池壽命

降低綠色系統的功耗

FlexEdge? 可配置驅動強度

更慢的上升/下降時間,最大限度地減少來自振蕩器的 EMI

通過驅動多個負載來節省成本并消除額外的時序組件


SiT8008應用

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關于作者--SiTime樣品中心

為了加速SiTime MEMS硅晶振產品的應用普及,讓中國電子工程師能快速體驗MEMS硅晶振的高穩定性、高可靠性、超小封裝、超低功耗、超低抖動等更多優勢,SiTime公司聯合本土半導體分銷商北京晶圓電子有限公司共同建立SiTime樣品中心,為用戶提供免費樣品申請,小批量試產、現貨應急、特價申請、技術支持等便捷服務,更多信息請訪問www.sitimechina.com,客戶服務熱線400-888-2483。


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