国产精品久久久aaaa,日日干夜夜操天天插,亚洲乱熟女香蕉一区二区三区少妇,99精品国产高清一区二区三区,国产成人精品一区二区色戒,久久久国产精品成人免费,亚洲精品毛片久久久久,99久久婷婷国产综合精品电影,国产一区二区三区任你鲁

0
  • 聊天消息
  • 系統消息
  • 評論與回復
登錄后你可以
  • 下載海量資料
  • 學習在線課程
  • 觀看技術視頻
  • 寫文章/發帖/加入社區
會員中心
創作中心

完善資料讓更多小伙伴認識你,還能領取20積分哦,立即完善>

3天內不再提示

對DDR3/4控制器進行探討

FPGA之家 ? 來源:CSDN技術社區 ? 作者:meper ? 2021-09-22 10:28 ? 次閱讀
加入交流群
微信小助手二維碼

掃碼添加小助手

加入工程師交流群

參考資料

《pg150-ultrascale-memory-ip》

以該手冊的脈絡為主線,對DDR3/4控制器進行探討。

1.IP核結構

69c40eea-15f8-11ec-8fb8-12bb97331649.png

根據官方提供的資料,IP核主要劃分為三個部分,分別是用戶接口,內存控制器以及物理層接口。對于用戶來說,我們需要研究清楚的是用戶接口部分內容,其余兩部分只需了解即可,這里就不展開論述。

讀寫效率

69d65938-15f8-11ec-8fb8-12bb97331649.png

X8是表示,該內存顆粒的數據總線為8bit。常見的還有x4/x16。

2.讀寫時序userinterface操作

整個DDR的IP核應用,主要都是圍繞這以下幾個路徑進行,開發者直接打交道的是IP_core的userinterface。其他物理底層的內容,由IP自行完成。主要指令路徑包括:Command Path、write_Path、read_Path以及維護指令(Maintenance Commands)。

Command Path

顧名思義,就是讀寫操作指令寫入的路徑。當app_rdy與app_en都有效的時候,新的指令才能寫入命令FIFO里,并被執行。

69e3d0ea-15f8-11ec-8fb8-12bb97331649.png

Write Path

數據內容寫入IP核的路徑。

69ef09ba-15f8-11ec-8fb8-12bb97331649.png

從上述的時序圖看來,與寫入路徑相關的信號有app_adf_data、app_wdf_wren以及app_wdf_end。雖然說,寫入的數據路徑與指令路徑可以不對齊,但實際應用過程中,建議還是對齊操作,要不然容易出問題(后續調試測試的內容有提到)。

6a141cd2-15f8-11ec-8fb8-12bb97331649.png

pp_wdf_end為高,表示該數據這次寫入請求的最后一個數。以上圖為例,4:1mode是指用戶接口時鐘與物理層驅動DDR的時鐘之比為1:4。比如用戶接口的數據總線為64bit,物理層驅動DDR芯片位寬為8bit ,BL=8, 在4:1mode下,那么正好一個用戶clk可以執行完一次突發傳輸(DDR是在時鐘上升沿和下降沿都傳輸數據)。所以在執行傳輸的過程中,app_wdf_end為高。

Read Path

數據從IP核中讀出來的路徑。

6a36983e-15f8-11ec-8fb8-12bb97331649.png

Maintenance Commands(維護指令)

6a4e6b1c-15f8-11ec-8fb8-12bb97331649.png

6a69369a-15f8-11ec-8fb8-12bb97331649.png

這里可以解析為什么讀寫效率不能夠達到百分百,由于ddr需要刷新等導致。其中啟動刷新有兩種模式,一種是自動刷新,即IP核自己產生滿足時序的刷新請求,另外一種是通過選中“啟用用戶刷新和ZQCS輸入”選項來啟用用戶模式。在此模式下,當init_calib_complete有效之后,由用戶負責發出Refresh和ZQCS命令以滿足DRAM組件規范所要求的速率。ZQCS是用于ZQ 校準,這個與ODT相關。

擴展一下:

ODT(On-Die Termination),是從DDR2 SDRAM時代開始新增的功能。其允許用戶通過讀寫MR1寄存器,來控制DDR3 SDRAM中內部的終端電阻的連接或者斷開。

為什么要用ODT?一個DDR通道,通常會掛接多個Rank,這些Rank的數據線、地址線等等都是共用;數據信號也就依次傳遞到每個Rank,到達線路末端的時候,波形會有反射,從而影響到原始信號;因此需要加上終端電阻,吸收余波。之前的DDR,終端電阻做在板子上,但是因為種種原因,效果不是太好,到了DDR2,把終端電阻做到了DDR顆粒內部,也就稱為On Die Termination,Die上的終端電阻,Die是硅片的意思,這里也就是DDR顆粒。

