国产精品久久久aaaa,日日干夜夜操天天插,亚洲乱熟女香蕉一区二区三区少妇,99精品国产高清一区二区三区,国产成人精品一区二区色戒,久久久国产精品成人免费,亚洲精品毛片久久久久,99久久婷婷国产综合精品电影,国产一区二区三区任你鲁

0
  • 聊天消息
  • 系統消息
  • 評論與回復
登錄后你可以
  • 下載海量資料
  • 學習在線課程
  • 觀看技術視頻
  • 寫文章/發帖/加入社區
會員中心
創作中心

完善資料讓更多小伙伴認識你,還能領取20積分哦,立即完善>

3天內不再提示

如何最大限度減小輸出電容的數量和尺寸

analog_devices ? 來源:亞德諾半導體 ? 作者:亞德諾半導體 ? 2021-11-16 10:38 ? 次閱讀
加入交流群
微信小助手二維碼

掃碼添加小助手

加入工程師交流群

電源輸出電容一般是100 nF至100 μF的陶瓷電容,它們耗費資金,占用空間,而且,在遇到交付瓶頸的時候還會難以獲得。所以,如何最大限度減小輸出電容的數量和尺寸,這個問題反復被提及。

輸出電容造成的影響

論及此問題,輸出電容的兩種影響至關重要:對輸出電壓紋波的影響,以及在負載瞬變后對輸出電壓的影響。

首先,我們來看一看輸出電容這個詞。這些電容一般安裝在電源的輸出端。但是,許多電力負載(電力消耗對象),例如FPGA,都需要使用一定數量的輸入電容。圖1顯示的是一種典型的包含負載和FPGA的電源設計。如果在電路板上,電壓生成電路和耗電電路之間的距離非常短,那么電源輸出電容和負載輸入電容之間的界限就會變得非常模糊。

5edc33d0-4394-11ec-b939-dac502259ad0.jpg

圖1. LTC3311 開關穩壓器,包含所連接的FPGA對應的輸出電容和輸入電容。

通常需要利用某種物理分隔方法來加以區分,而這會導致產生大量寄生電感(Llayout)。

電源輸出端的電容形成決定了降壓型(降壓)開關穩壓器的電壓紋波。此時,經驗法則適用:輸出紋波電壓等于電感紋波電流 X 輸出電容的電阻

這個電阻ZCout由電容的大小和數量,以及等效串聯電阻(ESR)和等效串聯電感(ESL)組成。如果電源輸出端只有一個電容,此公式高度適用。如果是更為復雜的情況(參見圖1),其中包含多個并聯電容,且因為布局(Llayout)的原因產生了串聯電感,那么計算不會如此簡單。

在這種情況下,非常適合使用LTspice這樣的模擬工具。圖2所示為針對圖1提到的情況快速創建的電路圖。可以將不同值(包括ESR和ESL)設置給單個電容。也可以考慮板布局(例如Llayout)可能產生的影響。然后,會仿真開關穩壓器輸出端和負載輸入端的電壓紋波。

圖2. 使用LTspice評估系統電源輸出端的不同電容。

輸出電容也會影響負載瞬變后的輸出電壓失調。我們也可以使用LTspice仿真這一影響。此時,特別需要注意的是,在某些限制范圍內,電源控制環路的控制速度和輸出電容的電感是相互關聯的。電源控制環路的速度如果更快,那么在負載瞬變之后,只需要更少數量的輸出電容即可保持在特定的輸出控制窗口之內。

最后但同樣重要的一點是,vvv具有自適應電壓定位(AVP)。AVP可以利用輸入誤差電壓預算并減少輸出電容器的數量,此外,設計人員還可以通過增加環路帶寬來實現減少輸出電容的數量。

AVP在低負載條件下稍微增大輸出電壓,在高負載條件下稍微降低輸出電壓。然后,如果發生負載瞬變,則更多動態輸出電壓偏差都發生在允許的輸出電壓范圍內。

建議使用ADI公司的LTpowerCAD來找出哪些控制環路可以優化,以及可以減少多少個輸出電容。圖3所示為計算控制速度的屏幕截圖。其中顯示了在負載瞬變后計算得出的電壓過沖。可以通過改變輸出電容、調節開關穩壓器控制環路的速度來進行優化。

確定正確的參數后,即可減少電源中輸出電容的數量,如此可以節省資金和板空間,我們建議大家使用這個開發步驟。

責任編輯:haq

聲明:本文內容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網站授權轉載。文章觀點僅代表作者本人,不代表電子發燒友網立場。文章及其配圖僅供工程師學習之用,如有內容侵權或者其他違規問題,請聯系本站處理。 舉報投訴
  • 電源
    +關注

    關注

    185

    文章

    18841

    瀏覽量

    263541
  • 電容
    +關注

    關注

    100

    文章

    6487

    瀏覽量

    159347

原文標題:如何最大限度減小電源設計中輸出電容的數量和尺寸?

