電子發燒友網報道（文/黃山明）近期，中芯國際、三星甚至TI都爆出想要建設晶圓廠的消息，此前，英特爾、臺積電等大廠也都確認將要新建晶圓廠。市場中的缺芯行業，不斷刺激著各大晶圓廠的神經，讓各個地區的晶圓廠都開始立項、建設直至量產，這也成為未來幾年的主旋律。

嚴苛的制造環境

那么如果要投資建設一座晶圓廠，需要做哪些準備呢？

首先，由于芯片半導體加工屬于精密制造，對于環境的要求極高，尤其如今芯片制程在納米級別，一些小的污漬或者灰塵就可能導致晶圓報廢。因此對于晶圓廠而言，無塵間或者叫凈化間是必須的。

并且因為芯片制造的精密性，通常晶圓廠的無塵間級別甚至要比尋常的手術室嚴格數十倍，將空氣中的雜志與灰塵盡可能隔離出廠間。

污染物除了尋常可見的灰塵顆粒、金屬雜質或者沾污以外，還有自然氧化層、靜電等。為了防止這些意外的因素對晶圓制造造成干擾，進入無塵間的工作人員都會穿上超凈服，完全將自己包裹住。

同時在進入無塵間之前還需要經過一條空氣洗滌通道，盡可能去除工作人員身體帶來的雜質與污染。而超凈服也能最大程度避免靜電，讓干擾降至最低。

而在無塵間中，對于工作人員的移動速度也做了限制，不能走動太快，需要緩慢移動，防止氣流被破壞。外來的風氣也必須經過濾網處理，避免有灰塵進入，不同的工藝對于無塵的要求也不相同。

此外，制造晶圓時，還需要使用到大量的高質量、超純去離子水。通常這些去離子水會通過管道連接進入車間，并且用于晶圓蝕刻環節上。

高度的無塵要求，大量的去離子水，對外部空氣進行過濾，甚至要盡可能避免工作人員太多的走動。這就需要晶圓廠進行更合理的布局，來提升生產良率，而這些要求也進一步提升了晶圓廠的成本。

比如前段時間中芯國際便計劃投資約88.7億美元，建設月產能10萬片12英寸晶圓廠。英特爾今年3月份也宣布將投資200億美元建設2座先進工藝晶圓廠，并且決定未來10年在歐洲地區建設8座晶圓廠，投資金額高達950億美元。顯然，如今的先進工藝晶圓廠平均價格甚至達到了近百億美元。

復雜的流程與昂貴的設備

除了對工廠車間環境的嚴苛要求外，晶圓制造的具體環節還需要提供大量的相關設備。首先是EDA軟件，將芯片半導體的設計通過EDA完成，然后交由晶圓廠進行制造。這一步通常是由需求方來提供，比如許多的Fabless企業都會通過EDA完成芯片設計后，再找到晶圓廠下達訂單。

拿到圖紙后，便進入到晶圓的制備環節。而晶圓的原材料便是高純度的硅，但自然界并沒有這種材料，企業需要從沙子當中進行提純，通常是將砂石原料放入一個溫度超過兩千攝氏度的電弧熔爐中，在高溫下發生還原反應得到冶金級硅，然后將粉碎的冶金級硅與液態氯化氫反應，生成液態的硅烷，再通過整流和化學還原工藝，得到高純度的多晶硅。

除了硅作為積體電路的主要材料外，還需要加入一些砷、磷、硼等元素，來改變硅材料的導電能力與特性。最后還需要將多晶硅溶解，通過速度拉成圓柱狀的單晶硅晶棒，最后切割得到晶圓。有了硅晶圓，才真正進入到集成電路的制造流程當中。

制造集成電路的流程，首先要將晶圓放在爐管中，通過高溫反應在硅晶體上形成一層硅氧化物，為之后的打磨和刻蝕做準備，這里需要相應的高溫設備。隨后再將相應的例子植入進晶圓的特定區域中，改變晶圓在特定區域的導電或者不導電性。

然后通過化學氣相沉積，利用CVD將反應氣體生成固態，沉積在晶圓的表面，形成一層薄膜。

再之后，在晶圓表面涂上一層光刻膠，成為光阻，將晶圓放在光下進行曝光，讓晶圓的表面一部分曝光，一部分沒有曝光，這個步驟需要用到光刻機。全球最大的光刻機生產商為荷蘭的ASML，一臺EVU光刻機售價甚至達數億美元。

曝光完成后，就需要進行蝕刻，通過蝕刻機將曝光的區域進行蝕刻，形成紋路。然后通過PVD設備在晶圓上覆蓋一層銅離子，將晶體管連接起來，銅離子會沉積在晶圓表面，最后將多余的銅拋光掉。

以上的這些步驟，需要多次重復，每一層都能實現不同的功能，通常一個芯片包含幾十層結構，這意味著制造晶圓也需要重復數十次以上。

再將芯片從硅片上裁剪下來，成為一個獨立的芯片，繼續對每個芯片進行測試，測試合格的產品將進行最終的封裝。

粗略估算下來，芯片的制造步驟超過上千步，建設每一步的合格率達到99.99%，那么經過數千步之后，晶圓的良率甚至可能接近于0。而芯片的制造整體良率需要達到90%以上才會量產，這樣才能保證不會虧本。

那么一塊12寸晶圓能夠生產多少芯片呢，以一顆長寬均為10.5mm的芯片為例，完美生產的話，一塊晶圓可以生產650顆芯片左右，不過考慮到良率，最終成品將在550顆左右。

以上這些還只是晶圓廠的硬件成本，還沒有算上人工成本、研發成本以及其他成本，這也就解釋了，為什么一座先進的晶圓廠需要投資上百億美元才能建設。

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編輯：jq