所以,使用ODT的目的很簡單,是為了讓DQS、RDQS、DQ和DM信號在終結電阻處消耗完,防止這些信號在電路上形成反射,進而增強信號完整性。

3.對IP核進行二次封裝

建議對IP核的User_interface再封裝一層,對外只需預留例如wr_en/wr_data以及rd_en/rd_data等信號,類似于讀寫FIFO的端口,提高模塊的后期復用。

6a7c62ce-15f8-11ec-8fb8-12bb97331649.png

4.調試與測試記錄

手冊梳理得差不多了,寫個簡單的程序仿真測試。期間碰到了些問題,分享出來記錄一下。

cmd_path與write_path沒對齊。

6a9364e2-15f8-11ec-8fb8-12bb97331649.png

圖中所示,app_rdy為低,但是wdf_wren仍然為高,短期的話應該沒有什么問題,但是如果持續一段時間,必然會導致IP核中fifo被寫滿,導致異常。

解決辦法:

令指令與數據路徑命令對齊。在寫入的時候,當app_rdy與app_wdf_rdy都有效的時候,才觸發相應的動作。

數據沒有寫入,導致回讀出來的數據不對。

6a9fee92-15f8-11ec-8fb8-12bb97331649.png

從時序上來看,寫入沒有問題。但是我當初忽略了app_wdf_mask,這個沒有賦值(正常應該賦0),導致仿真的時候,該信號一致顯示高阻態。然后發現ddr4_dm_dbi_n(雙向信號)信號異常。

6aabe008-15f8-11ec-8fb8-12bb97331649.png

讀出來的數據一直是0.

6ab813c8-15f8-11ec-8fb8-12bb97331649.png

修改過來后,問題解決。

6acce384-15f8-11ec-8fb8-12bb97331649.png

讀寫效率測試

6ae0ebfe-15f8-11ec-8fb8-12bb97331649.png

Wr:

6aef68c8-15f8-11ec-8fb8-12bb97331649.png

Rd:

6aff46bc-15f8-11ec-8fb8-12bb97331649.png

MEM_ADDR_ORDER = "ROW_COLUMN_BANK";

Wr:

6b254cea-15f8-11ec-8fb8-12bb97331649.png

Rd:

6b3337f6-15f8-11ec-8fb8-12bb97331649.png

仔細的話,可以觀察clk與app_rdy之間的關系,不難發現為什么兩者的讀寫效率會相差這么大。不同的地址排列,在每次讀寫過程中,IP的效率有很大的關系,這個與DDR的實現機制有關。詳細情況在PG150里有相關說明。

編輯:jq

聲明:本文內容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網站授權轉載。文章觀點僅代表作者本人,不代表電子發燒友網立場。文章及其配圖僅供工程師學習之用,如有內容侵權或者其他違規問題,請聯系本站處理。 舉報投訴
  • 控制器
    +關注

    關注

    114

    文章

    17791

    瀏覽量

    193206
  • DDR3
    +關注

    關注

    2

    文章

    288

    瀏覽量

    44147

原文標題:DDR3/4_IP核應用--vivado

文章出處:【微信號:zhuyandz,微信公眾號:FPGA之家】歡迎添加關注!文章轉載請注明出處。

收藏 人收藏
加入交流群
微信小助手二維碼

掃碼添加小助手

加入工程師交流群

    評論

    相關推薦
    熱點推薦

    TI SN74SSQEA32882:DDR3/DDR3L注冊式DIMM的理想時鐘驅動

    SN74SSQEA32882是一款符合JEDEC SSTE32882標準的28位1:2或26位1:2和4位1:1帶奇偶校驗的時鐘驅動。它專為工作在1.5V的DDR3注冊式DIMM和1.35V的
    的頭像 發表于 02-09 14:20 ?227次閱讀

    Texas Instruments TS3DDR3812:DDR3應用的理想12通道開關解決方案

    Texas Instruments TS3DDR3812:DDR3應用的理想12通道開關解決方案 在DDR3應用的領域中,一款性能出色的開關能夠顯著提升系統的效率和穩定性。Texas
    的頭像 發表于 01-14 11:30 ?344次閱讀