文章出處:【微信號:analog_devices,微信公眾號:analog_devices】歡迎添加關注!文章轉載請注明出處。

收藏 人收藏
加入交流群
微信小助手二維碼

掃碼添加小助手

加入工程師交流群

    評論

    相關推薦
    熱點推薦

    三星貼片電容的封裝尺寸對布局密度有何影響?

    三星貼片電容的封裝尺寸是影響電路板布局密度的核心因素之一,其尺寸變化直接決定了單位面積內可容納的元件數量、信號走線空間以及整體設計的緊湊性。以下從封裝
    的頭像 發表于 11-28 15:12 ?454次閱讀
    三星貼片<b class='flag-5'>電容</b>的封裝<b class='flag-5'>尺寸</b>對布局密度有何影響?

    LM3103系列 同步 1MHz 0.75A 降壓穩壓器數據手冊

    LM3103 同步整流降壓轉換器 具有實現高效且經濟高效的降壓穩壓器所需的所有功能。它能夠以低至 0.6 V 的輸出電壓為負載提供 0.75 A 的電流。雙 N 通道同步 MOSFET 開關允許低元件數量,從而降低復雜性并最大限度
    的頭像 發表于 07-17 15:11 ?792次閱讀
    LM3103系列 同步 1MHz 0.75A 降壓穩壓器數據手冊

    LM3102系列 同步 1MHz 2.5A 降壓穩壓器數據手冊

    LM3102 同步整流降壓轉換器具有實現高效且經濟高效的降壓穩壓器所需的所有功能。該器件可為輸出電壓低至 0.8 V 的負載提供 2.5 A 的電流。雙 N 通道同步 MOSFET 開關允許低元件數量,從而降低復雜性并最大限度
    的頭像 發表于 07-17 14:22 ?767次閱讀
    LM3102系列 同步 1MHz 2.5A 降壓穩壓器數據手冊

    TPS54319 2.95 V 至 6 V 輸入、3 A、2 MHz SWIFT? 同步降壓轉換器,采用 3 mm x 3 mm QFN 封裝數據手冊

    元件數量,通過實現高達 2 MHz 的開關頻率來減小電感器尺寸,并通過小型 3mm × 3mm 熱增強型 QFN 封裝最大限度地減少 IC 占用空間。
    的頭像 發表于 07-11 15:35 ?698次閱讀
    TPS54319 2.95 V 至 6 V 輸入、3 A、2 MHz SWIFT? 同步降壓轉換器,采用 3 mm x 3 mm QFN 封裝數據手冊

    TPS54519 2.95V 至 6V 輸入、5A 同步降壓轉換器數據手冊

    外部元件數量,通過實現高達 2 MHz 的開關頻率來減小電感器尺寸,并通過小型 3mm × 3mm 熱增強型 QFN 封裝最大限度地減少 IC 尺寸
    的頭像 發表于 07-03 16:37 ?885次閱讀
    TPS54519 2.95V 至 6V 輸入、5A 同步降壓轉換器數據手冊

    LMR24210 42Vin、1.0A 降壓穩壓器,采用微型 SMD 封裝數據手冊

    LMR24210 同步整流降壓轉換器具有實現高效且具有成本效益的降壓穩壓器所需的所有功能。它能夠以低至 0.8 V 的輸出電壓為負載提供 1 A 電流。雙 N 通道同步 MOSFET 開關允許低元件數量,從而降低復雜性并最大限度
    的頭像 發表于 07-03 15:10 ?795次閱讀
    LMR24210 42Vin、1.0A 降壓穩壓器,采用微型 SMD 封裝數據手冊

    TPS54418A 2.95V 至 6V 輸入、4A 同步降壓型 SWIFT? 轉換器數據手冊

    減少外部元件數量,通過實現高達 2MHz 的開關頻率來減小電感器尺寸,并通過 3 mm × 3 mm 的小型熱增強型 QFN 封裝最大限度地減少器件占用空間。
    的頭像 發表于 06-26 10:57 ?635次閱讀
    TPS54418A 2.95V 至 6V 輸入、4A 同步降壓型 SWIFT? 轉換器數據手冊

    TPS57114-EP 2.95V 至 6V 輸入、3.5A 輸出、2MHz、同步降壓開關數據手冊

    設計,實現 電流模式控制可減少外部元件數量,通過使能高達 2MHz 開關頻率,并通過 3mm × 3mm 的小型尺寸最大限度減小 IC 尺寸
    的頭像 發表于 06-25 09:20 ?725次閱讀
    TPS57114-EP 2.95V 至 6V 輸入、3.5A <b class='flag-5'>輸出</b>、2MHz、同步降壓開關數據手冊

