近日，德州儀器旗下LM25149和LMG3525R030-Q1兩款芯片分別獲得由 21ic 電子網評選頒發的 2021 年度（第十九屆）TOP10 Power 產品獎和優化開發獎。

TOP10 Power 電源產品獎是由 21ic 主導策劃的，至今已經成功舉辦了 18 年。今年，經過全網數千次的工程師投票和 21ic 編輯緊張的審評，2021 年度第十九屆 Top10 Power 電源產品獎結果出爐。

TOP10 Power 產品獎是備受中國電源行業內認同的行業基準之一，綜合自技術、應用、設計、創新、能效比多項技術指標嚴格評選得出。該獎項的參選范圍包括所有電源類產品，獲得該殊榮則代表著該產品在本年度具有極高的產品力和技術創新。

優化開發獎則更趨向于工程師開發，獲得該殊榮代表著該產品具有完備開發套件，易于工程師迅速掌握進行二次開發。

LM25149：首款具有集成式有源EMI濾波器的先進直流/直流控制器

LM25149 同步直流/直流降壓控制器是業界具有集成式有源 EMI 濾波器的先進直流/直流控制器，支持工程師實現超小的低 EMI 電源設計。設計人員可以使用該器件來減小工業和汽車電子產品中電源的尺寸并降低 EMI。

通過集成式有源 EMI 濾波器，LM25149 使工程師能夠滿足 EMI 標準，同時提高設計的功率密度。工程師可將外部 EMI 濾波器的面積減半，將電源設計中多個頻帶上的傳導EMI 降低多達 55dBμV，或者同時縮減濾波器尺寸和降低 EMI。

在開關電源設計中，實現低 EMI 電源和小尺寸解決方案通常是相互矛盾的。但是，LM25149 支持工程師滿足具有挑戰性的 EMI 標準，并通過減小無源 EMI 濾波器的面積和體積來縮減解決方案尺寸。

與同類競爭解決方案相比，在 440kHz 頻率下，工程師最多可以將前端 EMI 濾波器的面積和體積分別縮減近 50% 和 75% 以上。通過減小無源元件的濾波負載，集成式有源 EMI 濾波器可減小無源元件的尺寸、體積和成本，從而使工程師實現尺寸更小、EMI 更低的電源設計。

LM25149 控制器通過實現交錯式雙相操作以及集成自舉二極管、環路補償和輸出電壓反饋元件，進一步提高了功率密度，進而降低設計復雜度和成本。工程師還可以利用外部反饋和環路補償進一步優化其設計。

專家點評

評委組認為：“近年來，電源管理 IC 企業除了讓功率密度越做越高，EMI 也是廠商關注的焦點。LM25149 遠低于同類競品的 EMI 濾波器面積和體積，為工業和汽車電子產品帶來更多設計可能性。作為首款具有集成式有源 EMI 濾波器的先進直流/直流控制器，其在各項指標上都頗具優勢，該項產品才得以脫穎而出。”

LMG3525R030-Q1：首款帶集成驅動器、內部保護和有源電源管理的車用GaN FET

全新的 LMG3525R030-Q1 是業界首款具有集成驅動器、保護和主動電源管理功能的先進汽車 GaN FET。在高電壓、高密度應用中，更大限度地減小布板空間是一個重要的設計考量因素。隨著電子系統越來越小，其中的各種元件也必須縮減尺寸和間距。

TI 的新型 GaN FET 集成了快速開關驅動器以及內部保護和溫度感應功能，使工程師能夠在實現高性能的同時減小電源管理設計的布板空間。

這種集成加上 TI GaN 技術的高功率密度，使工程師不再需要分立式解決方案中通常所需的 10 多個元件。此外，當應用于半橋配置時，每個全新的 30mΩ FET 都可以支持高達 4kW 的功率轉換。

新型 GaN FET 采用 TI 的理想二極管模式來降低功耗。例如，在功率因數校正（PFC）中，與分立式 GaN 和 SiC 金屬氧化物半導體場效應晶體管（MOSFET）相比，理想二極管模式可將第三象限損耗降低多達 66%。

理想二極管模式還消除了對自適應死區時間控制的需要，從而降低了固件復雜性和開發時間。TI GaN FET 封裝的熱阻抗比同類封裝產品低 23%，因此，工程師能夠使用更小的散熱器，同時簡化熱設計。

專家點評

評委組認為：“GaN 在近幾年發展迅猛，由于 TI 在 GaN 技術的多年耕耘，才使得 LMG3525R030-Q1 產品能夠兼具高性能和更小的布板空間。另外，理想二極管模式大大降低了固件復雜性和開發時間。加上 TI 為工程師提供完備的設計資源和設計服務，該項產品才得以在優化開發方面脫穎而出。”

責任編輯：haq