    使用AXI4接口IP核進行DDR讀寫測試

    本章的實驗任務是在 PL 端自定義一個 AXI4 接口的 IP 核,通過 AXI_HP 接口對 PS 端 DDR3 進行讀寫測試,讀寫的內存大小是 4K 字節。
    的頭像 發表于 11-24 09:19 ?3737次閱讀
    使用AXI<b class='flag-5'>4</b>接口IP核<b class='flag-5'>進行</b><b class='flag-5'>DDR</b>讀寫測試

    DDR3 SDRAM參考設計手冊

    電子發燒友網站提供《DDR3 SDRAM參考設計手冊.pdf》資料免費下載
    發表于 11-05 17:04 ?8次下載

    基于FPGA的DDR控制器設計

    DDR控制協議 DDR3讀寫控制器主要用于生成片外存儲DDR3 SDRAM
    發表于 10-21 14:30

    基于DDR200T開發板的e203進行DDR3擴展

    IP DDR3控制器 RISC-V 基于DDR200T開發板原理圖,找到所需要使用的DDR引腳,制成DDR.ucf文件方便在添加管腳約束時
    發表于 10-21 12:43

    FPGA搭建DDR控制模塊

    DDR3讀寫控制器主要用于生成片外存儲DDR3 SDRAM進行讀寫操作所需要的時序,繼而實現對片外存儲
    發表于 10-21 10:40

    用FPGA實現DDR控制模塊介紹

    DDR3讀寫控制器主要用于生成片外存儲DDR3 SDRAM進行讀寫操作所需要的時序,繼而實現對片外存儲
    發表于 10-21 08:43

    AD設計DDR3時等長設計技巧

    本文緊接著前一個文檔《AD設計DDR3時等長設計技巧-數據線等長 》。本文著重講解DDR地址線、控制信號線等長設計,因為地址線、控制信號線有分支,SOC有可能帶有2片
    發表于 07-29 16:14 ?3次下載

    AD設計DDR3時等長設計技巧

    的講解數據線等長設計。? ? ? 在另一個文件《AD設計DDR3時等長設計技巧-地址線T型等長》中著重講解使用AD設計DDR地址線走線T型走線等長處理的方法和技巧。
    發表于 07-28 16:33 ?5次下載

    【RK3568+PG2L50H開發板實驗例程】FPGA部分 | DDR3 讀寫實驗例程

    的總線寬度共為 16bit。DDR3 SDRAM 的最高數據速率 1066Mbps。 2.1. DDR3 控制器簡介 PG2L50H 為用戶提供一套完整的 DDR memory
    發表于 07-10 10:46

    TPS51116 完整的DDR、DDR2、DDR3DDR3L、LPDDR3DDR4 電源解決方案同步降壓控制器數據手冊

    TPS51116為 DDR/SSTL-2、DDR2/SSTL-18、DDR3/SSTL-15、DDR3L、LPDDR3
    的頭像 發表于 04-29 16:38 ?1226次閱讀
    TPS51116 完整的<b class='flag-5'>DDR</b>、<b class='flag-5'>DDR</b>2、<b class='flag-5'>DDR3</b>、<b class='flag-5'>DDR3</b>L、LPDDR<b class='flag-5'>3</b> 和 <b class='flag-5'>DDR4</b> 電源解決方案同步降壓<b class='flag-5'>控制器</b>數據手冊

    TPS51916 DDR2/3/3L/4 內存電源解決方案同步降壓控制器數據手冊

    TPS51916 器件以最低的總成本和最小的空間為 DDR2、DDR3DDR3L 和 DDR4 內存系統提供完整的電源。它集成了同步降壓穩壓控制器
    的頭像 發表于 04-28 10:58 ?818次閱讀
    TPS51916 <b class='flag-5'>DDR</b>2/<b class='flag-5'>3</b>/<b class='flag-5'>3</b>L/<b class='flag-5'>4</b> 內存電源解決方案同步降壓<b class='flag-5'>控制器</b>數據手冊

    DDR3 SDRAM配置教程

    DDR3 SDRAM(Double-Data-Rate ThreeSynchronous Dynamic Random Access Memory)是DDR SDRAM的第三代產品,相較于DDR2,
    的頭像 發表于 04-10 09:42 ?4173次閱讀
    <b class='flag-5'>DDR3</b> SDRAM配置教程

    燦芯半導體推出DDR3/4和LPDDR3/4 Combo IP

    燦芯半導體(上海)股份有限公司(燦芯股份,688691)宣布推出基于28HKD 0.9V/2.5V 平臺的DDR3/4, LPDDR3/4 Combo IP。該IP具備廣泛的協議兼容性
    的頭像 發表于 03-21 16:20 ?1183次閱讀