    LMR66430-EP 增強型產品 36V 3A 同步降壓轉換器數據手冊

    增強型 HotRod QFN 封裝和優化的引腳布局,可較大限度減小輸入濾波器尺寸。MODE/SYNC 和 RT 引腳變體可用于設置或同步頻率,以避免噪聲敏感頻段。關鍵的高壓引腳之間有 NC 引腳,減少了引腳之間潛在的短路。L
    的頭像 發表于 05-29 16:07 ?670次閱讀
    LMR66430-EP 增強型產品 36V 3A 同步降壓轉換器數據手冊

    如何最大限度地擴大基于氮化鎵 (GaN) 功率放大器的雷達系統的探測距離

    (SNR),“脈沖衰減”成為一個問題。 雖然與采用舊工藝的器件相比,基于氮化鎵 (GaN) 的功率放大器 (PA) 具有顯著的效率和其他優勢,但設計人員仍需采用系統級方法,最大限度地減少脈沖衰減及其影響。這將確保遠程雷達系統的卓越性能。
    的頭像 發表于 04-30 10:07 ?3753次閱讀
    如何<b class='flag-5'>最大限度</b>地擴大基于氮化鎵 (GaN) 功率放大器的雷達系統的探測距離

    TPSM86638 4.5V 至 28V 輸入電壓,6A FCCM 模式,帶 QFN 封裝的同步降壓模塊數據手冊

    TPSM8663x 是一款高效、高電壓輸入、易于使用的同步降壓電源模塊。該器件集成了功率 MOSFET、屏蔽式電感器和基本型無源器件,從而最大限度減小了設計尺寸
    的頭像 發表于 04-17 09:17 ?840次閱讀
    TPSM86638 4.5V 至 28V 輸入電壓,6A FCCM 模式,帶 QFN 封裝的同步降壓模塊數據手冊

    CSD23285F5 -12V、P 通道 NexFET? 功率 MOSFET、單個 LGA 0.8mm x 1.5mm、35mOhm、柵極 ESD 保護技術手冊

    這種 29mΩ、–12V、P 溝道 FemtoFET? MOSFET 技術經過設計和優化,可在許多手持式和移動應用中最大限度減小占用空間。該技術能夠取代標準小信號 MOSFET,同時顯著減小基底面
    的頭像 發表于 04-16 11:35 ?737次閱讀
    CSD23285F5 -12V、P 通道 NexFET? 功率 MOSFET、單個 LGA 0.8mm x 1.5mm、35mOhm、柵極 ESD 保護技術手冊

    CSD17585F5 30V、N 通道 NexFET? 功率 MOSFET、單個 LGA 0.8mm x 1.5mm、33mOhm、柵極 ESD 保護數據手冊

    這種 30V、22mΩ、N 溝道 FemtoFET? MOSFET 技術經過設計和優化,可在許多手持式和移動應用中最大限度地減少占用空間。該技術能夠取代標準小信號 MOSFET,同時顯著減小基底面尺寸
    的頭像 發表于 04-16 11:15 ?775次閱讀
    CSD17585F5 30V、N 通道 NexFET? 功率 MOSFET、單個 LGA 0.8mm x 1.5mm、33mOhm、柵極 ESD 保護數據手冊

    CSD13380F3 12V、N 通道 NexFET? 功率 MOSFET、單個 LGA 0.6mm x 0.7mm、76mOhm、柵極 ESD 保護技術手冊

    這款 63mΩ、12V N 溝道 FemtoFET? MOSFET 經過設計和優化,可在許多手持式和移動應用中最大限度地減少占用空間。該技術能夠取代標準小信號 MOSFET,同時大幅減小基底面尺寸
    的頭像 發表于 04-16 11:10 ?727次閱讀
    CSD13380F3 12V、N 通道 NexFET? 功率 MOSFET、單個 LGA 0.6mm x 0.7mm、76mOhm、柵極 ESD 保護技術手冊

    LM51231-Q1 具有輸出電壓跟蹤功能的 2.2MHz 寬 VIN 同步升壓控制器數據手冊

    輸出電壓可以通過使用跟蹤功能進行動態編程。當 V ~供應~ > V ~負荷~ ,消除了高側 MOSFET 的體二極管壓降。開關頻率使用 100 kHz 至 2.2 MHz 的外部電阻器動態編程。2.2 MHz 的開關頻率可最大限度地減少 AM 頻段干擾,并允許小
    的頭像 發表于 03-20 13:58 ?857次閱讀
    LM51231-Q1 具有<b class='flag-5'>輸出</b>電壓跟蹤功能的 2.2MHz 寬 VIN 同步升壓控制器數據手冊